Área de operación segura (SOA): Son un
método conveniente de valores máximos a
los que puede ser sometido un BJT.
El área de operación segura esta
limitada por la ruptura secundaria
Un fallo común es el denominado Ruptura
Secundaria la cual es una caída en picada de
la tensión de colector emisor con grandes
corrientes del colector.
Para el apagado del BJT pasar de un estado activo a uno
pasivo se retira toda la carga almacenada en el transistor, se
logra esto reduciendo la corriente de base cerca de cero.
Para el encendido del BJT, pasar de un estado
pasivo a uno activo se debe suministrar una
carga al transistor.
Casi todas las perdidas de potencia ocurren
cuando el transistor se encuentra en
estado activo.
Su curva característica es
similar a su contrparte de baja
potencia exeptuando por la
zona de cuasisaturación.
En cuasisaturación la region de arrastre no
se encuentra en completo cortocircuito por
lo que la disipación de potencia es mayor
que en la zona de saturación severa
Su simbología es
similar a la usada en
BJT de baja potencia
Tiene 3 terminales: colector, base y
emisor.
Puede tener una
estructura pnp
Puede tener una
estructura npn.
Estructura vertical de cuatro capas de
dopaje alternando entre "p" y "n" de
diferente espesor según las necesidades
Estructura sustancialmente
diferente a los BJT de baja
potencia