PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA 1

EL COBRE ES UN BUEN CONDUCTOR Y LA CANTIDAD DE PROTONES QUE CONTIENE EN SU NÚCLEO ES:

ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE SE DISPONEN ALREDEDOR DEL NÚCLEO DEL COBRE:

ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE DEBE DE TENER EN SU PRIMERA CAPA U ORBITAL EL ÁTOMO DE COBRE:

ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE TIENE EN SU ORBITAL EXTERIOR EL ÁTOMO DE COBRE:

ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE TIENE EN SU TERCER ORBITAL EL ÁTOMO DE COBRE:

ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE TIENE EN SU SEGUNDO ORBITAL EL ÁTOMO DE COBRE:

ES EL OTRO NOMBRE CON QUE SE LE CONOCE AL ORBITAL EXTERIOR DE UN ÁTOMO:

ES OTRO NOMBRE CON QUE SE LE CONOCE AL ELECTRÓN DE VALENCIA:

LOS MEJORES CONDUCTORES, SON:

ES UN ELEMENTO CON PROPIEDADES ELÉCTRICAS ENTRE LAS DE UN CONDUCTOR Y LAS DE UN AISLANTE, HABLAMOS DE UN:

ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES DE VALENCIA QUE TIENEN LOS MEJORES SEMICONDUCTORES:

ES UN MATERIAL SEMICONDUCTOR CUYO INCONVENIENTE ES SU EXCESIVA CORRIENTE INVERSA:

DESPUÉS DEL OXÍGENO, ES EL ELEMENTO MÁS ABUNDANTE DE LA TIERRA:

EN UN ÁTOMO DE SILICIO AISLADO, ES LA CANTIDAD DE PROTONES Y ELECTRONES QUE CONTIENE:

EN UN ÁTOMO DE SILICIO, ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE CONTIENE EN SU ÓRBITA DE VALENCIA:

CUÁNDO LOS ÁTOMOS DE SILICIO SE COMBINAN PARA FORMAR UN SÓLIDO, LO HACEN EN UNA ESTRUCTURA ORDENADA LLAMADA:

CADA UNO DE LOS ELECTRONES DE SILICIO COMPARTIDOS ESTÁ SIENDO ATRAÍDO EN DIRECCIONES OPUESTAS, EL ELECTRÓN CONSTITUYE UN ENLACE ENTRE LOS NÚCLEOS OPUESTOS, A ESTE TIPO DE ENLACE QUÍMICO SE LE DA EL NOMBRE DE:

ES COMO SE LE DENOMINA AL VACÍO QUE DEJA LA SALIDA DE UN ELECTRÓN EN EL ORBITAL DE VALENCIA Y QUE SE COMPORTA COMO UNA CARGA POSITIVA:

EN EL ORBITAL DE VALENCIA LA PÉRDIDA DE UN ELECTRÓN PRODUCE:

UN ELECTRÓN LIBRE SE APROXIMARÁ A UN HUECO, SERÁ ATRAÍDO Y CAERÁ HACIA ÉL, ESTA UNIÓN DE UN ELECTRÓN LIBRE Y DE UN HUECO SE LLAMA:

EL TIEMPO QUE TRANSCURRE ENTRE LA CREACIÓN Y LA DESAPARICIÓN DE UN ELECTRÓN LIBRE, RECIBE EL NOMBRE DE:

ES EL OTRO NOMBRE CON QUE SE LE CONOCE A UN SEMICONDUCTOR PURO:

UN CRISTAL DE SILICIO A TEMPERATURA AMBIENTE, SE COMPORTA COMO UN:

NOMBRE QUE RECIBEN LOS ELECTRONES LIBRES Y LOS HUECOS, DEBIDO A QUE TRANSPORTAN LA CARGA ELÉCTRICA DE UN LUGAR A OTRO:

CUÁNDO SE AÑADEN ÁTOMOS DE IMPUREZAS A UN CRISTAL INTRÍNSECO PARA MODIFICAR SU CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA, SE LLAMA:

ES COMO SE LE LLAMA A UN SEMICONDUCTOR DOPADO:

ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES EN LA ÓRBITA DE VALENCIA QUE TIENEN LOS ÁTOMOS PENTAVALENTES:

ES COMO SE LES CONOCE A LOS ÁTOMOS PENTAVALENTES QUE DONARÁN UN ELECTRÓN EXTRA AL CRISTAL DE SILICIO:

UN SEMICONDUCTOR LIGERAMENTE DOPADO TIENE UNA RESISTENCIA:

ES UN ELEMENTO PENTAVALENTE, QUE EN SU ÓRBITA DE VALENCIA TIENE CINCO ELECTRONES:

UN SEMICONDUCTOR DOPADO FUERTEMENTE, TIENE UNA RESISTENCIA:

TIPO DE IMPUREZAS CON LAS QUE SE DEBE DOPAR UN CRISTAL DE SILICIO PARA OBTENER UN EXCESO DE HUECOS:

ES UN ELEMENTO TRIVALENTE, QUE EN SU ÓRBITA DE VALENCIA TIENE TRES ELECTRONES:

ES EL MATERIAL SEMICONDUCTOR QUE SE HA ERIGIDO COMO EL MÁS POPULAR Y ÚTIL:

AL SILICIO QUE HA SIDO DOPADO CON UNA IMPUREZA PENTAVALENTE SE LLAMA:

AL SILICIO QUE HA SIDO DOPADO CON UNA IMPUREZA TRIVALENTE SE LLAMA:

LA SEPARACIÓN O FRONTERA FÍSICA ENTRE UN SEMICONDUCTOR TIPO N Y UNO TIPO P SE LLAMA:

ES LA UNIÓN QUE TIENE PROPIEDADES TAN ÚTILES QUE HA PROPICIADO TODA CLASE DE INVENTOS, ENTRE LOS QUE SE ENCUENTRAN LOS DIODOS, LOS TRANSISTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS:

LA PALABRA DIODO ES UNA CONTRACCIÓN DE LA EXPRESIÓN QUE SIGNIFICA:

CADA PAREJA DE IONES POSITIVOS Y NEGATIVOS EN LA UNIÓN PN SE LLAMA:

A MEDIDA QUE AUMENTA EL NÚMERO DE DIPOLOS, LA REGIÓN CERCANA A LA UNIÓN, SE VACÍA DE PORTADORES, A ESTA ZONA SIN PORTADORES SE LE CONOCE COMO:

EL CAMPO ELÉCTRICO ENTRE LOS IONES ES EQUIVALENTE A UNA DIFERENCIA DE POTENCIAL LLAMADA:

A 25°C LA BARRERA DE POTENCIAL DEL GERMANIO ES APROXIMADAMENTE DE:

A 25°C LA BARRERA DE POTENCIAL DEL SILICIO ES APROXIMADAMENTE DE:

UNA FUENTE DE CORRIENTE CONTINUA CONECTADA A UN DIODO, EL TERMINAL NEGATIVO DE LA FUENTE ESTÁ CONECTADA AL MATERIAL TIPO N, Y EL TERMINAL POSITIVO AL MATERIAL TIPO P, ESTA CONEXIÓN SE LLAMA:

SI SE INVIERTE LA POLARIDAD DE LA FUENTE DE CORRIENTE CONTINUA, EN ESTE CASO EL TERMINAL NEGATIVO SE ENCUENTRA CONECTADO AL LADO P Y EL TERMINAL POSITIVO AL LADO N, A ESTA CONEXIÓN, SE LE DENOMINA:

LA CORRIENTE INVERSA ORIGINADA POR LOS PORTADORES MINORITARIOS PRODUCIDOS TÉRMICAMENTE:

ES UNA PEQUEÑA CORRIENTE QUE CIRCULA SOBRE LA SUPERFICIE DEL CRISTAL, LA CUAL ES CAUSADA POR IMPUREZAS E IMPERFECCIONES EN SU ESTRUCTURA INTERNA:

ES NORMALMENTE LA TENSIÓN DE RUPTURA DE UN DIODO:

TIPO DE POLARIZACIÓN QUE PROPORCIONA MÁS ENERGÍA A LOS ELECTRONES LIBRES, EQUIVALENTE A UN NIVEL DE ENERGÍA MAYOR:

ES LA TEMPERATURA DENTRO DEL DIODO, EXACTAMENTE EN LA UNIÓN PN:

LA BARRERA DE POTENCIAL DE UN DIODO DE SILICIO DECRECE ___________ POR CADA INCREMENTO DE UN GRADO CELSIUS.

