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PRÁCTICA 3

SIMULACIÓN POR COMPUTADORA DEL POTENCIAL DE ACCIÓN:

Iniciar el programa HHsim.

El control 1 debe marca Voltage recording.

Seleccionar gNa (pS), gK (pS) y Blank, el control 2.

Con el control 3 activar el comando membrane,

establecer la temperatura en 20ºC.

Ocultar la ventana con el botón hide.

Observar la respuesta en el potencial de membrana.

Activar el estimulador usando el botón Stim1 del control 4.

Establecer Ti = 0.0 ms, Int = 10 nA y Dur = 0.1 ms. El

segundo estímulo debe marcar cero en todos los parámetros.

Establecer parámetros:

Potencial umbral:

Con el control 3, activar el comando stimuli, seleccionar primer estimulo del estimulador 1.

Aplicar estímulos similares incrementando gradualmente la duración hasta provocar un potencial de acción.

Encontrar la duración mínima para que estímulos con intensidades de 5, 10, 15, 20, 35, 40 y 66 nA que puedan provocar un potencial de acción.

Suma temporal de estímulos subumbrales:

Establecer el primer estímulo con Ti = 0 ms, Int = 15 nA y Dur = 0.4 ms.

Repetir la experiencia disminuyendo gradualmente el tiempo de inicio del segundo estímulo (Ti = 8, 4, 2, 1 ms).

Activar el estimulador Stim1.

Observar la respuesta.

Aplicar un segundo estímulo, debe ser similar pero con Ti = 15 ms.

Aplicar el primer estímulo con Ti = 0 ms, Int = 50 nA y Dur = 0.11 ms.

Periodo refractario:

Repetir la experiencia con Ti = 5 ms para el segundo estímulo.

Repetir la experiencia reduciendo el tiempo de inicio del segundo estímulo a 10 ms.

Encontrar el tiempo de inicio para el segundo estímulo.

Activar el estimulador.

Aplicar el segundo estímulo con Ti = 20 ms, Int = 40 nA y Dur = 0.11 ms.

Observar la respuesta.

Observar la respuesta.

Observar la respuesta.

Repetir el procedimiento con Ti = 2 ms para el segundo estímulo.

Incrementar la intensidad del segundo estímulo a

Int = 60 nA.

Incrementar la intensidad del segundo estímulo a Int = 70 nA.

Reducir el tiempo de inicio del segundo estímulo a Ti = 1.8 ms.

Incrementar la intensidad del segundo estímulo a Int = 80 nA.

Repetir incrementando a Int = 100 nA.

Concentraciones iónicas:

Establecer los parámetros del segundo estímulo a cero, para el primer estímulo

Ti= 0 ms, Int = 20 nA y Dur = 0.5 ms.

Sin borrar las respuestas anteriores, reduzca la concentración extracelular de Na+, de 50 en 50 mM, aplicando un estímulo cada vez.

Borrar las respuestas anteriores.

Sin borrar la respuesta anterior activar el comando membrane con el control 3.

Cambie la concentración extracelular de Na+ = 400 mM.

Aplicar el estímulo.

Aplicar el estímulo.

Observar la respuesta.

Reducir ahora la concentración extracelular de K+ de 1 en 1 nM, aplicando estímulos.

Restablecer la concentración original de Na+.

Repetir el experimento aumentando de 50 en 50 mM la concentración extracelular

de Na+.

Restablecer la concentración original.

Borrar las respuestas anteriores y aplicar un estímulo.

Restablecer la concentración, borrar las respuestas anteriores y estimular.

Incrementar de 1 en 1 nM la concentración extracelular de K+, estimulando cada vez.

Canales dependientes de voltaje:

Restablecer las concentraciones originales, borrar las respuestas anteriores y

aplicar un estímulo.

Restablecer y borrar las respuestas anteriores.

Sin borrar la respuesta anterior, activar el comando Drugs del control 3.

Cambiar el porcentaje de inhibición por Tetrodotoxina (TTX), incrementando de 5 en 5%,

estimulando cada vez sin borrar.

Repetir la experiencia

incrementando la inhibición por Tetraetilamonio (TEA).

Restablecer y borrar las respuestas anteriores y aplicar pronasa.

Aplicar un estimulo y observar la respuesta.