Quiz
Examen CAN
Fragen in diesem Quiz (129)
1Considerand circuitul Trigger-Schmitt din imagine, care sunt factorii care determina intervalul de histerezis? (alegeti 2 raspunsuri)
- ADIferenta dintre nivelurile superioare si inferioare ale tensiunii de iesire
- BIntrarea Vi setata la 1 logic
- CUtilizarea unui comparator in locul unui amplificator
- DRaportul dintre rezistentele R1 si R2
2Nivelele logice (0,1) ale circuitelor NMOS depind de ... (alegeti 1 raspuns)
- ANumarul de tranzistoare MOS cu canal P sau N
- BNumarul de tranzistoare NMOS
- CTensiunea de alimentare
- DNumarul de surse de tensiune
3In imaginea de mai jos, pentru o valoare a intrarii A echivalenta cu "1" logic si a intrarii I (i mare) echivalenta tot cu "1" logic, tranzistorul Q2 va fi: (alegeti 1 raspuns)
- AIn regiunea de blocare
- BIn regiunea activa normala
- CIn regiunea activa inversa
- DIn regiunea de saturatie
4Se considera circuitul basculant monostabil din imagine realizat cu porti TTL. Selectati afirmatiile corecte. (alegeti 3 raspunsuri)
- AIesirea portii P1 este in starea 0 logic cand E=1 logic si iesirea portii P2 este in starea 0 logic
- BValoarea capacitatii electrice a condensatorului nu influenteaza durata starii instabile
- CPortile TTL nu sunt afectate de semnalelel negative cauzate de functionarea condensatorului datorita diodelor de protectie din structura lor interna
- DPrin incarcarea condensatorului, se atinge tensiunea de prag a portii P2 comutand astfel in starea 1 logic
- ECand iesirea portii P1 este in starea 0 logic, circuitul se afla in stare stabila
- FIesirea portii P2 comuta in starea 1 logic imediat dupa comutarea iesirii portii P1 in starea 1 logic prin incarcarea condensatorului.
5Principalele tipuri de CAN includ: (alegeti 1 raspuns)
- ACAN lucrand in mod paralel (flash)
- BToate celelalte variante
- CCAN cu aproximatii
- DCAN cu simpla rampa
6Pentru stocarea datelor/programului unui microcontroller se poate utiliza, din punct de vedere al componentelor hardware, fie o singura memorie ce contine si date si program, fie doua memorii separate, una pentru date, alta pentru program. Care sunt efectele utilizarii unei singure memorii in loc de doua? (selectati 2 raspunsuri)
- ANecesitatea utilizarii a 2 magistrale separate pentru accesul la memorie
- BCost mai redus al componentelor
- CCresterea consumului de putere al circuitului
- DReducerea dimensiunii circuitului final
7Bifati varianta/variantele corecte, considerand circuitul de mai jos: (alegeti 2 raspunsuri)
- ADiferenta de potential pe fiecare dintre rezistori e aceeasi
- BLa fiecare nod de circuit, curentul se imparte in functie de valoarea rezistorilor
- COriunde am masura, curentul in circuit este acelasi
- DPentru a calcula rezistenta pe intreg circuitul, trebuie sa adunam valorile tuturor rezistorilor
8Pentru a filtra si stabiliza semnalul tensiunii de pe iesirea redresorului cu dubla alternanta avem nevoie de: (alegeti 2 raspunsuri)
- AUn condensator legat in serie cu acesta
- BO dioda zener legată in paralel cu redresorul
- CUn condensator legat in paralel cu acesta
- DNicio varianta nu este corecta
9Procesul de adaugare de impuritati in semiconductoare pentru a schimba comportamentul acestor tipuri de materiale se numeste: (alegeti 1 raspuns)
- AElectroliza
- BOxidare
- CDopare
10Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie DRAM MOS cu un tranzistor? (alegeti 2 raspunsuri)
- AImplementeaza functia de cautare hardware intr-un singur ciclu de ceas
- BNu necesita un ciclu suplimentar de reimprospatare
- CTimpul de acces este mai mare decat in cazul circuitelor SRAM
- DNecesita un ciclu suplimentar de reimprospatare
- ETimpul de acces este mai mic decat in cazul circuitelor SRAM
11Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie DRAM MOS cu un tranzistor? (alegeti 2 raspunsuri)
- ACelulele de memorie nu trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire
- BCelulele de memorie trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire
- CInformatia este stocata in bistabile realizate cu tranzistoare MOS
- DInformatia este stocata intr-un dispozitiv MOS cu stocare de sarcina si poarta flotanta
- EInformatia este stocata in condensatoare
12Se considera ciruitul basculant astabil din imagine. Selectati afirmatiile corecte (alegeti 2 raspunsuri)
- ACircuitul se poate afla doar in stari instabile
- BDescarcarea condensatorului C2 prin tranzistorul Q2 determina scaderea potentialului in baza tranzistorului Q1
- CDescarcarea condensatorului C2 prin tranzistorul Q2 determina cresterea potentialului in baza tranzistorului Q1
- DCircuitul se poate afla in doua stari, una stabila si una instabila
13Cate impulsuri de tact (aproximativ) trebuie sa treaca pentru fiecare bit, in cadrul unei transmisii seriale (e.g. UART), daca se utilizeaza un oscilator de frecventa de 12MHz si se doreste obtinerea unei rate Baud de 115200 biti pe secunda? (selectati 1 raspuns)
- A104
- B115
- C75
- D12
14Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie SRAM CMOS (alegeti 2 raspunsuri)
- AEste o memorie adresabila prin continut
- BEste o memorie nevolatila
- CEste o memorie volatila
- DOperatia de citire nu este distructiva
- EOperatia de citire este distructiva
15La dispozitivele de cautare hardware CAM codificatorul (alegeti 1 raspuns)
- AReturneaza datele din memorie pe baza adresei
- BPrimeste datele cautate si genereaza adresa datelor
- CPrimeste semnalele de la liniile match si genereaza adresa datelor cautate
- DReturneaza semnale de matching ce descriu datele cautate
16Pe fronturile de comutatie ale circuitelor integrate CMOS, puterea disipată ... (alegeti 1 raspuns)
- APoarta nu consuma curent
- BCreste consumul de putere
- CToate variantele
- DUnul dintre cele 2 tranzistoare MOS complementare este blocat
