ARCOIRIS 3

QUÉ CATEGORÍA DE CABLE PAR TRENZADO ES UTILIZADO PARA VOZ
ANALÓGICA Y DIGITAL, ASÍ COMO TRANSMISIÓN DE DATOS DE ALTA VELOCIDAD
EN REDES ATM?

LA CATEGORÍA 4 CERTIFICA AL CABLE UTP PARA LA TRANSMISIÓN DE DATOS
QUE ADMITA FRECUENCIAS DE HASTA

LA CATEGORÍA 6 Y 7 CERTIFICA AL CABLE UTP PARA LA TRANSMISIÓN DE DATOS
QUE ADMITA FRECUENCIAS DE HASTA:

ES EL CABLE PAR TRENZADO NORMAL Y MÁS SIMPLE, CON UNA IMPEDANCIA
CARACTERÍSTICA DE 100 OHMS UTILIZADO EN REDES DE ÁREA LOCAL

¿CUÁL ES EL CONECTOR UTILIZADO FRECUENTEMENTE CON EL CABLE UTP DE
CUATRO PARES?

¿CUÁL ES EL CONECTOR UTILIZADO FRECUENTEMENTE CON EL CABLE UTP DE
DOS PARES?

¿CUÁL ES LA IMPEDANCIA CARACTERÍSTICA TÍPICA DEL CABLE PAR TRENZADO
APANTALLADO (STP)?

ES EL CABLE PAR TRENZADO QUE UTILIZA UNA MALLA PROTECTORA
ALREDEDOR DEL MAZO DE CABLES DE PARES TRENZADOS.

QUÉ TIPO DE CABLE PAR TRENZADO, PARA QUE LA PANTALLA DEL CABLE SEA
EFICAZ, REQUIERE DE UNA INTERCONEXIÓN A TIERRA, RELATIVAMENTE
COMPLEJA Y DIFÍCIL DE MANTENER.

CON EL CABLE STP SE SUELEN UTILIZAR CONECTORES DEL TIPO:

¿QUÉ TIPO DE CONECTOR LLEVA UNA CAPA METÁLICA ALREDEDOR PARA
CONECTAR LA TOMA DE TIERRA?

EN ESTE TIPO DE CABLE SUS PARES NO ESTÁN APANTALLADOS, PERO DISPONE
DE UNA MALLA GLOBAL PARA MEJORAR SU NIVEL DE PROTECCIÓN ANTE
INTERFERENCIAS EXTERNAS

¿CUÁL ES LA IMPEDANCIA CARACTERÍSTICA TÍPICA DEL CABLE PAR TRENZADO
FTP?

UN CABLE PAR TRENZADO DE CATEGORÍA 5 CON UNA LONGITUD DE 3
KILÓMETROS Y UN ANCHO DE BANDA DE 100 KHZ, ¿A QUÉ CLASE PERTENECE?

UN CABLE PAR TRENZADO DE CATEGORÍA 4 CON UNA LONGITUD DE 600 METROS
Y UN ANCHO DE BANDA DE 1 MHZ, ¿A QUÉ CLASE PERTENECE?

UN CABLE PAR TRENZADO DE CATEGORÍA 5 CON UNA LONGITUD DE 100 METROS
Y UN ANCHO DE BANDA DE 100 MHZ, ¿A QUÉ CLASE PERTENECE?

