GoConqr hat ein neues Design! Sag uns, wie es dir gefällt.

Mindmap

WEH Themenübersicht (Metalle)

Sina S WEH Deutsch

Inhalt der Mindmap

WEH Themenübersicht (Metalle)

  1. 1. Grundlagen der Werkstoffkunde

    • 1.1 Werkstoffeigenschaften
      • Physikalisch
      • Technologisch
      • Chemisch
    • 1.2 Werkstoffe
      • Metalle
      • Nichtmetalle
        • Organisch
        • Anorganisch
    • 1.3 Atomaufau
      • Massenzahl A
      • Atom=Atokern+Atomhülle
      • Neutron/Elektron/Proton
      • Ordnungszahl Z (Protonen+Neutronen)
    • 1.4 Größen der Elementarteilchen
      • Masen von P/N und E
      • Atomdurchmesser
        • 50-250pm = 0,5-2,5 A°
        • eines Atomkerns c.a 10^-15m
    • 1.5 Massendefekt/Kernbindungsenergie
      • Massendefekt B
      • Kernbindungsenergie E=m*c^2
  2. 2. Atomaufbau (Schalen eines Atoms)

    • 2.1 Bohrsche Postulate
      • 1. e nur auf bestimmten Bahnen
        • En~1/n
      • 2. Postulat
        • Lichtquant: deltaE=Em-En=h*f
    • 2.2 Quantenzahlen
    • 2.3 Pauli-Prinzip
      • jedes e hat eigene Energie
    • 2.4 Max. Schalenbesetzung z
      • Z=2n^2
    • 2.5 Verteilung der e auf Elektronenniveaus
    • 2.6 Das Periodensystem
      • Perioden
        • Alle Elemente einer Periode (horizontal) haben gleiche Hauptquantenzahl n
      • Gruppen
        • Alle Elemente (vertikal) haben ähnliches chemisches Verhalten
        • Zahl der Valenzelektr. ergibt sich aus Nr. Der Gruppe (nur in Hauptgruppe)
    • 2.7 Periodizität (Ionisierungearbeit)
      • W für das Entfernen eines äußeren e
    • 2.8 Einteilung der Elemente auf der Erde
      • 85 Metalle 16 Nichtmetalle 10 Halbleiter
    • 2.9 Daten aus dem Periodensystem
      • Relative Atommasse Ar
        • Ordnungszahl
      • Atommasse mAtom
        • mAtom=u*Ar
      • Avogadrokonstante
        • NA=(12g)/(1u*Ar)= 6,022*10^23 (1/mol)
      • Molmasse m
        • 1 Mol=6,022*10^23 Moleküle Bzw. Atome
      • Atomare Masseneinheit u (Unit)
        • 1u=1,66*10^-24g
    • 2.10 Anwendungen in Halbleitern: Hoch Integrierte Schaltungen
      • Breite des Gates eines Transistors
        • d=22-45 nm
        • Vergleich : dHaar=50m *10^-6
        • Vergleich: dAtom=10^-10 (1Å)
        • Atome im Gate: c.a 200 nebeneinander
  3. 3. Strahlungsenission

    • 3.1 Wiederholung: Bohrsche Postulate
      • 1. En~(1/n^2)
      • 2. deltaE=h*f
    • 3.2 Energie-/Termschema eines Wasserstoffatoms
    • 3.3 Anregung von Elektronen und Strahlungsemission
      • Thermische Anregung
      • Fotoanregung
      • Elektrische Anregung
      • Frequenzspektrum
        • Sichtbares Spekteum: c.a 380-750nm
        • Ultraviolett: nicht sichtbar Infrarot: Wärme
    • 3.4. Energiebändermodell
      • Leitungsband LB
      • Valenzband VB
      • Verbotene Zone Wi
      • Bindungsenergie in innerster Schale am stärksten, in äußerster am schwächsten
      • Auffächerung der Energienievaus wegen Wechselwirkung zw. e (Pauli P.)
    • 3.5 Isolatoren, Halbleiter, Leiter
      • Isolator
        • -große Verbotene Zone
      • Halbleiter
        • Kleinere verbotene Zone
      • Leiter
        • Keine verbotene Zone
  4. 4. Bindungsarten