17Considerand valorile iesirilor din imaginea de mai jos, este adevarat ca: (alegeti 1 raspuns)
- ANivelul tensiunii la iesirea comuna a portilor este dat de functia SI intre iesirile fiecarei porti
- BCircuitul functioneaza fara pierderi
- CConsumul celor 2 circuite TTL este redus
- DPuterea disipata pe rezistenta R24 si tranzistorii Q23 si Q14 este prea mare
18Pentru circuitul de mai jos, calculati caderile de tensiune si curentii prin rezistori: (alegeti 1 raspuns)
- AUR1 = 4.5V, I1 = 0.75mA
UR2 = 7.5V, I2 = 0.75mA
UR3 = 3V, I3 = 0.75mA - BUR1 = 5V, I1 = 1.25mA
UR2 = 8V, I2 = 1.25mA
UR3 = 2V, I3 = 1.25mA - CUR1 = 5V, I1 = 0.5mA
UR2 = 5V, I2 = 0.75mA
UR3 = 5V, I3 = 1.5mA - DUR1 = 3V, I1 = 1mA
UR2 = 9V, I2 = 1mA
UR3 = 3V, I3 = 1mA
- AUR1 = 4.5V, I1 = 0.75mA
19Despre timpii de propagare in circuitele logice integrate, se pot afirma urmatoarele: (2 rasp)
- ATimpii de intarziere se calculeaza exclusiv pe baza semnalului de iesire
- BTimpii de crestere si de cadere (Rise Time si Fall Time) se definesc pentru fronturile de tensiune ale semnalului
- CTimpul de propagare nu influenteaza valoarea maxima a frecventei semnalului de intrare
- DTimpul de propagare mediu nu include timpii de intarziere
- ESe definesc tinand cont de amplitudinea semnalului de intrare, precum si a celui de iesire
20Pentru asigurarea unui curent de mare iesire, driverul 4511 are prevazut la iesire un : (1 rasp)
- AAmplificator cu reactie negativa
- BAmplificator cu reactie pozitiva
- CTranzistor cu efect de camp cu canal p
- DTranzistor bipolar
- ENimic
21Se considera circuitul basculant din imagine. Selectati afirmatia corecta. (1 rasp)
- ACircuitul functioneaza ca un bistabil cand rezistenta r are valoarea 0
- BRezistenta r este dimensionata pentru a avea doar tensiune negativa in baza tranzistorilor T1 si T2
- CRezistenta r nu poate avea valoarea 0 pentru ca circuitul sa poata functiona ca un bistabil
- DCresterea tensiunii in Uc2 va fi transmisa in baza tranzistorului T1 daca rezistenta r are valoarea 0
22Din cate circuite de memorie 512*8 se obtine un bloc de memorie avand capacitatea de 16384*32 ? (1 rasp)
- A80
- B64
- C120
- D128
23Tensiunea de prag (Vt) a tranzistorului MOS este: (1 rasp)
- AO valoare a tensiunii grila-drena
- BO valoare a tensiunii grilei
- CO valoare a tensiunii sursa-baza
- DO valoare a tensiunii grila-sursa
24Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie SRAM CMOS? (2 rasp)
- AInformatia este stocata in condensatoare
- BInformatia este stocata in bistabile realizate cu tranzistoare MOS
- CInformatia este stocata intr-un dispozitiv MOS cu stocare de sarcina si poarta flotanta
- DCelulele de memorie nu trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire
- ECelulele de memorie trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire
25Selectati ordinea corecta de executie a etapelor executate de un microcontroller pentru gestionarea unei intreruperi. (1 rasp)
- ADetermina sursa de intrerupere, acceseaza tabela vectorilor de intrerupere, executa rutina de tratare a intreruperii, salveaza pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, incarca de pe stiva locatia urmatoarei instructiuni
- BDetermina sursa de intrerupere, executa rutina de tratare a intreruperii, acceseaza tabela vectorilor de intrerupere, salveaza pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, incarca de pe stiva locatia urmatoarei instructiuni
- CDetermina sursa de intrerupere, salveaza pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, incarca de pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, acceseaza tabela vectorilor de intrerupere, executa rutina de tratare a intreruperii
- DSalveaza pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, determina sursa de intrerupere, acceseaza tabela vectorilor de intrerupere, executa rutina de tratare a intreruperii, incarca de pe stiva locatia urmatoarei instructiuni
26Selectati ordinea corecta a activarii intrarilor pentru scrierea in memoriile RAM. (1 rasp)
- AAdresa, selectie, semnal read/write, date
- BAdresa, semnal read/write, selectie, date
- CSelectie, adresa, semnal read/write, date
- DDate, adresa, selectie, semnal read/write
27La un tranzistor MOS la care nu aplicam potential in grila: (1 rasp)
- ADaca intre drena si sursa se aplica o tensiune pozitiva, una din jonctiuni e polarizata invers => nu exista curent intre drena si sursa => tranzistorul este blocat
- BDaca intre drena si sursa se aplica o tensiune pozitiva, una din jonctiuni e polarizata invers => nu exista curent intre drena si sursa => tranzistorul functioneaza in regim normal
- CDaca intre drena si sursa se aplica o tensiune pozitiva, una din jonctiuni e polarizata invers => nu exista curent intre drena si sursa => tranzistorul functioneaza in regim invers
28Bifati varianta gresita referitoare la semnalele electrice: (1 rasp)
- ACu cat creste perioada unui semnal sinusoidal, cu atat scade pulsatia
- BSemnalele electrice unidimensionale pot fi doar continue
- CInversul frecventei reprezinta perioada
- DAmplitudinea semnalului este o caracteristica atat pentru semnalele digitale cat si pentru cele analogice
29Pentru circuitul de mai jos, calculati caderile de tensiune si curentii prin rezistori. (1 rasp)
- AUR1 = 5V, I1 = 1mA
UR2 = 15V, I2 = 2,5mA
UR3 = 5V, I3 = 1mA - BUR1 = 10V, I1 = 1,5mA
UR2 = 10V, I2 = 1,2mA
UR3 = 10V, I3 = 2,5mA - CUR1 = 6V, I1 = 1,25mA
UR2 = 10V, I2 = 0,75mA
UR3 = 4,5V, I3 = 3,2mA - DUR1 = 10V, I1 = 1,66mA
UR2 = 10V, I2 = 1mA
UR3 = 10V, I3 = 2mA
- AUR1 = 5V, I1 = 1mA
30Stabilizator cu reactie cu amplificator de eroare: (2 rasp)
- ACircuitul stabilizeaza tensiunea chiar daca RL isi modifica valoarea
- BCircuitul stabilizeaza tensiunea doar daca RL nu isi modifica valoarea
- CStabilizarea este obtinuta prin reactie pozitiva
- DStabilizarea este obtinuta prin reactie negativa
