Electrónica

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¿Cuántos electrones tiene en su capa de valencia los elementos conductores de la electricidad?

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¿Cuántos electrones tiene en su capa de valencia los elementos aislantes de la electricidad?

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¿Cuántos electrones tiene en su capa de valencia los elementos semiconductores de la electricidad?

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En una sustancia_______ (aislante/semiconductora/ conductora) la banda de valencia está solapada con la de conducción.

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La energía de gap de la banda prohibida es mayor en las sustancias _______ (aislantes/semiconductoras/conductoras).

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Los elementos semiconductores más utilizados en electrónica son el y el.

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Un semiconductor intrínseco es esencialmente un ______

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Si se aumenta la temperatura de un semiconductor intrínseco, su resistencia ______

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El galio es una impureza tipo _____

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El fósforo es un elemento ______

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¿Cuántos electrones tienen las impurezas tipo P en su capa de valencia?

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El bismuto es un elemento ______

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En un semiconductor tipo N, los portadores mayoritarios serán los ______

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Cuanto mayor sea el número de impurezas en un semiconductor dopado, ______ será su conductividad.

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El cátodo de un diodo está formado por un semiconductor tipo ______

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Cuando el cátodo de un diodo es positivo respecto al ánodo, el diodo estará______ polarizado.

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En un diodo, cuando el semiconductor tipo P es positivo respecto al tipo N, su zona de deplexión será _____

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Cuando un diodo se polariza directamente, su zona de agotamiento será _____

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¿qué es la corriente de difusión de un diodo?

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La barrera de potencial de un diodo de silicio es de ______

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La barrera de potencial de un diodo de germanio es de ______

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¿qué relación tiene la anchura de la zona de deplexión de un diodo directamente polarizado con la corriente que lo atraviesa?

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Si la temperatura aumenta, la corriente inversa de saturación del diodo _____

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La corriente superficial de fugas aparece cuando el diodo se encuentra ______ polarizado

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¿A qué tensión se produce el fenómeno de avalancha de un diodo de unión PN?

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Los diodos rectificadores más utilizados en la actualidad son los de ______

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La tensión de ruptura de los diodos de silicio es ______ que la de los de germanio.

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Cuando se supera su tensión de Zener, un diodo de este tipo______ el paso de corriente a través suyo.

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¿Qué tipo de diodo se emplea típicamente en reguladores de tensión?

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El tiempo de recuperación directa de un diodo es_____ que el tiempo de recuperación inversa.

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¿Qué caracteriza a los diodos Schottky?

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Los diodos Schottky son ideales para trabajar con ______ frecuencias.

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La tensión umbral de un diodo Schottky es de _____ V aproximadamente.

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Cuanto más ancha sea la zona de deplexión de un diodo, ______ será su capacitancia.

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Cuanto mayor sea la tensión inversa de un varactor, ______ será su capacitancia.

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Habitualmente, un varicap se polarizará_____

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El diodo Esaki se denomina también diodo ______.

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Los diodos Esaki están ______ dopados

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¿Qué caracteriza a un diodo túnel?

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Habitualmente, el diodo túnel se conecta ______ polarizado.

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Cuando incide luz sobre un fotodiodo ______ el paso de corriente a través suyo.

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¿Cómo se comporta un fotodiodo cuando s polariza inversamente?

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Habitualmente, el fotodiodo se conecta _____ polarizado.

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¿De qué depende el color de la luz emitida por un LED?

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Habitualmente, los LED se polarizan ______ .

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Los LED tendrán conectado en serie un ______ .

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Los tres terminales de un SCR se denominan Ánodo, cátodo y puerta.

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Cuando se dispara un tiristor este pasa de bloqueo _______ a conducción.

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¿Cuándo deja de conducir un SCR?

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Cuanto mayor es la intensidad por la puerta de un SCR, _______ será la tensión disruptiva directa.

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Si no se dispara, ¿el SCR permitirá el paso de la corriente en algún caso?

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¿Qué ventaja tienen los sistemas de regulación de intensidad con SCR respecto a los tradicionales de reóstato?