    • 4.1 Valenztheorie/ Oktetttheorie
      • Bestreben: e-Hülle soll Zustand der geringsten freien Energie haben
        • Metalle: geben e ab Nichtmetalle: nehmen e auf
        • Edelgase: haben Oktett (8 Valenzelektr.)
    • 4.2 Ionenbindung
      • Heteropole Bindung
        • Edelgaskonfiguration durch Aufnahme o. Abgabe von e
      • Positives Ion
        • Kation
      • Negatives Ion
        • Anion
    • 4.3 Coulombsche Kraft
      • Anziehungskraft zw. Anionen und Kationen
      • F=(1/4Pieta)*(Q1*Q2/r^2)
    • 4.4 Elektronenpaarbindung
      • Kovalente o. Homöopolare Bindung
        • Bildung von Oktett durch gemeinsame e-Paare
    • 4.5 Van der Waalsche Bindung
      • Dipolbindung
        • Entsteht zw. 2 Atomen mit permanentem o. Induziertem Dipolmoment
        • Bei Kunststoff oder Wassermolekül
    • 4.6 Metallbindung
      • Atome geben Valenzelektr. ab
        • Leitfähigkeit entsteht durch frei bewegliche e
      • BILD s.4
    • 4.7 Anordnung der e im festen Körper
      • Kristallin
        • Atome sind gesetzmäßig angeordet (Eiskristall, Kristallit)
      • Amorph
        • Atome sind regellos angeordnet (Glas, Kunsstoff)
  5. 5. Aufbau fester Körper

    • 5.1 Eigenschften von Werksoffen beruhen auf:
      • chemische Zusammensetzung
      • Bindungsart
      • ihrer Struktur
        • die räumliche Anordnung ihrer Materialteilchen
    • 5.2 Struktur der Werkstoffe
      • amorph
        • BILD S1
        • nur Nahordnung
      • kristallin
        • BILD S1
        • Nah- und Fernordnung
      • Mischform: Polykristallin
        • zb Metalle
    • 5.3 Amorphe Festkörper
      • amorph= gestaltlos
      • Eigenschaften
        • bei Raumtemp.: spröde
        • meist transparent
        • Bruchfläche ist glatt, auch unter Mikroskop keine erkennbare Struktur
        • keinen ausgeprägten Schmelz- oder Erstarrpunkt
        • Bsp: Glas und Kunststoff
        • kein Siedepunkt
      • Makromoleküle (Monomere) bilden Endproduk: Polymere
      • Elektronenpaarbindung
        • Isolatoren
      • Beispiele
        • Thermoplat
          • mittel elastisch
          • BILD S.4
          • lineare Ketten
        • Duroplast
          • fester, stabilder WS
          • BILD S.4
          • räumlich, stark vernetzte Ketten
        • Elastomere
          • elastisch/ gummiartig
          • BILD S.4
          • schwach/ selten vernetze Ketten
    • 5.4 kristalline Festkörper
      • können: Einkristalline,Polychristalline oder Teilkristalline sein
      • Einkristall
        • fester Körper, aus einem Kristall, mit einheitlicher Kristallstruktur
        • Bruchfläche: glatt (strukturlos)
      • Polykristallin
        • besteht aus vielen Kristallen
        • Bruchfläche: körnig
          • Bsp: Metall, Keramik
      • Temperaturverhalten von kristallinen Festkörpern
        • hat im gegensatz zu amorphen Körpern, feste Schhmelz und Siedetemp.
          • Bsp: Eis
        • BILd S.5
    • 5.5 Polykristalline Festkörper
      • die meisten Werkstoffe in der Technik
      • besteht aus vielen kleinen Kristallen
        • Kristallite oder Körner genannt
        • 1mikrom- 1mm
      • Körner sind getrennt durch Korgrezen
      • BILD S.7
  6. 6. Kristallgitter