31Bifati variantele corecte referitoare la impuls: (2 rasp)
- APentru a defini corect perioada impulsului, aceasta trebuie sa fie mai mica decat durata regimului tranzitoriu din circuit
- BPrin compunerea a 2 semnale de tip treapta se poate obtine un impuls
- CPentru a defini corect perioada impulsului, aceasta trebuie sa fie mai mare decat durata regimului tranzitoriu din circuit
- DTimpul de ridicare a impulsului este acelasi cu timpul de coborare
32Circuitul din figura foloseste o poarta CMOS pentru a comanda un LED. Alegeti valoarea aproximativa a rezistentei RE stiind ca Vcc, care alimenteaza si circuitul integrat, este de 5V. Pentru LED se considera urmaotarele valori: VLED=1,35V si ILED=20mA. (1 rasp)
- A120
- B50
- C1,6k
- D170
- E1k
33Care dintre urmatoarele relatii sunt adevarate in cazul unui tranzistor bipolar aflat in regiunea activa normala? (2 rasp)
- AIc = Ie+Ib
- BIc = beta * Ib
- CVbe = 0,2V
- DIb= beta * Ie
- EIe = Ic + Ib
34In imaginea de mai jos, ce valori logice trebuie aplicate pe intrarile A si B pentru a obtine la iesire '0' logic? (1 rasp)
- AA=1, B=1
- BA=1, B=0
- CA=0, B=1
- DA=0, B=0
35Care dintre urmatoarele relatii sunt adevarate in cazul unui tranzistor bipolar aflat in regiunea de saturatie? (2 rasp)
- AVbe = 0,75v
- BIe = Ic + Ib
- CIc = Ie + Ib
- DIc > beta * Ib
- EVbe = 0.2V
36Care este rolul caracteristicii de histerezis? (1 rasp)
- AMentine nivelul 1 logic la output indiferent de input
- BDefineste niveluri diferite la intrare pentru trecerea intre starile de 0 si 1 logic pentru a nu reactiona la variatii mici de tensiune
- CMentine nivelul 0 logic la output indiferent de input
- DSe asigura ca trecerea intre starile 0 si 1 logic are loc la aceeasi tensiune de prag
37Despre marginile de zgomot ale portii fundamentale SI-NU construita in tehnologie TTL, se pot afirma urmatoarele: (4 rasp)
- AValoarea garantata a marginii de zgomot pentru 0 logic este de 0,4V
- BValoarea garantata se calculeaza in functie de tensiunea prag
- CValoarea garantata a marginii de zgomot pentru 0 logic este egala cu valoarea garantata a marginii de zgomot pentru 1 logic
- DValoarea reala a marginii de zgomot pentru 0 logic depaseste valoarea garantata pentru aceeasi stare logica
- EMarginile garantate de zgomot explica preferinta ca starea de inalta impedanta a unui circuit logic sa fie comandata cu starea logica 1
- FMarginile reale de zgomot explica preferinta ca starea de inalta impedanta a unui circuit logic sa fie comandata cu starea logica 1
38In imaginea de mai jos, ce valori trebuie aplicate intrarilor A si I pentru ca tranzistorul Q1 sa se afle in regiunea activa inversa: (1 rasp)
- AA=0V, I=5V
- BA=0V, I=0V
- CA=5V, I=5V
- DA=5V, I=0V
39Bifati varianta corecta, considerand circuitul de mai jos (1 rasp)
- ATensiunile pe cei 3 condensatori vor fi intotdeauna egale
- BCapacitatea electrica pe intreg circuitul e data de suma capacitatilor condensatorilor
- CTensiunea masurata pe un condensator poate sa fie cel mult egala cu tensiunea sursei
- DPentru o buna functionare a circuitului, nu este necesar un alt element de circuit pe langa cei trei condensatori
40Factorul de calitate al circuitelor logice reprezinta .. (1 rasp)
- ASuma dintre timpii de propagare
- BDiferenta in modul dintre consumul de putere in regim static si dinamic
- CRaportul dintre consumul de putere si timpul de propagare
- DProdusul dintre timpul de propagare si consumul de putere
41Se considera circuitul basculant din imagine. Selectati afirmatiile corecte. (2 rasp)
- ABucla de reactie formata din tranzistorii T1 si T2 nu este niciodata intrerupta
- BCresterea tensiunii in baza tranzistorului T1 duce la reducerea tensiunii in baza tranzistorului T2
- CAmbii tranzistori T1 si T2 se pot afla simultan in starea de saturatie
- DDivizorul rezistiv R-r transmite cresterea tensiunii Uc2 in baza tranzistorului T1
- ECresterea curentului Ic1 duce la cresterea tensiunii Uc1
42Se considera circuitul basculant din imagine. Selectati afirmatia corecta. (1 rasp)
- ACapacitatea electrica a condensatorilor nu influenteaza viteza de basculare
- BCondensatorii incetinesc procesul de amplificare pentru a nu se supraincalzi circuitul
- CCapacitatea electrica a condensatorilor si viteza de basculare sunt direct proportionale
- DPentru a duce tranzistorii in starile T1=saturat si T2=blocat, amplificarea din bucla de reactie trebuie sa fie subunitara
43Despre factorul de incarcare al portii fundamentale SI-NU construita in tehnologie TTL, se pot afirma urmatoarele (2 rasp)
- AFactorul de incarcare la iesire pentru nivelul 0 logic este de 2 ori mai mic decat factorul de incarcare la iesire pentru nivelul 1 logic
- BValoarea factorului de incarcare la iesire reprezinta numarul minim de porti care pot fi comandate de poarta SI-NU
- CFactorul de incarcare la iesire pentru nivelul 0 logic este mai mic ca 1
- DFactorul de incarcare la iesire se calculeaza pe baza curentilor de iesire ai portii care comanda si a curentilor de intrare ai portilor comandate
- EPe baza factorului de incarcare, o poarta SI-NU implementata printr-un circuit TTL, poate comanda intre 10 si 20 de porti SI-NU de acelasi fel
44Care din afirmatiile legate de consumul de putere in circuitele logice integrate sunt false? ( 2 rasp)
- APuterea consumata in regim de comutatie este direct proportionala cu frecventa de comutare a circuitului logic
- BCurentul de iesire in scurtcircuit reprezinta un parametru caracteristic al consumului de putere
- CPuterea consumata in regim de comutatie este direct proportionala cu patratul tensiunii de alimentare
- DPuterea totala consumata reprezinta diferenta dintre puterea consumata in curent continuu si puterea consumata in regim de comutatie
- EPuterea consumata in curent continuu are o valoare mai mare decat puterea consumata in regim de comutatie