EL COBRE ES UN BUEN CONDUCTOR Y
CONTIENE EN SU NÚCLEO ES:
LA CANTIDAD DE PROTONES QUE

ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE SE DISPONEN ALREDEDOR DEL NÚCLEO
DEL COBRE:

ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE DEBE DE TENER EN SU PRIMERA CAPA U
ORBITAL EL ÁTOMO DE COBRE

ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE TIENE EN SU ORBITAL EXTERIOR EL
ÁTOMO DE COBRE:

ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE TIENE EN SU TERCER ORBITAL EL
ÁTOMO DE COBRE:

ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE TIENE EN SU SEGUNDO ORBITAL EL
ÁTOMO DE COBRE:

ES EL OTRO NOMBRE CON QUE SE LE CONOCE AL ORBITAL EXTERIOR DE UN
ÁTOMO

ES OTRO NOMBRE CON QUE SE LE CONOCE AL ELECTRÓN DE VALENCIA:

LOS MEJORES CONDUCTORES, SON:

ES UN ELEMENTO CON PROPIEDADES ELÉCTRICAS ENTRE LAS DE UN
CONDUCTOR Y LAS DE UN AISLANTE, HABLAMOS DE UN:

ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES DE VALENCIA QUE TIENEN LOS MEJORES
SEMICONDUCTORES:

ES UN MATERIAL SEMICONDUCTOR CUYO INCONVENIENTE ES SU EXCESIVA
CORRIENTE INVERSA:

DESPUÉS DEL OXÍGENO, ES EL ELEMENTO MÁS ABUNDANTE DE LA TIERRA:

EN UN ÁTOMO DE SILICIO AISLADO, ES LA CANTIDAD DE PROTONES Y
ELECTRONES QUE CONTIENE:

EN UN ÁTOMO DE SILICIO, ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE CONTIENE EN
SU ÓRBITA DE VALENCIA

CUÁNDO LOS ÁTOMOS DE SILICIO SE COMBINAN PARA FORMAR UN SÓLIDO, LO
HACEN EN UNA ESTRUCTURA ORDENADA LLAMADA

CADA UNO DE LOS ELECTRONES DE SILICIO COMPARTIDOS ESTÁ SIENDO
ATRAÍDO EN DIRECCIONES OPUESTAS, EL ELECTRÓN CONSTITUYE UN ENLACE
ENTRE LOS NÚCLEOS OPUESTOS, A ESTE TIPO DE ENLACE QUÍMICO SE LE DA EL
NOMBRE DE

ES COMO SE LE DENOMINA AL VACÍO QUE DEJA LA SALIDA DE UN ELECTRÓN EN
EL ORBITAL DE VALENCIA Y QUE SE COMPORTA COMO UNA CARGA POSITIVA

EN EL ORBITAL DE VALENCIA LA PÉRDIDA DE UN ELECTRÓN PRODUCE

EL TIEMPO QUE TRANSCURRE ENTRE LA CREACIÓN Y LA DESAPARICIÓN DE UN
ELECTRÓN LIBRE, RECIBE EL NOMBRE DE:

EL TIEMPO QUE TRANSCURRE ENTRE LA CREACIÓN Y LA DESAPARICIÓN DE UN
ELECTRÓN LIBRE, RECIBE EL NOMBRE DE:

ES EL OTRO NOMBRE CON QUE SE LE CONOCE A UN SEMICONDUCTOR PURO:

UN CRISTAL DE SILICIO A TEMPERATURA AMBIENTE, SE COMPORTA COMO UN:

NOMBRE QUE RECIBEN LOS ELECTRONES LIBRES Y LOS HUECOS, DEBIDO A QUE
TRANSPORTAN LA CARGA ELÉCTRICA DE UN LUGAR A OTRO

CUÁNDO SE AÑADEN ÁTOMOS DE IMPUREZAS A UN CRISTAL INTRÍNSECO PARA
MODIFICAR SU CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA, SE LLAMA

ES COMO SE LE LLAMA A UN SEMICONDUCTOR DOPADO

ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES EN LA ÓRBITA DE VALENCIA QUE TIENEN LOS
ÁTOMOS PENTAVALENTES:

ES COMO SE LES CONOCE A LOS ÁTOMOS PENTAVALENTES QUE DONARÁN UN
ELECTRÓN EXTRA AL CRISTAL DE SILICIO:

UN SEMICONDUCTOR LIGERAMENTE DOPADO TIENE UNA RESISTENCIA

ES UN ELEMENTO PENTAVALENTE, QUE EN SU ÓRBITA DE VALENCIA TIENE
CINCO ELECTRONES

UN SEMICONDUCTOR DOPADO FUERTEMENTE, TIENE UNA RESISTENCIA:

TIPO DE IMPUREZAS CON LAS QUE SE DEBE DOPAR UN CRISTAL DE SILICIO PARA
OBTENER UN EXCESO DE HUECOS:

ES UN ELEMENTO TRIVALENTE, QUE EN SU ÓRBITA DE VALENCIA TIENE TRES
ELECTRONES

ES EL MATERIAL SEMICONDUCTOR QUE SE HA ERIGIDO COMO EL MÁS POPULAR
Y ÚTIL

AL SILICIO QUE HA SIDO DOPADO CON UNA IMPUREZA PENTAVALENTE SE LLAMA:

AL SILICIO QUE HA SIDO DOPADO CON UNA IMPUREZA TRIVALENTE SE LLAMA:

LA SEPARACIÓN O FRONTERA FÍSICA ENTRE UN SEMICONDUCTOR TIPO N Y UNO
TIPO P SE LLAMA:

ES LA UNIÓN QUE TIENE PROPIEDADES TAN ÚTILES QUE HA PROPICIADO TODA
CLASE DE INVENTOS, ENTRE LOS QUE SE ENCUENTRAN LOS DIODOS, LOS
TRANSISTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS

LA PALABRA DIODO ES UNA CONTRACCIÓN DE LA EXPRESIÓN QUE SIGNIFICA

CADA PAREJA DE IONES POSITIVOS Y NEGATIVOS EN LA UNIÓN PN SE LLAMA:

A MEDIDA QUE AUMENTA EL NÚMERO DE DIPOLOS, LA REGIÓN CERCANA A LA
UNIÓN, SE VACÍA DE PORTADORES, A ESTA ZONA SIN PORTADORES SE LE
CONOCE COMO:

EL CAMPO ELÉCTRICO ENTRE LOS IONES ES EQUIVALENTE A UNA DIFERENCIA
DE POTENCIAL LLAMADA:

A 25°C LA BARRERA DE POTENCIAL DEL GERMANIO ES APROXIMADAMENTE DE:

UNA RESISTENCIA ORDINARIA ES UN DISPOSITIVO _________________ POR QUE
LA GRÁFICA DE SU CORRIENTE EN FUNCIÓN DE SU TENSIÓN ES UNA LÍNEA
RECTA.

UN DIODO, ES UN DISPOSITIVO:

EN EL SÍMBOLO ELÉCTRICO DE UN DIODO, ES COMO SE LE LLAMA AL LADO "P":

EN EL SÍMBOLO ELÉCTRICO DE UN DIODO, ES COMO SE LE LLAMA AL LADO "N":

EN LA ZONA DIRECTA, ES LA TENSIÓN A PARTIR DE LA CUAL LA CORRIENTE
EMPIEZA A INCREMENTARSE RÁPIDAMENTE:

LA TENSIÓN UMBRAL DE UN DIODO ES IGUAL A:

DESPUÉS DE SUPERADA LA BARRERA DE POTENCIAL, LO ÚNICO QUE SE OPONE
A LA CORRIENTE, ES LA SUMA DE LAS RESISTENCIAS ÓHMICAS DE LAS ZONAS P
Y N, DENOMINADA

NORMALMENTE LA RESISTENCIA INTERNA DE LOS DIODOS, ES

INDICA CUÁNTA POTENCIA PUEDE DISIPAR EL DIODO SIN PELIGRO DE ACORTAR
SU VIDA NI DEGRADAR SUS PROPIEDADES:

ES CÓMO SE COMPORTA UN DIODO CUANDO TIENE POLARIZACIÓN DIRECTA:

