Untitled - created from Mind Map

Página 1

Se divide en: Transistores de junturas bipolares BJT Y Transistor de efecto de campo FET

Dispositivo semiconductor de tres capas que consiste en dos capas materiales de tipo "n" y otra de tipo "p".

BJT: Los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccion en el material polarizado de forma opuesta

CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

CONSTRUCCION DEL BJT

*EMISOR: Emite o suministra los portadores de carga. *BASE: Tiene muy pocas impurezas y es muy delgada. *La cantidad de impurezas en el colector es menor que en el emisor

POLARIZACION

Vbe= 0,7 Le= (B+1)Lb Lc= blb

TRANSISTOR NPN:

Se denomina asi debido a que el emisor es comun o hace referencia a los terminales tanto de entrada como de salida

TRANSISTOR PNP:

Obedecen a la siguiente ecuacion: ie= ic + ib

En colector comun entrada base salida emisor, esta configuracion se usa en propositos de acoplamiento de impedancia

Se utiliza para propositos de acoplamiento de impedancia aunque el transistor esta conectado de manera similar a la configuracion emisor comun * ie vs Vec (PNP) Curva salida *ie vs Vce (NPN) Curva Salida