45Considerant circuitul Trigger-Schmitt din imagine, selectati afirmatiile corecte: (2 rasp)
- AScaderea diferentei de tensiune dintre Ui si Up determina scaderea diferentei de tensiune dintre Up si Ue
- BUe are tot timpul o valoare mai mare decat Up
- CDupa tranzitia portii P1 din 0->1 logic, Ue va avea o valoare mai mare decat Up
- DDupa tranzitia portii P1 din 0->1 logic, Ue va avea o valoare mai mica decat Up
46Selectati care dintre urmatoarele circuite sunt CNA (convertoare numeric analogice): (2 rasp)
- ACu aproximatii succesive
- BCu rezistente ponderate
- CCu retea de rezistente R-2R
- DCu simpla rampla
47Despre factorul de incarcare al portii fundamentale SI-NU construita in tehnologie TTL, se pot afirma urmatoarele: (2 rasp)
- APe basza factorului de incarcare, o poarta SI-NU implementata in tehnologie TTL, poate comanda cel putin 20 de porti SI-NU de acelasi fel
- BFactorul de incarcare la intrare pentru nivelul 0 logic este mai mic ca 1
- CValoarea factorului de incarcare la iesire reprezinta numarul maxim de porti care pot fi comandate de poarta SI-NU
- DFactorul de incarcare la intrare pentru nivelul 0 logic are aceeasi valoare ca factorul de incarcare la iesire pentru nivelul 0 logic
- EFactorul de incarcare la intrare se calculeaza pe baza curentilor de intrare
48Cuplarea in paralel a iesirilor a 2 porti TTL sau CMOS, cu structura obisnuita, va rezulta in (2 rasp)
- ANivelul de tensiune al iesirii comune poate fi folosit intr-un sistem digital
- BFunctionarea corecta a uneia dintre cele 2 porti
- CDistrugerea ambelor porti sau a uneia dintre porti
- DModificarea parametrilor portilor
49Bifati variantele corecte referitoare la impuls: (2 rasp)
- ALa semnale digitale, daca factorul de umplere este de 50%, perioada reprezinta de 2 ori durata impulsului
- BFactorul de umplere este mereu jumatate din perioada
- CPentru a defini corect perioada impulsului, durata regimului tranzitoriu din circuit trebuie sa fie mai mare decat aceasta
- DPentru a defini corect perioada impulsului, durata regimului tranzitoriu din circuit trebuie sa fie mai mica decat aceasta
50Se considera sistemul cu microcontroller 80C51 din figura. Care afirmatii sunt corecte? (4 rasp)
- ASistemul are un port de intrare care poate fi citit prin intermediul unei variabile localizata la adresa C237H
- BPentru activarea portului de intrare se foloseste selectia totala
- CCircuitul generator de tact este format exclusiv din componente externe microcontroller-ului
- DSistemul are un port de iesire care poate fi scris prin intermediul unei variabile localizata la adresa A475H
- EPenutr activarea portului de intrare se foloseste selectia liniara
- FCircuitul generator de tact este format exclusiv din componente integrate in microcontroller
- GSistemul are un port de iesire care poate fi scris prin itermediul unei variabile localizata la adresa 41B7H
- HPentru activarea portului de intrare se foloseste selectia partiala
- ISistemul are un port de intrare care poate fi citit prin intermediul unei variabile localizata la adresa E4A1H
- JCircuitul generator de tact este format atat din componente externe microcontroller-ului cat si din componente integrate in acesta
51Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de mmeorie bazate pe celula de memorie SRAM CMOS? (2 rasp)
- AAu nevoie de circuite de reimprospatare
- BNu au nevoie de circuite de reimporspatare
- CCapacitatea de integrare este mai mica decat in cazul circuitelor DRAM
- DAu nevoie de circuite de comparare
- ECapacitatea de integrare este mai mare decat in cazul circuitelor DRAM
52Marginile de imunitate la perturbatiile statice ale circuitelor logice integrate: (2 rasp)
- ANu se pot calcula pentru ambele stari logice 0 si 1
- BPentru starea logica 0, se calculeaza ca diferenta dintre nivelul de tensiune minim pentru 0 la iesire si cel minim pentru 1 la intrare
- CSe numesc si margini de zgomot
- DPentru starea logica 0, se calculeaza ca diferenta dintre nivelul de tensiune maxim pentru 0 la intrare si cel maxim pentru 0 la iesire
- EPentru starea logica 0, se calculeaza ca diferenta dintre nivelul de tensiune minim pentru 0 la intrare si cel maxim pentru 1 la intrare
53Se considera circuitul basculant de tip RS (RS flip-flop) din imagine. Selectati afirmatia corecta. (1 rasp)
- APrin utilizarea condensatoarelor C1 si C2 se asigura ca diodele D1 si D2 vor primi pe catod doar semnale pozitive
- BIn starea T1=saturat si T2=blocat, aplicarea unui impuls la intrarea S determina blocarea tranzistorului T1
- CPrin aplicarea unui impuls la intrarea S, circuitul R2C2 genereaza un semnal cu varf negativ de tensiune
- DDioda D1 permite trecerea semnalelor aplicate pe catod daca tesniunea este pozitiva si suficient de mare
54La interconectarea circuitelor logice: (2 rasp)
- AFactorul de incarcare al unei intrari este mai mic ca 1
- BFactorii de incarcare la intrare/iesire se definesc ca niveluri de tensiune din plaja admisa sau garantata
- CValoarea curentului de iesire a circuitului de comanda trebuie sa fie cel putin egala cu suma curentilor de intrare ai circuitelor comandate
- DFactorul de incarcare al unei iesiri este definit ca minimul dintre factorii de incarcare ai iesirilor nivelurilor logice 0 si 1
- EValoarea curentului de iesire a circuitului de comanda trebuie sa fie mai mic decat suma curentilor de intrare ai circuitelor comandate
55Se considera schema de principiu a unui circuit basculant. Selectati afirmatia corecta (1 rasp)
- ARezistentele R si r formeaza un divizor de tensiune
- BAmplificatoarele A1 si A2 sunt legate in reactie negativa
- CCircuitul este asimetric
- DCircuitul este monostabil
56Alegeti variantele de raspuns corecte in cazul circuitelor logice integrate CMOS (2 rasp)
- ANivelurile ale semnalelor de iesire extrem de apropiate de valoarea tensiunii de alimentare pentru starea 0 logic
