Test
Primer test electro
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Preguntas del test (54)
11) ¿Cuál de los siguientes subsistemas electrónicos aumenta la potencia de una señal?
- Aa) Fuente de señal.
- Bb) Fuente de alimentación.
- Cc) Amplificador.
- Dd) Filtro pasivo.
2 ¿Qué tipo de circuito emplearía para eliminar una señal de ruido?
- A Fuente de señal.
- B Fuente de alimentación.
- CAmplificador.
- D Filtro.
3 ¿Cuál de los siguientes elementos transforma una señal analógica en digital y viceversa?
- A Fuente de señal.
- BDecodificador.
- CAmplificador.
- D Convertidor.
- A Fuente de señal.
4 ¿A cuál de los siguientes elementos corresponde un generador de tensión?
- AGenerador de señales.
- B Fuente de alimentación.
- CAmplificador.
- D Convertidor.
5 Señale la principal ventaja de una señal digital frente a una analógica
- AUn sistema digital es más sencillo y barato que uno analógico.
- B Las señales digitales se comportan mejor ante señales de ruido.
- CUna señal digital es más sencilla que una analógica porque solo toma dos valores.
- D Los sistemas digitales son más modernos y de mayor calidad en todo caso que los
analógicos, que están en desuso.
- AUn sistema digital es más sencillo y barato que uno analógico.
6 Indique cual de las siguientes afirmaciones es correcta:
- A Ante una perturbación producida por una señal de ruido, éste se elimina con mayor
facilidad en una señal analógica que en una digital. - B Una señal digital sólo puede tomar dos valores diferentes.
- CLas señales analógicas pueden tomar cualquier valor dentro de un intervalo
determinado para una magnitud considerada. - DTanto las señales analógicas como las digitales empleadas en Electrónica tienen que
ser periódicas en el tiempo.
- A Ante una perturbación producida por una señal de ruido, éste se elimina con mayor
7 Indique cual de las siguientes afirmaciones es correcta:
- A La conductividad de un material en general aumenta al aumentar la temperatura.
- B La conductividad de un material en general aumenta al aumentar la temperatura,
pero en los materiales semiconductores es al revés. - C La conductividad de un material en general disminuye al aumentar la temperatura,
pero en los materiales semiconductores es al revés. - D La conductividad de un material es una característica esencial del mismo y no
depende de la temperatura.
- A La conductividad de un material en general aumenta al aumentar la temperatura.
8¿Cuál de los siguientes materiales es un semiconductor eléctrico?
- A Platino.
- B Germanio.
- C Vidrio.
- D Azufre.
9 ¿Cuál de los siguientes materiales es un conductor eléctrico?
- A Platino
- B Germanio.
- C Vidrio.
- D Azufre.
10 ¿Cuál de los siguientes materiales es un aislante eléctrico?
- A Platino.
- B Germanio.
- C Oro.
- D Azufre
11 En un cristal de silicio, cada átomo está unido
- A a otros tres átomos de silicio
- B a otros cuatro átomos de silicio.
- Ca otros cinco átomos de silicio.
- DEl silicio no es un material cristalino, sino un semiconductor
12 En un cristal de silicio, los átomos están unidos mediante enlace
- A covalente.
- B iónico.
- C metálico.
- D El silicio no es un material cristalino, sino un semiconductor.
- A covalente.
13 La estructura cristalina del silicio es
- A cúbica
- B esférica.
- C circular.
- D El silicio no es un material cristalino, sino un semiconductor.
14 En un cristal de silicio, a temperatura ambiente,
- Aprácticamente existe un electrón libre por cada átomo de silicio del cristal.
- B el número de electrones libres que se han formado es mucho menor que el número
total de átomos del cristal. - Cprácticamente todos los electrones de valencia se han convertido en electrones
libres. - D El silicio no es un material cristalino, sino un semiconductor.
15 En un cristal de silicio
- A no hay electrones libres.
- B únicamente en la situación ideal de mínima energía a T = 0 K, no hay electrones
libres. - C a una temperatura lo suficientemente alta hay tantos electrones libres como en un
conductor, como por ejemplo el cobre. - D El silicio no es un material cristalino, sino un semiconductor.
16 Materiales semiconductores como el silicio o el germanio,
- A tienen tres electrones en su última capa.
- B tienen cuatro electrones en su última capa.
- Ctienen cinco electrones en su última capa.
- D son diferentes, el silicio tiene cuatro electrones en su última capa y el germanio
cinco.
17En general un material, desde el punto de vista de la conductividad eléctrica, se comporta como
- A conductor si tiene pocos electrones (1 ó 2) en su última capa y aislante si tiene la
última capa llena o casi llena. - B aislante si tiene pocos electrones (1 ó 2) en su última capa y conductor si tiene la
última capa llena o casi llena. - Cconductor si tiene pocos electrones (1 ó 2) en su última capa y semiconductor si
tiene la última capa llena o casi llena. - D semiconductor si tiene pocos electrones (1 ó 2) en su última capa y aislante si tiene
la última capa llena o casi llena.
