Diodo Semiconductor

Diodo Semiconductor

1. aplicaciones demasiado numerosas de mencionar, se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p

2. Sin polarización aplicada (V 0 V)

   • dos materiales se “unen”, los electrones y los huecos en la región de la unión se combinan y provocan una carencia de portadores libres en la región próxima a la unión
   • Esta región de iones positivos y negativos revelados se llama región de “empobrecimiento”, debido a la disminución de portadores libres en la región.
   • Polarización
     • El término polarización se refiere a la aplicación de un voltaje externo a través de las dos terminales del dispositivo para extraer una respuesta.
   • Sin ninguna polarización aplicada a través de un diodo semiconductor, el flujo neto de carga en una dirección es cero.

3. Condición de polarización en inversa (VD<0 V)

   • se aplica un potencial externo de V volts a través de la unión p-n con la terminal positiva conectada al material tipo n y la negativa conectada al material tipo p
   • La corriente en condiciones de polarización en inversa se llama corriente de saturación en inversa y está representada por Is
   • Saturación
     • se deriva del hecho de que alcanza su nivel máximo con rapidez y que no cambia de manera significativa con los incrementos en el potencial de polarización en inversa

4. Condición de polarización en directa (VD>0 V)

   • se establece aplicando el potencial positivo al material tipo p y el potencial negativo al tipo n
   • "Encendido"
   • “presionará” a los electrones en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los iones próximos al límite y reducirá el ancho de la región
   • Hay una correspondencia directa entre el área de contacto en la unión y el nivel de corriente de saturación en inversa.

5. Región Zener

   • El potencial de polarización en inversa que produce este cambio dramático de las características se llama potencial Zener y su símbolo es VZ.
     • El máximo potencial de polarización en inversa que se puede aplicar antes de entrar a la región Zener se llama voltaje inverso pico (conocido como valor PIV) o voltaje de reversa pico (denotado como valor PRV).
   • se incrementa el voltaje a través del diodo, se incrementará la velocidad de los portadores minoritarios.
     • A una temperatura fija, la corriente de saturación en inversa de un diodo se incrementa con un incremento de la polarización en inversa aplicada.

6. Ge, Si y GaAs

   • El germanio es el más cercano al eje vertical y el GaAs es el más distante.
     • En la región de polarización en inversa la corriente de saturación en inversa de un diodo de silicio se duplica por cada 10°C de aumento de la temperatura.
     • El voltaje de saturación en inversa de un diodo semiconductor se incrementará o reducirá con la temperatura según el potencial Zener.

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