    • 6.1 Begriffe
      • Elementarzelle
        • Kleinste representative Struktureinheit
      • Gitterparameter (Gitterkonstate)
        • Kantelängen der Elementarzelle (a,b,c)
      • Gittergerade
        • Gerade im Raumgitter, in regelmäßigen Abständen mit Atomen besetzt
      • Gitterebene (Netzebene)
        • In regelmäßigen Abständen mit Atomen besetze Ebene
      • Bild S1
    • 6.2 Kristallsysteme
      • Insgesamt 7
        • Kubisch
        • Hexagonal
      • Kubisch Raumzentriert (krz)
        • z.B. Eisen
          • Mittelharter Werkstoff
          • mittel verformbar
      • Kubisch flächenzentriert (Kfz)
        • Z.B CU oder AL
          • Weiche Werkstoffe
            • Da Atome dicht gepackt sind und gut aneinander gleiten können
          • leicht verformbar
      • Hexagonal dichteste Packung (hdp)
        • Z.B Mg
          • Harter WS
          • schlecht verformbar
      • Packungsdichte
        • kubisch primitiv
          • 52% belegt
        • krz
          • 68%
        • hdp
          • 74%
        • Je dichter die Atome (kleine Lücken), desto schwerer ist der WS verformbar
    • 6.3 Modifikation (Allotropie)
      • Auftreten eines Stoffes in verschiedenen Strukturen
      • 1. Bsp.: Zinn (Sn):
        • T<13° - tetragonales Gitter
        • T>13° - Umwandlung zum Diamantgitter -> Volumenvergrößerung um 25% ->Pulverisierung (Zinnpest)
      • 2. Bsp.: SiO2
        • Quarz/Einkristall - piezoel. Eigenschaften
        • amorph - Glas
      • 3. Bsp.: Eisen- Allotropie
        • BILD S. 5
      • 4. Bsp.: Kohlenstoff
        • C als Graphit
          • Gleit- und Schmiermittel, wegen Struktur
          • Bild S.5 (nur Strutur)
          • el. Leitfähigkeit horizontal 100x größer als vertikal
            • allg. mittlere Leitfähigkeit
            • große Abstände zw. Atomen
            • verschiedene Eigenschaften, abhängig von der Richtung
          • Elektronenpaarbindung
          • 4tes Valenel. fast frei
        • C als Diamant
          • Isolator
            • da keine freien e
          • 4 e
            • Abstände ALLE gleich
          • sehr hart
            • da kein Gleitsystem
          • BILD s5
    • 6.4 Anisotropie
      • Richtungsabhängigkeit von Eigenschaften
        • z.B.: elektr. Leitfähigkeit, mech. Festigkeit, Glanz o. Ätzbarkeit
      • BILD S.6
      • Isotrop
        • Unordnung wiederholt sich
          • amorphe Kunststoffe, Glas, Keramik
      • Quasiisotrop
        • polychrstallin - besteht aus vielen Körnern die anisotrop sind, zusammen sind sie aber isotrop
          • Metalle
    • 6.5 Analytsche Beschreobung des Raumgitters
      • dasMillersche Indiz (x,y,z)
        • Würfelfläche (100)
        • Diagonalfläche (110)
        • Raumdioagonale (111)
        • Bildung: Schnittpunkte mit den Achsen, davon der Kehrwert
        • BILD S.7 oben
      • das Richtungsindiz
        • z.B [111]
        • BILD S7
      • Beispiele in der E-Technik
        • S.8
  7. 7. Reale Kristallstukturen (Gitterbaufehler)

    • 1. Gitter ist in der Natur nie fehlerfrei
      • Immer Gitterbaufehler
        • Leerstellen
        • Versetzungen
        • Fremdeinflüsse
        • Korngrenzen
        • Beeinflussen mech., elektr. und Magnet. Eigenschaften des WS
      • Metalle mit ideale Gitter hätten 100x größere Zugfestigkeit!
    • 2. 0-dimensionaler Fehler (Punktdefekt)

Informationen

Beschreibung
Mindmap auf WEH Themenübersicht (Metalle), erstellt von Sina S auf 14/12/2017.
Erstellt von
Sina S
Aufrufe
32
Bewertung

Feedback

Worum geht es?

Wie gefällt dir das neue Design?

Dein Eindruck