5808542
Description
Mind Map by Fernando Cuertas Garzon, updated more than 1 year ago
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Created by Fernando Cuertas Garzon
almost 8 years ago
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Tipos y
simbolos
- Transistor de contacto puntual
- Fue el primer transistTransistor de contacto puntual or capaz de obtener ganancia,Consta de
una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación
cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan , dos punas metálicas que constituyen el emisor
y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector.
- Fue el primer transistTransistor de contacto puntual or capaz de obtener ganancia,Consta de
una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación
cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan , dos punas metálicas que constituyen el emisor
y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector.
- Transistor de efecto de campo
- (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo
forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En
los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así
un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica
- (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo
forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En
los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así
un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica
- Transistor de union bipolar
- BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o
Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores
como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en
forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando
formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la
zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
- BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o
Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores
como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en
forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando
formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la
zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
- Fototransistores
- Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en
frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente
puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en
esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que puede trabajar de 2
maneras diferentes: • Como un transistor normal con la corriente de base
(IB) (modo común) • Como fototransistor, cuando la luz que incide en este
elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).
- Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en
frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente
puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en
esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que puede trabajar de 2
maneras diferentes: • Como un transistor normal con la corriente de base
(IB) (modo común) • Como fototransistor, cuando la luz que incide en este
elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).
- CONFIGURACIONES
- POLARIZACIÓN
- Una polarización correcta permite el
funcionamiento de este componente.
No es lo mismo polarizar un
transistor NPN que PNP.
- Generalmente podemos
decir que la unión base -
emisor se polariza
directamente a la entrada
y la unión base - colector
inversamente. a la salida
- Generalmente podemos
decir que la unión base -
emisor se polariza
directamente a la entrada
y la unión base - colector
inversamente. a la salida
- Una polarización correcta permite el
funcionamiento de este componente.
No es lo mismo polarizar un
transistor NPN que PNP.
- POLARIZACIÓN
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