- BPosibilitatea ca in regim static numarul sarcinilor comandate sa fie foarte mare
- CStructuri metal-oxid-semiconductor cu simetrie necomplementara
- DGama restransa a temperaturilor de functionare
- ENivelurile ale semnalelor de iesire extrem de apropiate de 0 V pentru starea 1 logic
- FConsum extrem de redus
57Care este metoda uzuala de selectare a celulelor de memorie intr-un circuit integrat? (1 rasp)
- APe baza coincidentei selectiei pe orizontala si pe verticala
- BPe baza unui circuit dedicat de generare de adrese
- CPe baza liniei de chip select
- DPe baza adresei trimisa pe liniile de date
58Se considera circuitul basculant monostabil din imagine. Selectati afirmatiile corecte. (2 rasp)
- ACircuitul poate avea 2 stari, una stabila si una instabila
- BTranzistorul T2 la saturatie, determina cresterea tensiunii in baza tranzistorului T1 prin descarcarea condensatorului C
- CCircuitul este simetric
- DCondensatorul C comanda blocarea tranzistorului T2 daca tensiunea UC1 scade rapid
59Dioda semiconductoare - la echilibrul termic: (1 rasp)
- ACurentul electric va trece cel mai bine prin semiconductor
- BSemiconductorul are rolul unei rezistente cu valoare mica (Ohm)
- CCurentul electric nu se va produce deloc prin semiconductor
- DCurentul electric va trece partial prin semiconductor
60Caracteristicile amplificatoarelor operationale sunt: (3 rasp)
- AImpedanta de intrare foarte mare (ideal infinit)
- BTensiunea de iesire nu este limitata de tensiunile de alimentare
- CTensiunea intre intrari foarte mare (ideal infinit)
- DCurenti de intrare foarte mici (ideal 0)
- EAmplificarea sau castigul in tensiune (AV) foarte mic (ideal 0)
- FTensiunea de iesire este limitata de tensiunile de alimentare
- GImpedanta de iesire foarte mare (ideal infinit)
- HImpedanta de intrare foarte mica (ideal 0)
61Ce componente inglobeaza un microcontroller? (2 rasp)
- ATastatura
- BNumaratoare
- CSursa de alimentare
- DEcran
- EMemorie
62Roluri posibile ale unui circuit cu 3 stari sunt: (2 rasp)
- ADe aconecta mai multe surse de date la aceeasi magistrala
- BDriver de magistrala
- CDecodificarea adreselor de pe magistrala de adrese
- DPoarta NU pentru intrarile Chip Select ale circuitelor integrate
63Care magistrala este bidirectionala? (1 rasp)
- ANici un raspuns
- BMagistrala de adrese si cea de date
- CMagistrala de date
- DMagistrala de adrese
64Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie SRAM CMOS? (2 rasp)
- AAu nevoie de circuite de comparare
- BCapacitatea de integrare este mai mica decat in cazul circuitelor DRAM
- CAu nevoie de circuite de reimporspatare
- DCapacitatea de integrare este mai mare decat in cazul circuitelor DRAM
- ENu au nevoie de circuite de reimporspatare
65Timpul de comutare directa este: (1 rasp)
- ATimpul necesar comutarii unui tranzistor din starea de conductie in starea de blocare
- BTimpul necesar comutarii unui tranzistor din starea normala in stare inversa
- CTimpul necesar comutarii unui tranzistor din starea de blocare in starea de conductie
66Se considera stabilizatorul cu reactie fara amplificator de eroare din figura, pentru care dioda Zener are tensiunea de prag egala cu 5.6V si Vout reprezinta tensiunea de iesire: (2 rasp)
- ADaca pe Vout masuram 4.9V, tensiunea VBE va fi 5.5V
- BDaca pe Vout masuram 5.0V, tensiunea VBE va fi 0.6V
- CCircuitul stabilizeaza tensiunea chiar daca RL isi modifica valoarea
- DDaca pe VBE masuram 0.5V, tensiunea Vout va fi 5.0V
- ECircuitul stabilizeaza tensiunea doar daca RL nu isi modifica valoarea
67TREBUIE PUS AL 4-LEA RASPUNS!!!!!!!!!! Se considera sistemul cu microcontroller 80C51 din figura. Care afirmatii sunt corecte? (4 rasp)
- AStim ca pentru IOH=10mA, circuitul 4511 are VOHtyp=4.25V. Pentru ca VLED=2V si ILED=10mA, valoarea aproximativa a rezistentei RL prin care este comandat LED-ul va fi de 225Ω
- BStim ca pentru IOH=10mA, circuitul 4511 are VOHtyp=4.25V. Pentru ca VLED=2V si ILED=10mA, valoarea aproximativa a rezistentei RL prin care este comandat LED-ul va fi de 100Ω
- CMicrocontrollerul foloseste doar memoria externa de program
- DStim ca pentru IOH=10mA, circuitul 4511 are VOHtyp=4.25V. Pentru ca VLED=2V si ILED=10mA, valoarea aproximativa a rezistentei RL prin care este comandat LED-ul va fi de 335Ω
- EMicrocontrollerul foloseste doar memoria interna de program
- FSistemul are un port de iesire care poate fi scris prin intermediul unei variabile localizata la adresa A705H
- GCircuitul generator de tact este format atat din componente externe microcontroller-ului cat si din componente integrate in acesta
- HMicrocontrollerul nu foloseste memorie de program
- ISistemul are un port de iesire care poate fi scris prin intermediul unei variabile localizata la adresa 3A20H
- JCircuitul generator de tact este format exclusiv din componente integrate in microcontroller
68TREBUIE PUS AL 4-LEA RASP !!!!!!!! Se considera sistemul cu microcontroller 80C51 din figura. Care afirmatii sunt corecte? (4 rasp)
- AStim ca pentru IOH=10mA, circuitul 4511 are VOHtyp=4.25V. Pentru ca VLED=1.2V si ILED=10mA, valoarea aproximativa a rezistentei RL prin care este comandat LED-ul va fi de 305Ω
- BCircuitul generator de tact este format exclusiv din componente externe microcontroller-ului
- CRutina de tratare a intreruperii corespunzatoare intreruperii externe 0 trebuie sa rezolve problema salturilor de tensiune la apasarea tastei
- DSistemul are un port de iesire care poate fi scris prin intermediul unei variabile localizata la adresa 645BH
- ERutina de tratare a intreruperii corespunzatoare interuperii externe 0 nu trebuie sa rezolve problema salturilor de tensiune la apasarea tastei
- FCircuitul generator de tact este format atat din componente externe microcontroller-ului cat si din componente integrate in acesta
