El JFET de canal n está constituido
por una barra de silicio de material
semiconductor de tipo n con dos
regiones Y de material tipo p
situadas a ambos lados.
Es un elemento
tri-terminal cuyos
terminales se
denominan drenador, fuente y
puerta .
esquema de un JFET de canal n
esquema de un JFET de canal n
La polarización de un
JFET exige que las
uniones p-n estén
inversamente
polarizadas.
En un JFET de canal
n, o NJFET, la tensión
de drenador debe
ser mayor que la de
la fuente para que
exista un flujo de
corriente a través de
canal.
Además, la puerta debe
tener una tensión más
negativa que la fuente para
que la unión p-n se
encuentre polarizado
inversamente.
Las curvas de
características eléctricas
de un JFET son muy
similares a las curvas de
los transistores bipolares.
Por ello, en el JFET
intervienen como parámetros:
ID drenador , VGS tensión o
puerta y VDS tensión
drenador .
Se definen cuatro
regiones básicas de
operación: corte,
lineal, saturación y
ruptura.
Sin embargo, los JFET son
dispositivos controlados por
tensión a diferencia de los
bipolares que son dispositivos
controlados por corriente.
Polarización y curvas características
Este tipo de transistor
se polariza de manera
diferente al transistor
bipolar.
A mayor voltaje -Vgg, más
angosto es el canal y más
difícil para la corriente
pasar del terminal drenador
al terminal fuente
Al hacer un barrido en corriente
directa, se obtienen las curvas
características del transistor JFET.
NOTACION
ECUACIONES Y MODELOS FUNDAMENTALES
TRANSISTOR CANAL N
TRANSISTOR CANAL P
Modelo del transistor JFET a pequeña señal
Se observa que éste funciona como una
fuente dependiente de corriente controlada
por el voltaje compuerta-fuente.
Para que el modelo de pequeña señal tenga validez,
debe cumplirse la siguiente condición:
Esta condición, en general es utilizada para el diseño y
análisis de amplificadores, sobre todo para conocer el rango
de valores en amplitud que puede soportar el amplificador en
la entrada sin que haya distorsión en la señal de salida.
La impedancia de
entrada de este
dispositivo es lo
suficientemente alta
como para no incluirla
en el modelo, a
diferencia de lo que
ocurre con el transistor
BJT.
Modelo en SPICE
Permiten determinar el
comportamiento del JFET en
un rango de frecuencias más
amplio, así como amplitudes
de señal no necesariamente
pequeñas.