Mosfet de potencia

Ronald Morejon
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Mosfet de potencia
1 Estructura basica
1.1 consta de una estructura de orientación vertical del dopaje alterno de tipo p y tipo n.
2 Caracteristicas I-V
2.1 MOSFET de modo de intensificación de canal
3 Dispositivo normalmente apagado,y se enciende por la aplicacion de una tencion de compuerta fuente
3.1 Induce una capa de inversión en la zona del canal MOSFET que pone en cortocircuito el drenaje de la fuente
4 Se enciende y se apaga muy rapido
4.1 dispositivo de portadores mayoritarios y no hay carga que deba retirarse de el
5 Las perdidas en estado activo suben mucho mas rapido
5.1 con la tencion de bloqueo especificada que las de un BJT.
6 Su resistencia en estado activo tiene un coeficiente de temperatura positivo
6.1 Facilmente se puede conectar en paralelo para una mayor capacidad de manejo de corrientes
7 El AOS de un MOSFET para aplicaciones de modo conmutado es grande porque no esta sujeto a rupturas secundarias.
8 Tiene un BJT parasito en su estructura que puede bloquearse en estado activo en circunstancias extremas
9 Un AOS grande del MOSFET significa que , no se necesitan circuitos de amortiguadores para el dispositivo .
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