Transistores

1. 1¿Cuál es el efecto que produce cada una de las siguientes corrientes?

   

   1. ADifusión de electrones de E a B
   2. BDifusión de huecos de B a E
   3. CRecombinación en unión BE
   4. DDifusión de electrones de B a C
   5. ERecombinación en B
   6. FGeneración de portadores de carga
   7. GDifusión de huecos de C a B
2. 2Asocie cada corriente de la figura con su símbolo

   

   1. A\(I_{nE}\)
   2. B\(I_{pE}\)
   3. C\(I_{RE}\)
   4. D\(I_{nC}\)
   5. E\(I_{RB}\)
   6. F\(I_{G}\)
   7. G\(I_{pc0}\)
3. 3Este factor indica qué tan eficiente es el transistor en permitir que los portadores de carga vayan a la base.

   1. AFactor de inyección de portadores en el emisor
   2. BFactor de transporte
   3. CFactor de recombinación
4. 4Este factor explica el por qué se necesita inyectar una corriente de base para reponer las pérdidas

   1. AFactor de inyección de portadores en el emisor
   2. BFactor de transporte
   3. CFactor de recombinación
5. 5La corriente de recombinación relacionada con éste contribuye a la corriente del emisor mas no a la corriente del colector.

   1. AFactor de inyección de portadores en el emisor
   2. BFactor de transporte
   3. CFactor de recombinación
6. 6Factor de inyección de portadores en el emisor [blank_start]\(\gamma\)[blank_end]
   Factor de transporte [blank_start]\(\alpha_T\)[blank_end]
   Factor de [blank_start]rembinación[blank_end] \(\delta\)

   1. A\(\gamma\)
   2. B\(\alpha_T\)
   3. C\(\beta\)
   4. D\(\theta\)
   5. Erecombinación
   6. Fajuste
   7. Gganancia
7. 7El de modo incremental se apaga con un voltaje \(V_{GS}=0\)
   

   1. ARichtig
   2. BFalsch
8. 8Respecto al voltaje aplicado \(V_{GS}\) ¿cuál de las siguientes afirmaciones se cumple para uno de tipo incremental?

   1. AEl voltaje \(V_{GS}\) aplicado agota el canal y detiene la conducción
   2. BEl voltaje \(V_{GS}\) aplicado forma un canal conductor
9. 9En uno de tipo decremental, al aumentar el voltaje \(V_{GS}\) aumenta la corriente formada entre fuente y drenaje

   1. ARichtig
   2. BFalsch
10. 10Seleccione las características de uno que opere en modo incremental

    1. ABueno para conmutación
    2. BCorriente de fuga mayor
    3. CBueno para amplificación
    4. DCorriente de fuga menor

11. 11Respecto al material con el que se fabrica el canal y el sustrato ¿en cual no hay diferencias?

    1. AModo incremental
    2. BModo decremental
12. 12¿Cuál se define como ganancia del transistor de efecto de campo y es expresada como \(g_m=\frac{\partial I_D}{\partial V_{GS}}\)?

    1. ALa transconductancia
    2. BLa conductancia
13. 13En los JFET y MOSFET la saturación indica que la corriente de drenaje no ca a cambiar significativamente por mucho que se varíe el voltaje entre drenaje y fuente

    1. ARichtig
    2. BFalsch
14. 14El MOSFET y el JFET limitan de la misma forma el paso de corriente

    1. ARichtig
    2. BFalsch
15. 15¿Qué efecto tiene la disminución de la capa de óxido de un transistor MOSFET en las siguientes cantidades?
    
    Capacitancia del óxido: [blank_start]Aumenta[blank_end]
    Voltaje de umbral: [blank_start]Disminuye[blank_end]
    Voltaje de banda plana: [blank_start]Disminuye[blank_end]

    1. AAumenta
    2. BDisminuye
    3. CDisminuye
    4. DAumenta
    5. ENo cambia
    6. FDisminuye
    7. GAumenta
    8. HNo cambia
16. 16Etiquete cada figura sobre las situaciones de operación del capacitor MOS acerca de las bandas de energía

    

    1. AAgotamiento
    2. BInversión débil
    3. CInversión fuerte
    4. DInversión en voltaje de umbral
    5. EAcumulación
    6. FBanda plana

Beschreibung

Quiz am Transistores, erstellt von Johan Sebastian Macias Zapata am 26/05/2018.

Autor

Johan Sebastian Macias Zapata

Sprache

Español

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Schlagwörter

viii

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