Diodo em função da frequência

Diodo em função da frequência

1. Período

   • Tempo que um sinal periódico leva para se repetir

2. Frequência

   • Inverso de T (1/T)
     • Quantas vezes um T ocorre em um segundo

3. Comportamento Interno do Diodo

   • Capacitivo e Indutivo
     • Demora na resposta
       • Oscilação no tempo comprometida
     • Comportamentos Parasitários
   • Dopagem
     • Adiciona impurezas no silício
       • Permitir passagem elétrica
       • ND - Elementos com 5 elétrons na CV
       • NA - Elementos com 3 elétrons na CV
   • Depleção de Cargas Móveis (W)
     • Átomos da camada de Junção são neutros Sem elétrons livres (equilíbrio entre n e p)
   • Interstício de Junção
     • Forma um capacitor
     • Campo Elétrico (E) formado nessa região
     • Naturalmente sem corrente elétrica
     • Tensão Interna ~0.5 V
   • Tensão Externa Inversa
     • Aumenta tensão no E do capacitor
       • Corrente Elétrica mais difícil
       • Diodo Polarizado Inversamente
     • Tensão externa negativa no cátodo (+) e vice versa
   • Is - Pequena Corrente Elétrica no Capacitor
     • Dependa das constantes internas físicas do material silício
   • Tensão Externa Direta
     • Diminui Tensão no E do Capacitor
     • Corrente Elétrica Aumentada
     • Diodo Polarizado Diretamente
   • Fator de Ajuste
     • Idealidade ( 1<= n <= 2)

4. Chave aberta para SC negativo Chave fechada para SC positivo

5. Capacitor

   • Capacitor em paralelo com a chave para correção (Para SC negativos)
   • Capacitor representado pela impedância
   • Para corrigir capacitância parasitária do diodo
   • Frequência → 0 (Baixa) Impedância → ∞ (Alta)
     • Chave aberta
       • Corrente = 0 SaÍda = 0 V
   • Frequência → ∞ (Alta) Impedância → 0 (Baixa)
     • Chave fechada
       • Há corrente e V da saída < = V entrada
     • Pode haver curso com f muito alto
   • Corrente
     • Nd → Impurezas do Ãnodo
     • NA → Impurezas do Cátodo
     • Fator de Ajuste (1 < n < 2)
     • Vd = Vak (Tensão de Junção
     • Área seção da Junção (A)
     • Cargas Móveis (ni)
     • Distância da Junção (L → Â)

6. Estrutura Interna do Diodo

   • 3 Partes de Silício
     • Estrutura Única de Silício
       • Ânodo, Cátodo e Bloco de cristal no centro
       • Semicondutor
     • Maioria dos Diodos
     • Estrutura Atômica
       • Distância entre átomos ~ 5 Â
       • Si = 4 átomos de valência
       • Aquecimento
         • Lacunas
           • Elétrons escapam da camada de valência e ficam livres
             • Corrente elétrica
         • Torna o Silício Condutor
   • Junção pn
     • Parte do diodo onde o cátodo e o ânodo se encontram
       • Cátodo = n Ânodo = p

7. Simulador de Circuíto

   • Usa capacitância (C) e Corrente (I) para modelar comportamento do Diodo
   • Modelo
     • Tensão Externa (VD)
     • R parasitário (<= 1 Ohm)
     • Capacitor Variável
     • Fonte Corrente

8. Diodos Varactores

   • Capacitância Controlada
   • Osciladores Controlados por Tensão (VCOs)
     • Circuito RLC + Diodo Varactor
     • Frequência de Sintonia (Rádio)
       • 12V externa
         • Range FM (98 a 108MHz)
   • Diodo Variável
   • Tensão Direta

9. Diodos DZener

   • Capacitância Controlada
   • Diodo Variável
   • Tensão Inversa
   • Curva logaitmica é uma reta // em Y
     • Tensão cte independente da I
     • Permite modelar o DZener por uma bateria
   • Regulador de Tensão
     • Substituir DZener por Bateria
       • Entrada V oscilante Saída V contínua

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