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¿De qué se compone un triac?

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¿Cuántos terminales tiene un triac? ¿Y un diac?

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¿En qué circunstancias permitirá un diac el paso de la corriente?

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La resistencia de un PTC aumenta al ______ la temperatura.

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Si se calienta una NTC, su resistencia ______ .

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El valor óhmico de una LDR disminuye al ______ la intensidad de la luz que incide sobre esta.

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Cuando una LDR no recibe luz alguna, se comportará casi como un ______ .

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¿Cómo varía la resistencia en bornes de una VDR?

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Para proteger a una carga de picos de tensión, el varistor se conectará en ______ con esta.

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Si conectamos la punta de pruebas roja de un ohmiómetro al ánodo de un diodo en correcto estado y la negra al cátodo. ¿qué marcará el instrumento?

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Al conectar la punta de pruebas negra al ánodo del diodo y la roja al cátodo, el ohmiómetro indica una resistencia baja. ¿Cómo se encuentra el diodo?

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Los diodos se dañan quedando en ______ .

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Cuando empleamos la función de comprobación de diodos de un polímetro, ¿qué lectura observamos si conectamos la punta roja al ánodo y la negra al cátodo de un diodo en correcto estado?

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Se tiene un circuito compuesto por dos diodos de germanio directamente polarizados conectados en serie con una carga de 120 Ω y una fuente de 12 V. ¿Qué intensidad pasará por la carga?

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Si se conecta un diodo de silicio directamente polarizado en paralelo con una carga de 120 Ω, ¿qué diferencia de potencial máxima aparecerá en los bornes de la carga?

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Si se conecta un diodo de silicio en paralelo con otro de germanio, ambos directamente polarizados, y una carga de 3.300 Ω. ¿qué diferencia de potencial máxima aparecerá en los bornes de la carga?

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Un puente de Graez consta de _____ diodos.

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La tensión eficaz de la onda de salida de un rectificador de onda completa con transformador con toma intermedia es del ______ % de la máxima.

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¿De cuántos diodos consta un rectificador trifásico de onda completa?

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¿Qué tipo de rectificador proporciona una onda con menor rizado?

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Para disminuir el rizado, se conectará un condensador en ______ con la carga.

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En un filtro con condensador, cuanto menor sea la resistencia de la carga conectada al rectificador, _____ será el rizado.

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¿Cómo se conecta la bobina de un filtro con bobina?

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¿Qué elemento cumple la función de estabilización de la señal de salida de un rectificador?

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En el símbolo de un transistor BJT, ¿cuál es el terminal que tiene la flechita?

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En un transistor BJT, el emisor está ______ dopado que el colector.

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Si la base de un BJT NPN es positiva respecto al emisor, la unión PN base-emisor estará______ polarizada.

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En un transistor BJT PNP, la corriente entra por la base.

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Cuando el transistor BJT se encuentra en la región activa, la unión base-emisor estará polarizada directamente y la base-colector inversamente.

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Cuando el transistor BJT NPN trabaja en su región activa, ¿Cómo deberá ser la tensión en la base respecto a la del colector?

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Cuando un BJT PNP trabaja en su región activa, ¿Qué diferencia de potencial habrá entre base y emisor?

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¿Cómo tendrá que ser la tensión en la base de un BJT NPN respecto a emisor y colector para alcanzar la saturación?

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Cuando el BJT se encuentra en saturación, funcionará de forma similar a un interruptor ______ .

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Cuando la tensión en la base de un BJT NPN es nula, ¿qué valor tendrá la corriente por el colector?

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Si la intensidad por la base es nula, el BJT se encontrará en la región _____ .

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Cuando la intensidad por la base de un BJT es de 20 mA, la del colector será de 10 A. ¿Cuánto valdrá la ganancia en corriente del transistor?

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¿Qué es la beta del transistor?

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¿Cómo suele venir reflejada la ganancia em corriente en la hoja de características de un transistor?

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¿a qué es igual el parámetro alfa de un transistor?

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Si la ganancia en corriente de un BJT es de 99, ¿cuánto valdrá su parámetro alfa?

