TM 1 - 23 preguntas

Flanco anterior

Flanco de subida

Flanco de bajada

Flanco posterior

Flanco de subida / flanco de bajada.

Flanco de bajada / flanco de subida.

Flanco de antes / flanco de después.

Impulso ideal: los flancos de subida y de bajada ocurren en un tiempo cero (instantáneamente).

Impulso real (no ideal). todos los impulsos presentan alguna característica como picos de tensión y rizado debidos a los efectos capacitivos e inductivos parásitos.

Ambas son correctas.

tiempo de transición del nivel BAJO al nivel ALTO. tiempo que tarda en pasar del 10% al 90% de la amplitud del impulso

duración del impulso, intervalo de tiempo que transcurre entre los puntos en que la amplitud es del 50% en los flancos de subida y de bajada.

tiempo de transición del nivel ALTO al nivel BAJO. tiempo que tarda en pasar del 90% al 10% de la amplitud del impulso

el intervalo de tiempo entre la aplicación de un impulso de entrada y la aparición del impulso de salida resultante

el intervalo de tiempo entre la aplicación de un impulso de salida y la aparición del impulso de entrada resultante

Este parámetro NO limita la frecuencia o velocidad de conmutación a la que un circuito lógico puede operar

t PHH

t PLH

t PHL

Frecuencia.

Tren de impulsos periódico.

Latencia.

Periodo.

Frecuencia.

Tren de impulsos periódico.

Ciclo de trabajo (de una señal periódica)

Ciclo de Brayton (de una señal periódica)

Ciclo laboral (de una señal periódica)

Lo componen: transistores, diodos, leds y condensadores.

Lo componen: transistores, diodos, resistencias y condensadores.

Lo componen: placas bimetálicas, diodos, resistencias y condensadores.

Sabemos que en una de estas categorías, las funciones lógicas son definidas por el fabricante y no es posible modificarlas.

La lógica para funciones estáticas y la lógica dinámica.

La lógica para funciones fijas y la lógica programable.

TTL

DIP

SMT

CMOS (Complementary MOS, MOS complementario): tecnología de circuitos que utiliza MOSFET.

TTL (Transistor-Transistor Logic, lógica transistor-transistor): tecnología de CI de función fija que utiliza los transistores unipolares.

LV (Low Voltage CMOS): tecnología de circuitos MOSFET de alto voltaje.

0 lógico = de 0 V a 1 V
1 lógico = de 2 V a 5 V

0 lógico = de 0 V a 0,8 V
1 lógico = de 2 V a 5 V

0 lógico = de 0 V a 0,8 V
1 lógico = de 0,9 V a 5 V

En el pasado los dispositivos TTL eran superiores por su
alta velocidad y la capacidad de corriente de salida. Ahora los dispositivos CMOS son iguales o superiores.

Los dispositivos CMOS tienen una elevada densidad de integración y un consumo alto de potencia.

Ya no se encuentran disponibles en el mercado: familia LS, familia HC y familia AHC.

Familia LS: Puertas realizadas con tecnología TTL, con transistores Schottky de bajo consumo.

Familia HC: Puertas con tecnología CMOS, de alta capacidad de carga a la salida, pero con niveles lógicos que la hacen incompatible con circuitos TTL.

Familia AHC: Revisión de la familia HC pero que la dota de compatibilidad con los niveles de tensión TTL.

Todas son correctas.

Integración a pequeña escala (SSI)

Integración a ultra escala (ULSI)

Integración a gran escala (LSI)

Integración a media escala (MSI)

Integración a ultra escala (ULSI)

Integración a gran escala (LSI)

Integración de muy gran escala (VLSI)

Integración a ultra escala (ULSI)

Integración a media escala (MSI)

Integración de muy gran escala (VLSI)

Integración a gran escala (LSI)

Integración a pequeña escala (SSI)

Integración a pequeña escala (SSI)

Integración a gran escala (LSI)

Integración a media escala (MSI)