ES CÓMO SE COMPORTA UN DIODO CUANDO TIENE POLARIZACIÓN INVERSA:

EL DIODO IDEAL, ES GENERALMENTE ADECUADO PARA:

ES LA APROXIMACIÓN DEL DIODO QUE NECESITAMOS, CUANDO SE REQUIERE UN
VALOR MÁS EXACTO PARA LA CORRIENTE Y LA TENSIÓN EN LA CARGA:

ES EL APARATO DE MEDICIÓN QUE SE UTILIZA PARA AVERIGUAR EL ESTADO DE
UN DIODO:

ES EL ESTADO DEL DIODO CUANDO SU RESISTENCIA ES EXTREMADAMENTE
PEQUEÑA EN AMBAS DIRECCIONES:

ES EL ESTADO DEL DIODO CUANDO SU RESISTENCIA ES MUY ELEVADA EN
AMBAS DIRECCIONES:

ES EL ESTADO DEL DIODO CUANDO SU RESISTENCIA ES ALGO BAJA EN LA
DIRECCIÓN INVERSA:

ES UNA HERRAMIENTA EMPLEADA PARA HALLAR EL VALOR EXACTO DE LA
CORRIENTE Y LA TENSIÓN DEL DIODO:

ES EL PUNTO DE INTERSECCIÓN DE LA RECTA DE CARGA Y LA CURVA DE UN
DIODO:

EL PUNTO "Q" , ES UNA ABREVIACIÓN DE QUIESCENT QUE SIGNIFICA:

SON LOS DOS ESTILOS BÁSICOS DE MONTAJE DE SUPERFICIE

TIPO DE ENCAPSULADO QUE TIENE DOS BORNAS DOBLADAS EN "L" Y UNA BANDA
COLOREADA EN UN EXTREMO DEL CUERPO PARA INDICAR LA BORNA
CORRESPONDIENTE AL CÁTODO:

ES UN DIODO DE SILICIO QUE ES DISEÑADO PARA QUE FUNCIONE EN LA ZONA DE
RUPTURA

ES EL NOMBRE CON QUE TAMBIÉN SE LE CONOCE AL DIODO ZENER:

ÉSTE COMPONENTE ELECTRÓNICO,ES
LA
PARTE
ESENCIAL
DE
LOS
REGULADORES DE TENSIÓN:

EN UN DIODO ZENER, ES COMO SE LE CONOCE A LA RESISTENCIA INTERNA DE
LA ZONA INVERSA:

TIPO DE DIODO,QUE MANTIENE LA TENSIÓN CONSTANTE ENTRE SUS
TERMINALES, INCLUSO CUANDO LA CORRIENTE SUFRA CAMBIOS:

PARA TRABAJAR EN _______________, LA TENSIÓN DE LA FUENTE DEBE SER
MAYOR QUE LA TENSIÓN DE RUPTURA, SIEMPRE SE EMPLEA UNA RESISTENCIA
EN SERIE PARA LIMITAR LA CORRIENTE A UN VALOR MENOR DE SU LIMITACIÓN
MÁXIMA DE CORRIENTE.

EN LA APROXIMACIÓN IDEAL, TEÓRICAMENTE EL DIODO ZENER AL FUNCIONAR
EN LA ZONA DE RUPTURA, SE COMPORTA COMO:

EN UN DIODO ZENER, CUÁNDO LA FUERZA DEL CAMPO ALCANZA
APROXIMADAMENTE 300000 V/CM, EL CAMPO ES LO SUFICIENTEMENTE INTENSO
PARA EMPUJAR A LOS ELECTRONES FUERA DE SUS ORBITALES DE VALENCIA. LA
CREACIÓN DE ELECTRONES LIBRES DE ESTA FORMA SE CONOCE COMO:

EN UN DIODO ZENER, ES EL CAMBIO EN LA TENSIÓN DE RUPTURA POR CADA
GRADO QUE AUMENTA LA TEMPERATURA:

EN UN DIODO ZENER, ÉSTA ES IGUAL AL PRODUCTO DE SU TENSIÓN POR SU
CORRIENTE:

ES EL NOMBRE CON QUE TAMBIÉN SE LE CONOCE A LA RESISTENCIA ZENER:

EN LA HOJA CARACTERÍSTICA DE UN DIODO ZENER, ES EL PARÁMETRO QUE
INDICA CUANTO HAY QUE REDUCIR LA LIMITACIÓN DE POTENCIA DE UN
DISPOSITIVO:

ES LA TECNOLOGÍA QUE COMBINA LA ÓPTICA CON LA ELECTRÓNICA:

SON LOS ELEMENTOS PARA LA FABRICACIÓN DE LOS DIODOS LEDS:

LA LUMINOSIDAD DE UN LED, DEPENDE DE:

ES LA CAÍDA DE TENSIÓN TÍPICA EN LA MAYORÍA DE LOS LEDS DISPONIBLES
COMERCIALMENTE, PARA UNA CORRIENTE QUE FLUCTÚA ENTRE 10 Y 50 MA:

ES LA TENSIÓN DE RUPTURA TÍPICA DE UN DIODO LED:

EN UN INDICADOR DE SIETE SEGMENTOS, ES EL DIGITO QUE SE FORMA AL
LLEVAR A MASA LOS SEGMENTOS "A" "B" Y "C":

DIODO CUYA SENSIBILIDAD A LA LUZ ES MÁXIMA:

EN UN FOTODIODO, LA CORRIENTE INVERSA A MEDIDA QUE LA LUZ SE HACE
MÁS INTENSA, OCURRE QUE:

NOMBRE CON QUE SE LE CONOCE AL OPTOACOPLADOR

ES EL DISPOSITIVO QUE SE FORMA COMBINANDO UN LED Y UN FOTODIODO EN
UN SÓLO ENCAPSULADO

ES LA VENTAJA FUNDAMENTAL DE UN OPTOACOPLADOR, ENTRE LOS CIRCUITOS
DE ENTRADA Y SALIDA:

ES UN DISPOSITIVO QUE PUEDE ACOPLAR UNA SEÑAL DE ENTRADA CON EL
CIRCUITO DE SALIDA, OBTENIENDO UNA RESISTENCIA DE AISLAMIENTO ENTRE
LOS DOS CIRCUITOS DEL ORDEN DE MILES DE MO:

ES UN DISPOSITIVO QUE PRODUCE LUZ COHERENTE, LO QUE SIGNIFICA QUE
TODAS LAS ONDAS LUMINOSAS ESTÁN EN FASE ENTRE SÍ

SON DIODOS CAPACES DE CONMUTAR LO SUFICIENTEMENTE RÁPIDO COMO
PARA PRODUCIR UNA SEÑAL DE MEDIA ONDA BIEN DEFINIDA:

ÉSTE TIPO DE DIODO, USA UN METAL COMO EL ORO, PLATA O EL PLATINO EN UN
LADO DE LA UNIÓN Y SILICIO DOPADO EN EL OTRO:

EL METAL A UN LADO DE LA UNIÓN PROVOCA QUE EL DIODO SCHOTTKY NO
TENGA _________________, Y DICHA CARENCIA SIGNIFICA QUE NO HAY CARGAS
ALMACENADAS EN LA UNIÓN.