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Cuanto mayor sea la intensidad por la base de un BJT, _____ será la intensidad por el colector.

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El transistor BJT es ______

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Mientras el BJT trabaje en su zona activa, ¿Cómo afectará a la intensidad que circula por el colector de tensión colector-emisor?

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¿Qué es la frecuencia de transición de un BJT?

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Se conecta la punta de prueba roja de un ohmiómetro al colector de un BJT PNP y la negra a la base, obteniéndose una resistencia de 200 kΩ. ¿Está en un buen estado la unión base-colector?

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Se conecta la punta de prueba roja de un polímetro a la base de un BJT NPN y la negra al colector. A continuación, se selecciona la función de comprobación de diodos del polímetro. Si el transistor está en correcto estado, ¿qué indicará el polímetro?

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¿Qué dato aparece en la pantalla de un polímetro al comprobar un transistor empleando la función hFE?

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¿qué terminal de un BJT se conecta frecuentemente al encapsulado?

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¿Cuántos terminales tiene un fototransistor?

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Cuando la luz incide sobre un fototransistor, la resistencia emisor-colector será

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La tensión de entrada de un amplificador es de 10 mV. Si su ganancia en tensión es de 200, ¿cuál será la tensión en su salida?

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La tensión de entrada de un amplificador es de 10 mV. Si su ganancia en tensión es de 200, ¿cuál será la tensión en su salida? =

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¿Cuántos decibelios de ganancia tiene un transistor con hFE = 600?

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La configuración de amplificador que de una mayor ganancia de tensión es base común.

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La configuración de amplificador que de una mayor ganancia de potencia es _____ común.

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La ganancia de tensión de un amplificador con colector común es igual a ____

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¿Qué caracteriza a un transistor Darlington?

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¿Qué clase de amplificador amplifica la onda completa?

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El terminal 1 se corresponde con el...

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¿Qué símbolo corresponde a un BJT NPN?

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Responda:

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Responda:

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Responda:

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Responda:

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Responda:

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Figura A:

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Figura E:

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¿Que tipo de impurezas lleva un semiconductor tipo N?

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¿Qué tipo de semiconductor se consigue con impurezas de boro?

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¿Como es el sentido de la corriente de huecos en un semiconductor?

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¿Qué elemento tiene mejor conductividad?

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Preguntas de autoevaluación: Tema 1 Tema 2 excepto de la 2.69 hasta el final. Tema 3 excepto de la 3.27 a la 3.44

Electrónica

¿Cuántos electrones tiene en su capa de valencia los elementos conductores de la electricidad?

¿Cuántos electrones tiene en su capa de valencia los elementos aislantes de la electricidad?

¿Cuántos electrones tiene en su capa de valencia los elementos semiconductores de la electricidad?

En una sustancia_______ (aislante/semiconductora/ conductora) la banda de valencia está solapada con la de conducción.

La energía de gap de la banda prohibida es mayor en las sustancias _______ (aislantes/semiconductoras/conductoras).

Los elementos semiconductores más utilizados en electrónica son el ______ y el______.

Un semiconductor intrínseco es esencialmente un ______

Si se aumenta la temperatura de un semiconductor intrínseco, su resistencia ______

El galio es una impureza tipo _____

El fósforo es un elemento ______

¿Cuántos electrones tienen las impurezas tipo P en su capa de valencia?

El bismuto es un elemento ______

En un semiconductor tipo N, los portadores mayoritarios serán los ______

Cuanto mayor sea el número de impurezas en un semiconductor dopado, ______ será su conductividad.

El cátodo de un diodo está formado por un semiconductor tipo ______

Cuando el cátodo de un diodo es positivo respecto al ánodo, el diodo estará______ polarizado.

En un diodo, cuando el semiconductor tipo P es positivo respecto al tipo N, su zona de deplexión será _____

Cuando un diodo se polariza directamente, su zona de agotamiento será _____

¿qué es la corriente de difusión de un diodo?

La barrera de potencial de un diodo de silicio es de ______

Los elementos semiconductores más utilizados en electrónica son el y el.