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Transistores efecto de campo

Estructura

está compuesto por una barra de semiconductor de tipo N (ó P) en la que se difunden dos áreas de semiconductor tipo P (ó N), por lo que el transistor tendrá cuatro terminales

D= Drenador

terminal por al que salen los portadores del dispositivo

S= Fuente

Es el terminal por el que entran los portadores.

G1 y G2= Puertas:

Son las terminales mediante el que se controla la corriente de portadores a través del canal

Tipos de transistores CMOS

Transistor NMOS

Estructura NMOS

Cuenta con una estructura física creada de los siguientes materiales:

Un sustrato tipo p ligeramente dopado

Dos regiones tipo n fuertemente dopadas, fuente y drenador separados por una región llamado canal

Una fina capa de aislante sobre el canal

Una capa de polisilicio sobre el aislante.

Características NMOS

Características eléctricas

Sustrato: suele ir conectado al lado positivo de la fuente de alimentación.

Puerta: regula la intensidad del canal

Fuente y drenador: terminales de origen y destino

Características de comportamiento

Sí G=0, el transistor no conduce electricidad.

Sí G=1, el transistor conduce electricidad

Transistor PMOS

Estructura PMOS

Cuenta con una estructura física creada de los siguientes materiales:

Un sustrato tipo n ligeramente dopado

Una fina capa de aislante sobre el canal

Una capa de polisilicio sobre el aislante.

Dos regiones tipo p fuertemente dopadas, fuente y drenador separados por una región llamado canal

Características NMOS

Características eléctricas

Sustrato: suele ir conectado al lado positivo de la fuente de alimentación.

Puerta: regula la intensidad del canal

Fuente y drenador: terminales de origen y destino

Características de comportamiento

Sí G=0, el transistor conduce electricidad.

Sí G=1, el transistor no conduce electricidad

Leyva Tapia Elizabeth 4AM6