- GStim ca pentru IOH=10mA, circuitul 4511 are VOHtyp=4.25V. Pentru ca VLED=1.2V si ILED=10mA, valoarea aproximativa a rezistentei RL prin care este comandat LED-ul va fi de 105Ω
- HStim ca pentru IOH=10mA, circuitul 4511 are VOHtyp=4.25V. Pentru ca VLED=1.2V si ILED=10mA, valoarea aproximativa a rezistentei RL prin care este comandat LED-ul va fi de 440Ω
- ISistemul are un port de iesire care poate fi scris prin intermediul unei variabile localizata la adresa AC20H
- JCircuitul generator de tact este format exclusiv din componente integrate in microcontroller
69In cazul unui oscilator cu punte Wien: (2 rasp)
- ASemnalele de comanda sunt dreptunghiulare
- BBucla de reactie negativa determina frecventa de oscilatie
- CBucla de reactie pozitiva permite aparitia si cresterea amplitudinii oscilatiilor
- DBucla de reactie negativa permite aparitia si cresterea amplitudinii oscilatiilor
- EBucla de reactie pozitiva determina frecventa de oscilatie
70La memoriile CAM semnalele de matching ... (1 rasp)
- ASunt inscrise in memorie in locul datelor existente
- BStarea 1 logic indica faptul ca niciun bit memorat nu corespunde cu bitul cautat
- CStarea 0 logic indica faptul ca un bit memorat corespunde cu bitul cautat
- DIndica daca s-a gasit corespondenta intre cuvantul cautat si cel memorat
71Daca in cadrul executiei unei intreruperi se activeaza o a 2-a intrerupere ( cu un nivel de prioritate diferit), care este comportamentul microcontroller-ului? (1 rasp)
- ASe continua executia intreruperii curente, indiferent de nivelul de prioritate al celor 2 intreruperi
- BSe executa intotdeauna intreruperea cu prioritate mai mare
- CSe executa intotdeauna cea mai noua intrerupere
- DSe executa intreruperea cu prioritate mai mare, doar daca acestea sunt declansate simultan, altfel se continua executia intreruperii curente
72Caracteristica statica de transfer a inversorului CMOS ... (3 rasp)
- ADepinde de tensiunea de prag a tranzistorului Mp
- BDepinde de frecventa maxima la care poate opera circuitul
- CDepinde de tensiunea de alimentare
- DDepinde de viteza cu care intrarea trece din starea logica 0 in starea logica 1
- EDepinde de tensiunea de prag a tranzistorului Mn
- FDepinde de numarul de porti comandate de inversor
73Microcontrollerele din familia 8051 pot utiliza interfata seriala UART in urmatoarele moduri: (2 rasp)
- ARata Baud fixa
- BRata Baud variabila generata de un numarator (timer)
- CRata Baud citita printr-un terminal
- DRata Baud inscrisa in memorie
74Ce sunt diodele luminiscente? (1 rasp)
- ADiode care la polarizarea directa, electronii din regiunea n se recombina cu golurile din regiunea p si eliberea energie sub forma de lumina si caldura
- BDiode care la polarizarea inversa din regiunea n elibereaza energie sub forma de lumina si caldura
- CSunt diode care care permit trecerea curentului in ambele sensuri si au rolul de a creste rezistenta circuitului
75Bifati varianta corecta referitoare la filtrele trece sus si trece jos (1 rasp)
- AFiltrul trece sus atenueaza frecventele joase si altereaza mai putin frecventele inalte
- BLa ambele filtre, distorsiunile introduse de circuit asupra semnalului de intrare pot fi reduse daca constata de timp RC este mai mare decat durata impulsului
- CRaportul de divizare depinde de frecventa doar in cazul filtrului trece sus
- DReactanta capacitiva a condensatorului scade odata cu cresterea perioadei
76Cuplarea in paralel a iesirilor a 2 porti TTL sau CMOS, cu structura obisnuita, va rezulta in: (2 rasp)
- ANivelul de tensiune al iesirii comune poate fi folosit intr-un sistem digital
- BFunctionarea corecta a unei dintre cele 2 porti
- CDistrugerea ambelor porti sau a uneia dintre porti
- DModificarea parametrilor portilor
77Ce se intampla atunci cand se depaseste tensiunea de prag Vt la un tranzistor NMOS? (1 rasp)
- AConcentratia de electroni din zona canalului dintre drena si substrat va depasi concentratia de goluri si atunci regiunea isi va schimba tipul, din tip p in tip n
- BConcentratia de electroni din zona canalului dintre drena si sursa va depasi concentratia de goluri si atunci regiunea isi va schimba tipul, din tip n in tip p
- CConcentratia de electroni din zona canalului dintre drena si sursa va depasi concentratia de goluri si atunci regiunea isi va schimba tipul, din tip p in tip n
78Caracteristicile amplificatoarelor operationale sunt: (3 rasp)
- ACurenti de intrare foarte mici (ideal 0)
- BAmplificarea sau castigul in tensiune (AV) foarte mic (ideal 0)
- CImpedanta de intrare foarte mare (ideal infinit)
- DImpedanta de iesire foarte mare (ideal infinit)
- EImpedanta de intrare foarte mica (ideal 0)
- FTensiunea de iesire este limitata de tensiunile de aliemntare
- GTensiunea de iesire nu este limitata de tensiunile de alimentare
- HTensiunea intre intrari foarte mare (ideal infinit)
79Despre curentii portii fundamentale SI-NU construita in tehnologie TTL, se pot afirma urmatoarele: (1 rasp)
- APoarta genereaza curent la intrare cand este comandata cu nivel 0 logic
- BPoarta nu poate absorbi curent la iesire
- CPoarta genereaza curent la iesire cand comanda cu nivel 0 logic
- DPoarta absoarbe curent la intrare cand este comandata cu nivel 0 logic
- EPoarta absoarbe curent la iesire cand comanda cu nivel 1 logic
80Despre circuitele logice integrate se pot afirma urmatoarele: (2 rasp)
- AIn cazul unei bune functionari, nivelurile de tensiune la iesire se incadreaza in plaja garantata
- BCaracteristica statica de transfer este definita de aceleasi valori de tensiuni pentru oricare dintre oricare dintre nivelurile logice 0 sau 1
- CPentru buna functionare, nivelurile de tensiune la iesire se incadreaza in plaja admisa
- DPentru buna functionare, nivelurile de tensiune aplicate la intrare se incadreaza in plaja admisa
