Semiconductores

intrínsecos
1. puros
  1. °T ambiente
    1. aislante
      1. pocos +e libres
        huecos debido a la energía termica
        extrínsecos
        por dopaje
        introducción de impurezas
        forma controlada
        tipo N
        adicción de dopante
        mayor valencia
        que el intrínseco de partida
        Esquema de un semiconductor extrínseco tipo N
        tipo P
        menor valencia
        contrario al N
        huecos en la banda de valencia
        saltan +e
        absorben energía
        pero no de la banda de conducción
        valance neto de Q +
        banda de valencia superior (huecos)
        -Q
        Esquema de un semiconductor extrinseco tipo P
conductores o aislantes
AMORFOS
1. Ssólidos cristalinos
  1. mezclas de moleculas
    1. grandes y complejas
    2. no se apilan bien
    3. distribuidas al azar
PROCESADO
1. La corrosión sobre los puntos del circuito
  1. - La condensación sobre la superficie de microchips
    1. - La degradación de los equipos
      1. - La inadecuada adhesión de fotoresistencias
dispostivos
1. componente electronico
  1. reemplazaron
    1. dispositivos termoiónicos
      1. (tubos de vacío)
  2. individuales discretos
    1. cincuitos integrados CI
2. muy utilez
  1. fácilmente manipulado por la adición de impurezas
    1. icho de otra manera DOPAJE

Resumen del Recurso

	Creado por Lisandro Hernandez Santiago hace alrededor de 7 años