EN UN ÁTOMO DE SILICIO, ES LA DISTANCIA ENTRE LA BANDA DE VALENCIA Y LA BANDA DE CONDUCCIÓN:

UNA RESISTENCIA ORDINARIA ES UN DISPOSITIVO _________________ POR QUE LA GRÁFICA DE SU CORRIENTE EN FUNCIÓN DE SU TENSIÓN ES UNA LÍNEA RECTA.

UN DIODO, ES UN DISPOSITIVO:

EN EL SÍMBOLO ELÉCTRICO DE UN DIODO, ES COMO SE LE LLAMA AL LADO "P":

EN EL SÍMBOLO ELÉCTRICO DE UN DIODO, ES COMO SE LE LLAMA AL LADO "N":

EN LA ZONA DIRECTA, ES LA TENSIÓN A PARTIR DE LA CUAL LA CORRIENTE EMPIEZA A INCREMENTARSE RÁPIDAMENTE:

LA TENSIÓN UMBRAL DE UN DIODO ES IGUAL A:

DESPUÉS DE SUPERADA LA BARRERA DE POTENCIAL, LO ÚNICO QUE SE OPONE A LA CORRIENTE, ES LA SUMA DE LAS RESISTENCIAS ÓHMICAS DE LAS ZONAS P Y N, DENOMINADA:

NORMALMENTE LA RESISTENCIA INTERNA DE LOS DIODOS, ES:

INDICA CUÁNTA POTENCIA PUEDE DISIPAR EL DIODO SIN PELIGRO DE ACORTAR SU VIDA NI DEGRADAR SUS PROPIEDADES:

ES CÓMO SE COMPORTA UN DIODO CUANDO TIENE POLARIZACIÓN DIRECTA:

ES CÓMO SE COMPORTA UN DIODO CUANDO TIENE POLARIZACIÓN INVERSA:

EL DIODO IDEAL, ES GENERALMENTE ADECUADO PARA:

ES LA APROXIMACIÓN DEL DIODO QUE NECESITAMOS, CUANDO SE REQUIERE UN VALOR MÁS EXACTO PARA LA CORRIENTE Y LA TENSIÓN EN LA CARGA:

ES EL APARATO DE MEDICIÓN QUE SE UTILIZA PARA AVERIGUAR EL ESTADO DE UN DIODO:

ES EL ESTADO DEL DIODO CUANDO SU RESISTENCIA ES EXTREMADAMENTE PEQUEÑA EN AMBAS DIRECCIONES:

ES EL ESTADO DEL DIODO CUANDO SU RESISTENCIA ES MUY ELEVADA EN AMBAS DIRECCIONES:

ES EL ESTADO DEL DIODO CUANDO SU RESISTENCIA ES ALGO BAJA EN LA DIRECCIÓN INVERSA:

ES UNA HERRAMIENTA EMPLEADA PARA HALLAR EL VALOR EXACTO DE LA CORRIENTE Y LA TENSIÓN DEL DIODO:

ES EL PUNTO DE INTERSECCIÓN DE LA RECTA DE CARGA Y LA CURVA DE UN DIODO:

EL PUNTO "Q" , ES UNA ABREVIACIÓN DE QUIESCENT QUE SIGNIFICA:

SON LOS DOS ESTILOS BÁSICOS DE MONTAJE DE SUPERFICIE:

TIPO DE ENCAPSULADO QUE TIENE DOS BORNAS DOBLADAS EN "L" Y UNA BANDA COLOREADA EN UN EXTREMO DEL CUERPO PARA INDICAR LA BORNA CORRESPONDIENTE AL CÁTODO:

TIPO DE ENCAPSULADO "SM" QUE TIENE DOS BORNAS DOBLADAS EN "L" Y UNA BANDA COLOREADA EN UN EXTREMO DEL CUERPO PARA INDICAR LA BORNA CORRESPONDIENTE AL ____________.