- EZona de functionare normala, in absenta semnalelor perturbatoare, are valori ale tensiunilor de intrare mai mari decat VILmax, pentru nivelul inferior de tensiune (L)
81Considerand circuitul Trigger-Schmitt din imagine, selectati afirmatiile corecte: (1 rasp)
- AUp are tot timpul o valoare mai mare decat Ue
- BDupa tranzitia portii P1 din 0->1 logic, diferenta dintre Ue si Up va scadea pe masura ce creste Ui
- CDupa tranzitia portii P1 din 0->1 logic, Ue va avea o valoare egala cu Up
- DDupa tranzitia portii P1 din 0->1 logic, diferenta ditnre Ue si Up va creste pe masura ce creste Ui
82In redresorul monoalternanta avem: (1 rasp)
- A2 diode deschise doar in alternantele negative
- B2 diode deschise doar in alternantele pozitive
- C1 dioda deschisa in alternantele pozitive
- D1 dioda, 1 condensator si 1 rezistenta
83Bifati variantele corecte, considerand circuitul de mai jos: (2 rasp)
- ACu cat e mai mica capacitatea electrica a unuia dintre condensatori, cu atat acesta va putea inmagazina mai multa sarcina electrica
- BIn momentul in care circuitul se inchide si condensatorii ajung la tensiunea sursei de tensiune, nu mai trece curentul prin circuit
- CDaca circuitul este inchis, caderea de tensiune de pe fiecare condensator depinde de capacitatea acestuia
- DCapacitatea electrica pe intreg circuitul e data de suma capacitatilor condensatoarelor
84Despre nivelurile logice ale portii fundamentale SI-NU construita in tehnologie TTL, se pot afirma urmatoarele: (2 rasp)
- APentru a genera 1 logic, tensiunea minim acceptata la iesire este de 2V
- BPentru a fi comandata cu 1 logic, tensiunea minim acceptata la intrare este 2.4V
- CTensiunea maxim acceptata la iesire pentru a genera 0 logic este de 2 ori mai mare decat tensiunea maxim acceptata la intrare pentru a fi comandata cu 0 logic
- DTensiunea minim acceptata la iesire pentru a genera 1 logic este mai mare decat tensiunea minim acceptata la intrare pentru a fi comandata cu 1 logic
- ETensiunea la care tensiunile de intrare si iesire sunt egale se numeste tensiune prag
85Intr-o sursa de tensiune continua, transformatorul ... (2 rasp)
- AModifica in secundar forma de unda din primar
- BGenereaza o tensiune cat mai apropiata de tensiunea continua
- CAtenueaza variatiile de tensiune furnizate de redresor
- DPoate scadea sau creste in secundar valoarea tensiunii din primar
- ESepara aparatul de reteaua de curent alternativ
86Care sunt avantajele folosirii tranzistoarelor MOS? (2 rasp)
- AActiune rapida a regiunii de saturatie
- BDensitate de integrare mai mare
- CFolosirea ca rezistenta intre sursa si drena, rezistenta activa, faciliteaza cresterea factorului de integrare
- DMai usor de programat in VHDL
87Care sunt problemele potentiale care pot fi evitate prin indeplinirea criteriului Nyquist?
- ARefacerea eronata a semnalului analogic original
- BDeghizarea
- CAICI NU STIU RASPUNSURILE CELELALTE, ALEA 2 IS CORECTE
88Caracteristicile amplificatoarelor operationale sunt:
- AAmplificarea sau catigul in tensiune (AV) foarte mare (ideal infinit)
- BImpedanta de iesire foarte mica (ideal 0)
- CTensiune intre intrari foarte mica (ideal 0)
- DTOATE 3 IS CORECTE, CELELALTE RASPUNSURI GRESITE NU LE CUNOSC!!!!
89Care sunt avantajele folosirii tranzistoarelor MOS?
- AFabricate mai usor decat tranzistoarele bipolare
- BImpedanta de intrare mare, curent de comanda mic
- CCELELALTE 2 IS CORECTE, NU STIU RASP GRESITE!!!!
90Daca pentru digitalizarea unui semnal se folosesc N biti, cate nivele logice se obtin?
- A2^N
- BNU STIU CELELALTE RASP!!!
91Un semnal analogic cu frecventa de 60MHz este convertit in semnal digital. Care este frecventa minima cu care trebuie esantionat acest semnal?
- A120MHz
- BRasp gresite nu stiu!!!
92La tranzistorul NMOS aflat in regiunea de saturare stim ca:
- A0 <= Vgs - Vt <= Vds
- BNU STIU ALTE RASP!!
93Circuitul de esantionare si retinere se bazeaza pe: (1 rasp)
- AO capacitate de retinere care mentine valoarea semnalului pana la urmatoarea esantionare
- BNU STIU RASP GRESITEEE!!!!
94Avand urmatorul amplificator cu casting constant cu Vin=+5V, R1 = 1kO, R2=3kO, tensiunea Vout va fi:
- A-15V
- BNu STIU RASP GRESITE!
95Selectati componentele din schema fundamentala a unui circuit Trigger-Schmitt (2 rasp)
- ABucla de reactie pozitiva
- BComparator
- CNU STIU RASP GRESITE!@!!!!
96In imaginile de mai jos, diodele D1 si D2: (1 rasp)
- AProtejeaza intrarile circuitului impotriva tensiunilor negative
- B!!! NU STIU RASP GRESITE!!!
97Pentru circuitul de mai jos, calculati caderile de tensiune si curentii prin rezistori:
- AUR1 = 5V, I1 = 1.25mA
UR2 = 5V, I2 = 1mA
UR3 = 5V, I3 = 2.5mA - BNU STIU RASP GRESITE!!!!!
- AUR1 = 5V, I1 = 1.25mA
98Intr-o sursa de tensiune continua, filtrul ...
- AAtenueaza variatiile de tensiune de la iesirea redresorului
- B!! NU STIU RASP GRESITE !!
99Criteriul Nyquist afirma ca, pentru refacerea corecta a semnalului analogic, rata de esantionare trebuie sa fie de cel putin X ori frecventa semnalului esantionat, unde X este:
- A2
- B!! NU STIU RASP GRESITE !!
100Intr-o sursa de tensiune continua, stabilizatorul ...
- AGenereaza o tensiune cat mai apropiata de tensiunea continua
- B!! NU STIU RASP GRESITE !!
101In imaginea de mai jos, pentru o valoare a intrarii A echivalenta cu "1" logic si a intrarii I (i mare) echivalenta tot cu "0" logic, tranzistorul Q2 va fi: (alegeti 1 raspuns)
- AIn regiunea de blocare
- BIn regiunea de saturatie
- CIn regiunea activa normala
- DIn regiunea activa inversa
102Printre consecintele caracteristicii de histerezis din circuitele Trigger-Schmitt se numara urmatoarele:
- ASensibilitate redusa la semnalele de zgomot, astfel incat sa nu se favorizeze tranzitia intre starile 0 si 1 logic
- BEfectuarea rapida a tranzitiilor intre starile 0 si 1 logic
- CNU STIU RASP GRESITE
103Circuitele logice NMOS sunt...