DE ACUERDO A LA AUSENCIA DE ALMACENAMIENTO DE CARGA, IMPLICA QUE EL
TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSA DE UN DIODO SCHOTTKY ES:

LAS APLICACIONES MÁS IMPORTANTES DEL DIODO SCHOTTKY SE HALLAN EN:

ES LA BARRERA DE POTENCIAL DE UN DIODO SCHOTTKY EN POLARIZACIÓN
DIRECTA:

ES UN DISPOSITIVO TAMBIÉN LLAMADO CONDENSADOR CONTROLADO POR
TENSIÓN, EPICAP Y DIODO DE SINTONÍA:

ÉSTE DISPOSITIVO SE UTILIZA MUCHO EN RECEPTORES DE TELEVISIÓN, FM Y
OTROS CIRCUITOS DE COMUNICACIÓN, PORQUE SE PUEDEN EMPLEAR PARA
SINTONIZACIÓN ELECTRÓNICA

EN UN VARICAP COMO LA ZONA DE DEPLEXIÓN SE ENSANCHA, CUANDO LA
TENSIÓN INVERSA AUMENTA, ES LO SUCEDE CON LA CAPACIDAD:

LA CAPACIDAD DE UN VARICAP, ESTÁ CONTROLADA POR:

ES CÓMO DEBE CONECTARSE UN VARICAP CON UNA INDUCTANCIA PARA
OBTENER UN CIRCUITO RESONANTE

EL INTERVALO DE SINTONÍA DE UN VARICAP, DEPENDE DE:

ES LA UNIÓN QUE DEBE TENER UN VARICAP PARA OBTENER INTERVALOS DE
SINTONÍA MÁS INTENSOS

EL INTERVALO DE SINTONÍA DE UN VARICAP HIPERABRUPTO APROXIMADAMENTE
ES DE:

SON CAÍDAS DE TENSIÓN BRUSCAS QUE DURAN MICROSEGUNDOS O MENOS:

SON SOBRETENSIONES DE DURACIÓN MUY CORTA DE HASTA 2,000V O MÁS:

ES UNO DE LOS DISPOSITIVOS EMPLEADOS PARA EL FILTRADO DE LA LÍNEA DE
ALIMENTACIÓN:

ES EL DISPOSITIVO ELECTRÓNICO QUE TAMBIÉN ES LLAMADO SUPRESOR DE
TRANSITORIOS

ÉSTE DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR EQUIVALE A DOS DIODOS ZENER
OPUESTOS CON UNA GRAN TENSIÓN DE RUPTURA EN AMBAS DIRECCIONES:

ÉSTOS DISPOSITIVOS SE ENCUENTRAN COMERCIALMENTE CON TENSIONES DE
RUPTURA ENTRE 10 Y 1000V Y PUEDEN MANEJAR CORRIENTES TRANSITORIAS
DE PICO DE CIENTOS O MILES DE AMPERIOS:

ÉSTOS DIODOS FUNCIONAN DE FORMA OPUESTA A LOS DIODOS ZENER. EN VEZ
DE MANTENER CONSTANTE LA TENSIÓN, HACEN QUE LA CORRIENTE SEA
CONSTANTE:

ÉSTE DISPOSITIVO MANTIENE LA CORRIENTE QUE CIRCULA A TRAVÉS DE ÉL, EN
UN VALOR FIJO, INCLUSO CUANDO VARIÉ LA TENSIÓN APLICADA:

ES EL OTRO NOMBRE CON QUE SE LE CONOCE A LOS DIODOS DE CORRIENTE
CONSTANTE:

ES EL OTRO NOMBRE CON QUE SE LO CONOCE AL DIODO DE RECUPERACIÓN EN
ESCALÓN:

ES EL INVENTOR DEL PRIMER TRANSISTOR DE UNIÓN:

SON LAS ZONAS DE DOPAJE DE UN TRANSISTOR BIPOLAR:

ES LA ZONA QUE SE ENCUENTRA FUERTEMENTE DOPADA, EN UN TRANSISTOR
BIPOLAR:

ES LA ZONA SE ENCUENTRA LIGERAMENTE DOPADA, EN UN TRANSISTOR
BIPOLAR:

ES LA ZONA QUE SE ENCUENTRA EN UN NIVEL DE DOPAJE INTERMEDIO, EN UN
TRANSISTOR BIPOLAR