Unidad 2 - Electrónica Digital, 5IM3, Medina Gloria José Alejandro

Beschreibung

Mapa mental sobre el programa sintético de la unidad 2, memorias ROM. Profesor: Marcelino Ramírez Rodríguez. Alumno: Medina Gloria José Alejandro.
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Zusammenfassung der Ressource

Unidad 2 - Electrónica Digital, 5IM3, Medina Gloria José Alejandro
  1. Memoria ROM
    1. Antecedentes de la ROM
      1. La memoria ROM es un tipo de memoria semiconductora,diseñada para retener datos de forma permanente o que cambien con poca frecuencia, por lo general, son programadas al momento de su fabricación.
      2. Arquitectura de la memoria ROM
        1. PROM
          1. La memoria PROM es un PLD en el que las uniones en la matriz de puertas AND es fija, siendo programables las uniones en la matriz de puertas OR.
          2. EPROM
            1. Sus celdas son transistores de puerta flotante,y pueden ser programadas varias veces, sin embargo, no se pueden borrar de forma parcial o selectiva ya que la luz ultravioleta afecta por igual a todas las celdas.
            2. EEPROM
              1. En sus celdas utilizan transistores MOS, aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un millón de veces. Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como I²C, SPI y Microwire. En otras ocasiones, se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez.
            3. Especificaciones técnicas de la ROM
              1. PROM
                1. Una PROM es un sistema combinacional completo que permite realizar cualquier función lógica con las n variables de entrada, ya que dispone de 2n términos productos. Están muy bien adaptadas para aplicaciones tales como: tablas, generadores de caracteres, convertidores de códigos, etc. Generalmente las PROM tienen menos entradas que las PAL y FPLA. Se pueden encontrar PROM con capacidades potencia de 2, que van desde las 32 hasta las 8192 palabras de 4, 8 o 16 bit de ancho
                2. EPROM
                  1. Las EPROMs almacenan bits de datos en celdas formadas a partir de transistores FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) de cargas almacenadas. Los dispositivos EPROM de la familia 2700 contienen celdas de almacenamiento de bits configuradas como bytes direccionables individualmente. Habitualmente esta organización interna suele denominarse como 2K x 8 para el caso de una 2716, 8k x 8 para una 2764.
                  2. EEPROM
                    1. Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioletas. Son memorias no volátiles. Este dispositivo mantiene la misma estructura de la compuerta flotante como la EPROM, pero tiene adicionalmente una capa muy delgada de una región de óxido sobre el drenaje de la celda de memoria MOSFET. Esta modificación produce las mejores características de la EEPROM
                  3. Programación de las memorias ROM
                    1. PROM
                      1. Las memorias PROM son programadas a través de sobre alimentar las celdas deseadas, es decir, quemando un fusible, por lo cual sólo pueden ser programadas una sola vez.
                      2. EPROM
                        1. Éstas memorias se programan a mediante la alimentación de los transistores, es decir, sus celdas. Una vez alimentados permanecen en "1" lógico, es decir, con el dato almacenado hasta que sean borrados mediante luz ultravioleta.
                        2. EEPROM
                          1. Durante una operación de escritura, la circuitería interna automáticamente borra todo de las celdas en una localidad, previa a una escritura de los datos nuevos. La facilidad de borrar bytes hace mucho más fácil hacer cambios en los datos almacenados en este tipo de memoria.
                        3. Operación de lectura.
                          1. PROM
                            1. EPROM y EEPROM
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