- AAlimentate de la o singura sursa de tensiune
- BNU STIU RASP GRESITE!!!
104La tranzistorul NMOS aflat in regiunea liniara (de trioda) stim ca:
- AVds<= Vgs-Vt
- B0<= Vgs-Vt
- CNU STIU RASP GRESITE!!!
105Cate porti TTL standard pot fi comandate cu o poarta HCT, cunoscandu-se urmatoarele: IOL(HCT)=4mA, IOH(HCT) = 4mA, ILL(TTL) = 1.6mA, IIH(TTL) = 0.04mA
- A2
- BNU STIU RASP GRESITE
106Despre circuitul de intarziere din imagine se pot afirma urmatoarele:
- AIntarzierea circuitului depinde de constanta de timp RC
- B+1 MAI ERA INCA CEVA DAR NU STIM!!!
107Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie EEPROM?
- ANu nevoie de circuite de reimprospatare
- BOperatia de stergere este electrica
- CNU STIU RASP GRESITE
108Un amplificator operational are:
- ADoua intrari, una Inversoare(IN-) si una neinversoare(IN+) si o iesite (OUT)
- BAlimentare cu tensiune continua
- CNU STIU RASP GRESITEEE
109La un amplificator operational reactia de negative:
- AReprezinta o parte din semnalul de iesire aplicat print-un circuit pe intrarea inversoare(IN-)
- BNU STIU RASP GREISTEE!!
110Care sunt metodele de programare a memoriilor PROM?
- AStrapungerea sau nu a unui fuzibil
- BRealizarea unei cai conductive catre un electrod nerealizat inaintea programarii
- CNU STIU RASP GRESITEE!!
111Nivelele logice (0,1) ale circuitelor NMOS depind de
- ATensiunea de alimentare
- BNU STIU RASP GRESITEEE!!!
112Avand urmatorul amplificator sumator cu VIN1=-2V, VIN2=-3V, VIN3=-1V, R11=1kO, R12=2Ko, R13=2kO, R2=4kO tensiunea Vout va fi:
- A+16V
- BNU STIU RASP GRESITE!!
113Care informatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie EEPROM?
- ANu necesita un ciclu suplimentar de reimprospatare
- BInformatia este stocata intr-un dispozitiv MOS cu stocare de sarcina si poarta flotanta
- CNU STIU RASP GRESITEE!!!
114Stabilizatorul cu reactive cu amplificator de eroare:
- ASe stabilizeaza tensiunea
- B+1 INCA UNA CORECTA
- CNU STIU RASP GRESITE
115Pentru ciclul de citire al memoriilor RAM, care sunt primele linii activate?
- ADe adrese
- BNU STIU RASP GRESITE
116Intr-o sursa de tensiune continua, redresorul ..
- ATransforma tensiunea alternativa intr-o forma de unda a carei valoare medie este diferita de 0
- BNU STIU RASP GRESITE
117Activarea porturilor prin selectie totala, data fiind adresa acestora, se face astfel
- ALiniile magistralei de adresa se conecteaza la circuite de decodificare ale caror iesiri se leaga la pinii de activare ai porturilor
- BNU STIU RASP GRESITE
118Un CAN pe 8 biti cuantifica un semnal analogic intre limitele 0V si 5V. Care este pasul de cuantificare (aproximativ)?
- A0.019V
- BNU STIU RASP GRESITE
119Circuitele NMOS sunt mai folosite decat cele PMOS datorita
- AViteza de comutatie superioara
- BNU STIU RASP GRESITE
120Timpul de comutare inversa este:
- ATimpul necesar comutarii unui tranzistor din starea de conductie in starea de blocare
- BNU STIU RASP GRESITE
121Din cate circuite de memorie 1024*8 se obtine un bloc de memorie avand capacitatea de 16384*32?
- A64
- BNU STIU RASP GRESITE!!!
122Avand urmatorul amplificator sumator cu VIN1=+5V, VIN2=+3V, R11=2kO, R12=3kO, R2=6kO tensiunea Vout va fi
- A-21V
- BNU STIU RASP GRESITE!!!
123Bifati informatiile corecte referitoare la tensiune (2 rasp)
- AFara tensiune, nu avem flux de electroni in circuit
- BTensiunea si curentul electric sunt direct proportionale
- CNU STIU RASP GRESITE!!
124Bifati raspunsurile corecte referitoare la condensatori (2 rasp)
- ACantitatea de sarcina electrica stocaat pe cele 2 armaturi e direct proportionala cu capacitatea electrica a condensatorului
- BCurentul electric pe condensator depinde de capacitatea electrica a acestuia
- CNU STIU RASP GRESITE
125O valoare mai mica a rezistentei externe Rc la circuitele Open-collector (OC) inseamna: (1 rasp)
- AUn consum mai mare si o viteza mai mare pentru sistem
- BNU STIU RASP GRESITE
126Bifati raspunsurile corecte referitoare la circuitele electrice:
- AIntr-un circuit deschis, nu avem diferenta de potential
- BIntr-un circuit inchis, diferenta de potential masurata la capetele unui rezistor cu valoare de 0 Ohmi este 0
- CAmbele alea is bune cred???? NU STIU RASP GRESITE!!!
127Bifati varianta corecta referitoare la filtrele trece sus si trece jos:
- ADaca aplicam un semnal sinusoidal la oricare dintre cele 2 filtre, raspunsul este tot sinusoidal, doar atenuat si defazat
- BNU STIU RASP GREISTE!!!!
128Considerand valorile iesirilor din imaginea de mai jois, este adevarat ca:
- ACircuitul este in pericol de a se arde
- BNu stiu rasp gresite!!
129Selectati afirmatia corecta despre oscilatorul comandat cu Trigger-Schmitt din imagine: (1 rasp)
- ADaca semnalul de comanda Ui are valoarea 1 logic, circuitul va avea comportament de oscilator
- Bnu stiu rasp GRESITE
Informationen
- Beschreibung
- Quiz am Examen CAN, erstellt von tib bos am 07/02/2024.
- Autor
- tib bos
- Sprache
- English
- Aufrufe
- 4.154
- Bewertung
- 3,0 von 5 · 2 Bewertungen Bewerte dieses Quiz