TIPO DE ENCAPSULADO QUE TIENE TRES TERMINALES EN FORMA DE ALA DE GAVIOTA. SUS TERMINALES SE ENUMERAN EN EL SENTIDO CONTRARIO DE LAS AGUJAS DEL RELOJ DESDE ARRIBA:

ES UN ENCAPSULADO DE TRANSISTOR CON TRES TERMINALES USADO HABITUALMENTE PARA DIODOS "SM":

APROXIMACIÓN DE LOS DIODOS QUE RARA VEZ UTILIZAMOS, POR QUE, NORMALMENTE LA RESISTENCIA INTERNA ES SUFICIENTEMENTE PEQUEÑA Y PUEDE IGNORARSE:

SU CIRCUITO EQUIVALENTE, ES UN INTERRUPTOR QUE SE CIERRA CUANDO ESTÁ POLARIZADO EN DIRECTA Y SE ABRE CUANDO ESTÁ EN INVERSA:

ES UN DIODO DE SILICIO QUE ES DISEÑADO PARA QUE FUNCIONE EN LA ZONA DE RUPTURA:

ES EL NOMBRE CON QUE TAMBIÉN SE LE CONOCE AL DIODO ZENER:

ÉSTE COMPONENTE ELECTRÓNICO, ES LA PARTE ESENCIAL DE LOS REGULADORES DE TENSIÓN:

EN UN DIODO ZENER, ES COMO SE LE CONOCE A LA RESISTENCIA INTERNA DE LA ZONA INVERSA:

TIPO DE DIODO, QUE MANTIENE LA TENSIÓN CONSTANTE ENTRE SUS TERMINALES, INCLUSO CUANDO LA CORRIENTE SUFRA CAMBIOS:

PARA TRABAJAR EN _______________, LA TENSIÓN DE LA FUENTE DEBE SER MAYOR QUE LA TENSIÓN DE RUPTURA, SIEMPRE SE EMPLEA UNA RESISTENCIA EN SERIE PARA LIMITAR LA CORRIENTE A UN VALOR MENOR DE SU LIMITACIÓN MÁXIMA DE CORRIENTE.

EN LA APROXIMACIÓN IDEAL, TEÓRICAMENTE EL DIODO ZENER AL FUNCIONAR EN LA ZONA DE RUPTURA, SE COMPORTA COMO:

EN UN DIODO ZENER, CUÁNDO LA FUERZA DEL CAMPO ALCANZA APROXIMADAMENTE 300000 V/CM, EL CAMPO ES LO SUFICIENTEMENTE INTENSO PARA EMPUJAR A LOS ELECTRONES FUERA DE SUS ORBITALES DE VALENCIA. LA CREACIÓN DE ELECTRONES LIBRES DE ESTA FORMA SE CONOCE COMO:

EN UN DIODO ZENER, ES EL CAMBIO EN LA TENSIÓN DE RUPTURA POR CADA GRADO QUE AUMENTA LA TEMPERATURA:

EN UN DIODO ZENER, ÉSTA ES IGUAL AL PRODUCTO DE SU TENSIÓN POR SU CORRIENTE:

ES EL NOMBRE CON QUE TAMBIÉN SE LE CONOCE A LA RESISTENCIA ZENER:

EN LA HOJA CARACTERÍSTICA DE UN DIODO ZENER, ES EL PARÁMETRO QUE INDICA CUANTO HAY QUE REDUCIR LA LIMITACIÓN DE POTENCIA DE UN DISPOSITIVO:

ES LA TECNOLOGÍA QUE COMBINA LA ÓPTICA CON LA ELECTRÓNICA:

SON LOS ELEMENTOS PARA LA FABRICACIÓN DE LOS DIODOS LEDS:

LA LUMINOSIDAD DE UN LED, DEPENDE DE:

ES LA CAÍDA DE TENSIÓN TÍPICA EN LA MAYORÍA DE LOS LEDS DISPONIBLES COMERCIALMENTE, PARA UNA CORRIENTE QUE FLUCTÚA ENTRE 10 Y 50 MA:

ES LA TENSIÓN DE RUPTURA TÍPICA DE UN DIODO LED:

EN UN INDICADOR DE SIETE SEGMENTOS, ES EL DIGITO QUE SE FORMA AL LLEVAR A MASA LOS SEGMENTOS "A" "B" Y "C":

DIODO CUYA SENSIBILIDAD A LA LUZ ES MÁXIMA:

EN UN FOTODIODO, LA CORRIENTE INVERSA A MEDIDA QUE LA LUZ SE HACE MÁS INTENSA, OCURRE QUE: