Fichas
3.5 Halbleiterdetektoren 3.5.4 Röntgen-Photodiode
Fichas del conjunto (6)
- 1pn-Diode in Sperrrichtung- Verarmungszone
- sichtbares Licht transparente Elektrode, dünne transparente n-dotierte Zone - 2Photoelement- „innerer Lichtelektrischer Effekt“
- Richtung Feldstärke → Diffusion → Spannung
- Kurzschluss → Strom steigt über viele Größenordnungen linear mit Intensität - 3Photodiode- Spannung in Sperrichtung → rücktreibendes Feld in Grenzschicht größer
- erzeugte e-/h+-Paare abgesaugt
- Detektion gepulster Strahlung - 4PIN-Diode- i-Zone: intrinsisch leitfähig, doch hochohmig , schnell und empfindlich
- 5Lawinenphotodioden- hoch empfindlich und sehr schnell
- hoher Sperrspannung
- Ladungsträger stark beschleunigt → Stoßionisationen Verstärkung 10-10^4 typisch 100 - 6harte Strahlung, dicke verschiedener Schichten- VUV: extrem dünne Eintrittsschicht, Elektrode auf Innenseite als Gitter
- härter: hochreines Germanium (p/n-dotiert)
- Kühlung (flüssiges N) → Raumschwingung
Información
- Descripción
- El usuario ha eliminado su información de asignaturas Fichas sobre 3.5 Halbleiterdetektoren 3.5.4 Röntgen-Photodiode, creado por Usuario eliminado el 26/09/2017.
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- Usuario eliminado · sep 2017
- Actualizado
- 26 sep 2017
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- Creado por Tom Schobert · 26 sep 2017
- Copiado por Tom Schobert · 26 sep 2017
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