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Flussdiagramm

IMPERFECCIÓNES EN LOS ARREGLOS ATOMICOS Y IÓNICOS.

Esteban Romero González Spanisch

Inhalt des Flussdiagramms

  1. IMPERFECCIÓNES EN LOS ARREGLOS ATÓMICOS Y ÓRGANICOS.

  2. Primera imperfeción consta de.

  3. Segunda imperfección.

  4. Defectos puntuales.

  5. Son.

  6. Imperfecciónes como las vacancias.

  7. Que normalmente están en.

  8. Un sitio en algunos casos, en muy pocos sitios

  9. También llamadas

  10. Ubicados en

  11. Un cristal

  12. Alteraciónes

  13. Donde en ella

  14. Afecta una región

  15. Donde

  16. Intervienen varios átomos o iones

  17. Dividido en

  18. Caso normal, impurezas

  19. Elementos o compuestos dopantes

  20. Son

  21. Son

  22. Elementos o compuestos que llegan a un material

  23. Elementos o compuestos que se agregan intencionalmente

  24. Originados frecuentemente en

  25. El procesamiento o en las materias primas

  26. Teniendo un efecto

  27. Perjudicial sobre la propiedad o el procesamiento de un mterial

  28. Por ejemplo

  29. Los cristales de silicio

  30. Que crecen en

  31. Crisoles de cuarzo

  32. Los cuales contienen

  33. Oxigeno como impurezas

  34. Concentraciones conocidas

  35. En

  36. Las cuales aparecen en

  37. Lugares específicos, dentro de la microestructura

  38. Esto para

  39. Mejorar las propiedades u el procesamiento de un material

  40. Ejemplo

  41. El fósforo, el boro

  42. Esto para

  43. Mejorar las propiedades eléctricas del Silicio

  44. Ambos implican

  45. Defectos extendidos

  46. Son

  47. Defectos en los que toma parte (átomos iónes)

  48. Y que por consiguiente

  49. Se presentan en volumen finito del material cristalino

  50. Partiendo a

  51. Una vacancia

  52. Que es

  53. Un átomo o ión que falta en un sitio cristalografico noormal

  54. Que se introducen en

  55. Los metales y aleaciones durante la solidificación

  56. Vacancias de ceramicos

  57. Se presentan en fabricación de capacitores

  58. Llamado

  59. Sinterizado

  60. Que es

  61. Un proceso de deformación de una masa densa

  62. Mediante

  63. El calentamiento de polvos compactos

  64. Conduciendonos a

  65. Defectos intersticiales

  66. Que son

  67. Defectos sustituciónales

  68. Defectos puntuales

  69. Se introduce a

  70. Defecto puntual que se produce cuando un átomo entra al cristal

  71. En un punto que

  72. No es un punto de red

  73. Dentro de ellos los

  74. Semiconductores intrincecos

  75. Que son

  76. Semiconductores extrincecos

  77. Que son

  78. Semiconductores que contienen dopantes e impurezas

  79. Semiconductores que contienen dopantes

  80. Que se producen

  81. Al quitar un átomo de un punto de red normal y sustituido por un átomo diferente

  82. A través de estos se da la

  83. Semiconductividad tipo n

  84. Que es un

  85. Semiconductor dopado

  86. Con elementos que

  87. Donan o ceden electrones

  88. Semiconductor tipo P

  89. Que es un

  90. Semiconductor dopado

  91. Con elementos que

  92. Aceptan electrones

  93. Ejemplo

  94. Si es dopado con B

  95. Otros defectos puntuales son

  96. Intersticialidad

  97. Defectos de Frenkel

  98. Defectos de Scottky

  99. Que es un

  100. Son

  101. es un

  102. Defecto puntual

  103. causado cuando

  104. Un átomo normal ocupa un sitio intersticial en el cristal

  105. Por defectos puntuales

  106. producidos cuando

  107. Se mueve cuando un ion para crear un sitio intersticial y deja otras unas vacancias

  108. Defecto puntual en matríales con enlazamiento iónico

  109. para mantener una

  110. Carga neutral

  111. la cual forma

  112. la cantidad estequiometrica de vacaqncia de cation y anion

  113. para su calculo estos son

  114. Notacion de Kroger-Vink

  115. Dislocaciones

  116. son

  117. Imperfecciones lineales en un material cristalino

  118. divisiones en ejemplificaciones

  119. Dicho proceso se relaciona con

  120. disloacaciónes de tornillo

  121. Dislocaciones de borde o arista

  122. Dislocacion mixta

  123. es una

  124. es una

  125. es una

  126. Dislocación producida torciendo un cristal

  127. Un plano atómico produce una rampa en espiral en torno a la dislocación

  128. De tal modo que

  129. En vector de Burgers B

  130. Es la

  131. Dirección o distancia en que se mueve una dislocación en cada etapa

  132. También llamado

  133. Vector de deslizamiento

  134. Dislocación que se introduce en el cristal

  135. Agregando

  136. Un semi-plano adicional de átomos

  137. Dislocación que contiene en parte componentes de borde y en partes componentes de tornillo

  138. Relacionado con el proceso de

  139. Deslizamiento

  140. Que es una

  141. Deformación de material metálico

  142. Causado por

  143. El movimiento de dislocaciones en cristal

  144. Llevandonos a una

  145. Dirección de deslizamiento

  146. Que es una

  147. Dirección en la que se mueve la dislocación

  148. La cual

  149. Es igual la dirección del vector de Burgers

  150. Formando un plano llamado

  151. Plano de deslizamiento

  152. Que es un

  153. Plano recorrido por la linea de dislocación durante el deslizamiento

  154. Normalmente este es un

  155. Plano de deslizamiento u empaquetamiento compacto

  156. La combinación y el plano dan resultado a un

  157. Sistema de deslizamiento

  158. Que es una

  159. Combinación de plano deslizamiento y de la dirección de deslisamiento

  160. Durante el deslizamiento se da

  161. Un esfuerzo requerido

  162. Llamado

  163. Esfuerzo de Pierls-Nabarro

  164. Importancia de las dislocaciones

  165. son

  166. La deformación plastíca

  167. es una

  168. Deformación o cambio de forma irreversible

  169. presente cuando

  170. Se retira la fuerza o el esfuerzo que causo.

  171. la deformación elastica

  172. es una

  173. Deformacion que desaparece solamente cuando se elimina el esfuerzo que la produce

  174. presentes en materiales como

  175. La densidad de dislocaciones

  176. Que es

  177. La longitud total de las lineas de dislocación

  178. Medido en

  179. Cm3 en los materiales

  180. Relacionado con el comportamiento de todo el material

  181. Ley de Schmid

  182. Que es una

  183. Relación entre el esfuerzo cortante el esfuerzo aplicado y la orientación del sistema de deslizamiento

  184. Para romper suficiente cantidad de enlaces metálicos

  185. Es el esfuerzo cortante critico resuelto

  186. Que es

  187. Un esfuerzo cortante para que una dislocación se mueva y causar deslizamiento

  188. Dando como resultado

  189. El deslizamiento crusado

  190. Que es

  191. Cambio en los sistemas de una dislocación

  192. Sus defectos son

  193. Imperfecciónes

  194. Como

  195. Limites de grano

  196. Que es un

  197. Defecto de la superfice

  198. Que lo representan

  199. El limite entre dos granos

  200. Que forman

  201. Nube un plano bidimensional

    dentro

  202. Formando un

  203. Grano

  204. Que es

  205. Uno de los cristales presentes en un material policristalino

  206. Nos conllevo a

  207. La ecuación de Hallpetch

  208. Que es la relación

  209. Entre la resistencia de cadencia y el tamaño de un grano en un material metálico

  210. Relacionado con las propiedades microestructurales llamado

  211. Metalografía

  212. Es un

  213. Tipo de preparación de material metálico muestral

  214. Mediante

  215. Un polímero

  216. Para observar los limites de grano existe una técnica llamada

  217. Ataque térmica

  218. Que es

  219. Una técnica para observar microestructuras

  220. Para especifícar el tamaño de grano existe

  221. Número de tamaño de grano ASTM

  222. Midiendo el material cristalino

  223. Grano por pulgada cuadrada por 100

  224. Describiendo microestructuras

  225. Del análisis de imagen

  226. Es una

  227. Técnica cuantitativa acerca del tamaño forma de granos

  228. Como conjunto de dislocaciónes

  229. Limite de grano de angulo pequeño

  230. Es un

  231. Conjunto de dislocaciones causado por una pequeña desorientación en el cristal

  232. En conjunto con las

  233. Limitantes inclinados

  234. Es

  235. Limite de angulo de grano pequeño formado por dislocaciones de borde

  236. También presentes las

  237. Fallas de apilamiento

  238. Es un

  239. Defecto en la superficie en metales FFC

  240. Causado por

  241. Una secuencia incorrecta

  242. De

  243. Apilamiento de empaquetamiento compacto

  244. Ocurriendo orientaciones llamadas

  245. Limite de Macla

  246. Es

  247. Una mala desorientación especular de la estructura cristalina que se mueven y causan deformaciones

  248. En la cual están desarrollando una polarización conocida como

  249. Limites de dominio

  250. Dentro de este

  251. Materiales ferro eléctricos

  252. Que es un

  253. Material dieléctrico con polarización espontanea irreversible

  254. De la misma familia de los

  255. Ferromagnéticos

  256. Que son

  257. Los que causan una magnetización espontanea irreversible

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Flussdiagramm am IMPERFECCIÓNES EN LOS ARREGLOS ATOMICOS Y IÓNICOS., erstellt von Esteban Romero González am 13/03/2018.
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