Karteikarten
Ohne Titel
Karten in diesem Stapel (10)
- 1Transistores MOSFETDispositivo llamado transistor de efecto de campo de metaloxido-semiconductor, también llamados dispositivos MOS
- 2Dispositivo semiconductor hipotéticoConsiste en una placa conductora (metal), un aislante ("dieléctrico") y una pieza dopada de silicio. Dicha estructura funciona como un condensador porque
el silicio tipo "p" es algo conductor, "y refleja cualquier carga depositada en la parte superior
plato. - 3Funcionamiento como condensadorLa carga positiva se coloca en la placa superior, atrae carga negativa, por ejemplo, electrones, de la pieza
de silicio. (Aunque está dopado con aceptores, el silicio tipo "p" contiene un pequeño número de electrones.) Por lo tanto, observamos que un "canal" de electrones libres puede ser creado en la interfaz entre el aislante y la pieza de silicio, potencialmente sirviendo
como un buen camino conductor si la densidad de electrones es suficientemente alta.
El punto clave aquí es
que la densidad de electrones en el canal varía con V1, como se desprende de
Q = CV, donde
"C" denota la capacitancia entre las dos placas.
- 4Flujo de corriente como resultado del diferencial de potencial.Una corriente fluye de izquierda a derecha a través del silicio, en V1 se puede controlar la corriente ajustando la resistividad del canal. Esto servirá para construir una fuente de corriente controlada por voltaje.
- 5Structure of MOSFETEl dispositivo es simétrico
con respecto a S (fuente) y D (drenaje); es decir, dependiendo de los voltajes aplicados al dispositivo, cualquiera de estos dos terminales puede drenar los portadores de carga del otro.
- 6Vista Lateral MOSFETSimbolo del circuito
- 7Dimensiones típicas de los MOSFETMOSFET with gate voltage
- 8Formation of depletion regionFormation of channel.
- 9MOSFET con voltajes de compuerta y drenajeID-VG
- 10ID-VDID-VD características para varios voltajes de puerta.
Informationen
- Beschreibung
- Karteikarten am Ohne Titel, erstellt von Daniela Rodríguez Villamizar am 06/05/2020.
- Erstellt von
- Daniela Rodríguez Villamizar
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