Fichas
3.5 Halbleiterdetektoren 3.5.1 Detektionsprinzip 3.5.2 Eigentliche Halbleiterdetektoren 3.5.3 Streifenzähler
Fichas del conjunto (4)
- 1Detektionsprinzip- harte Photonen in Halbleitern gestoppt → Messung Energie in Form erzeugter Ladungsträger
- 1 Photon → 1 Photoreflektion → Abbremsen durch Stöße → Elektron-Ion-Paare
- erstes Elektron von innerer Schale → Loch → Emission weicheres Photon, Auger-Elektron
- Messung Anzahl erzeugter Elektronen wird gemessen
- Bandlücke ∞ 1eV → Energie für Energien freies Elektron größer → Phononen - 2„Fano-LimitΔE=2E_s √2ln2 √(r_n^2+f hυ/E_s ) f≈0.117
r_n vernachlässigbar klein für große Photonenenergie → √hν
große Photonenenergie → großes Volumen notwendig
kleine Photonenenergie → Schwierigkeiten Photon in aktive Zone → Energiebestimmung unterhalb einige 100 eV nicht sinnvoll möglich - 3Eigenschaften- U= 50-1000 V
- hochreine Einkristalle
o erzeugte Ladungen nicht an Fremdatomen neutralisiert
o niedriger Dunkelstrom
- Strom bei Raumtemperatur viel größer als Signal, nur jedes 1012 Atome ionisiert
- Fluktuationen: Rauschen Verstärker und Untergrundrauschen
- Kühlung flüssiger Stickstoff → untergrundfrei, hohe Auflösung zur Analyse einzelner harter Photonen - 4Streifenzähler- an welcher Position im Detektor aufgetroffen
- Auslesespannung an jeder Endfläche durch viele parallele Streifen angelegt, Strom kann durch jeden Streifen separat gemessen
- 2D: Streifen an Boden und Deckfläche orthogonal: Ortsauflösung 20-400 μm
- einzelne Photonen
- Kern-,Teilchenphysik
- Medizin Röntgendiagnostik bei niedrigen Flüssen
Información
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- Usuario eliminado · sep 2017
- Actualizado
- 26 sep 2017
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- Creado por Tom Schobert · 26 sep 2017
- Copiado por Tom Schobert · 26 sep 2017
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