Mapa mental
1.5 Materiales extrínsecos: materiales tipo n y tipo p

Contenido del mapa
1.5 Materiales extrínsecos: materiales tipo n y tipo p
un material semiconductor que a sido sometido al proceso de dopado se conoce como material extrinseco
- materiales tipo n
- se forman agregando predeterminado numero de impureza a una base de silicio
- se crea introduciendo impurezas que contienen 5 electrones de valencia
- antimonio
- pentavalentes
- arsenico
- fosforo
- las impurezas con 5 electronces
- atomos donadores
- es electricamente neutro
- a los electrones de carga negativa libres y en orbita en la estructura
- el numero de protones de carga positiva es igual
- el proceso se describe usando
- el diagrama de bandas de energia
- nivel donador
- nivel de energia discreto
- aparece en la banda proibida
- nivel de energia discreto
- a temperatura ambiente
- en un material de Si
- hay un electron libre por cada 10^12 atomos
- en un material de Si
- materiales tipo p
- se forman agregando predeterminado numero de impureza a una base de silicio
- dopando un cristal de germanio o silicio puro
- con atomos de impureza que tienen 3 electrones de valencia
- se llaman aceptores
- es electricamente neutro
- por lo mismo que materiales tipo n
- elementos mas utilizados
- boro
- galio
- indio
- con atomos de impureza que tienen 3 electrones de valencia
- dopando un cristal de germanio o silicio puro
- se forman agregando predeterminado numero de impureza a una base de silicio
- materiales tipo n
flujo de electrones contra flujo de huecos
- si un electron de valencia adquiere suficiente energia cinetica para romper su enlace covalente
- llenar el vacio creado por el hueco
- se crea un vacio en la banda covalente que cedio el electron
- llenar el vacio creado por el hueco
- transferencia de huecos hacia la izquierda
- transferencia de electrones a la derecha
- flujo convencional
- esta indicada por la direccion del flujo de huecos
- si un electron de valencia adquiere suficiente energia cinetica para romper su enlace covalente
portadores mayoritarios y minoritarios
- estado intrinseco
- el no. de electrones libres en Ge o Si se debe
- a los electrones en la banda de valencia que adquieren suficiente energia
- fuentes termicas
- rompe la banda covalente o alas impurezas que no pudieron ser eliminadas
- luminosas
- rompe la banda covalente o alas impurezas que no pudieron ser eliminadas
- fuentes termicas
- a los electrones en la banda de valencia que adquieren suficiente energia
- el no. de electrones libres en Ge o Si se debe
- enlace covalente
- los vacios
- reprensentan una fuente muy limitada de huecos
- material n
- el numero de huecos no cambia respecto a este nivel intrinseco
- material p
- el numero de huecos excede por mucho al de electrones
- el hueco es el portador mayoritario y el electron el minoritario
- los vacios
- los materiales tipo n y p
- representan los bloques de contruccion basicos en los dispositivos semiconductores
- estado intrinseco
Imágenes y archivos del mapa
Información
- Descripción
- Mapa Mental sobre 1.5 Materiales extrínsecos: materiales tipo n y tipo p, creado por noel cabrales el 12/02/2016.
- Creado por
- noel cabrales
- Visitas
- 1
- Valoración