- A conductor si tiene pocos electrones (1 ó 2) en su última capa y aislante si tiene la
18 Indique cual de las siguientes afirmaciones es correcta:
- A Los únicos materiales semiconductores existentes son el silicio y el germanio.
- B El germanio es el semiconductor más empleado en aplicaciones electrónicas.
- C Además del silicio y el germanio hay otros materiales semiconductores como el
arseniuro de galio. - DAdemás del silicio y el germanio hay otros materiales semiconductores como el
titanato de bario.
19Indique cual de las siguientes afirmaciones es correcta:
- A Los materiales semiconductores conducen mejor la electricidad a temperaturas más
bajas. - B Los materiales semiconductores conducen mejor la electricidad a temperaturas más
altas, como cualquier material en general. - C A una temperatura de 0 K, un material semiconductor se comporta de forma similar a un aislante,
respecto a la conducción de electricidad, porque no tiene electrones libres. - D Los materiales semiconductores conducen mejor la electricidad a temperaturas más
altas, comportándose como un material conductor para una temperatura
suficientemente alta.
- A Los materiales semiconductores conducen mejor la electricidad a temperaturas más
20 La corriente eléctrica que aparece en un semiconductor
- A se debe al desplazamiento tanto de cargas positivas o huecos, como de negativas o
electrones. - B se debe únicamente al desplazamiento de electrones libres.
- Cse debe únicamente al desplazamiento de electrones de enlace.
- D se debe al desplazamiento tanto de electrones libres como de electrones de enlace.
- A se debe al desplazamiento tanto de cargas positivas o huecos, como de negativas o
21 La corriente eléctrica que aparece en un semiconductor
- Ase debe al desplazamiento tanto de cargas positivas o huecos, como de negativas o
electrones, siendo mayor la debida a los huecos. - B se debe al desplazamiento tanto de cargas positivas o huecos, como de negativas o
electrones, siendo mayor la debida a los electrones. - Cse debe al desplazamiento tanto de electrones libres como de electrones de enlace,
siendo mayor la debida a los electrones libres - Dse debe al desplazamiento tanto de electrones libres como de electrones de enlace,
siendo mayor la debida a los electrones de enlace.
- Ase debe al desplazamiento tanto de cargas positivas o huecos, como de negativas o
22 En un semiconductor se denomina corriente de huecos
- A a la debida al movimiento de cargas positivas existentes en la estructura del
semiconductor. - B a la debida al movimiento de electrones de enlace existentes en la estructura del
semiconductor. - C a la debida al movimiento de electrones libres existentes en la estructura del
semiconductor. - D a la debida al movimiento de cargas positivas y electrones de enlace existentes en la
estructura del semiconductor.
- A a la debida al movimiento de cargas positivas existentes en la estructura del
23En un semiconductor se denomina hueco
- A a un defecto de su estructura cristalina.
- Ba la posición vacía que deja un electrón libre
- Ca las cargas negativas que existen en su estructura cristalina.
- D tanto a la posición vacía que deja un electrón libre como a las cargas negativas que
existen en su estructura cristalina.
- A a un defecto de su estructura cristalina.
24¿Qué representa ni?
- A el número de electrones libres en un semiconductor intrínseco.
- B el número de electrones libres por unidad de volumen en un semiconductor
intrínseco. - C el número de electrones libres por unidad de volumen en un semiconductor
extrínseco. - D el número de electrones libres por unidad de masa en un semiconductor intrínseco.
25 En un semiconductor se establecen dos corrientes eléctricas de diferente naturaleza,
- A corriente de huecos, debida al desplazamiento de cargas positivas y corriente de
electrones, debida al desplazamiento de electrones y que tienen sentidos opuestos. - B corriente de huecos y corriente de electrones, debidas ambas al desplazamiento de
electrones y que tienen sentidos opuestos. - C corriente de huecos, debida al desplazamiento de cargas positivas y corriente de
electrones, debida al desplazamiento de electrones y que tienen sentidos iguales. - D corriente de huecos y corriente de electrones, debidas ambas al desplazamiento de electrones y que
tienen sentidos iguales.
- A corriente de huecos, debida al desplazamiento de cargas positivas y corriente de
26 En un semiconductor intrínseco se establecen dos corrientes eléctricas de diferente naturaleza,
- A corriente de huecos que es mayor que la corriente de electrones.
- Bcorriente de huecos que es menor que la corriente de electrones.
- C corriente de huecos y corriente de electrones que son aproximadamente iguales.
- D corriente de huecos y corriente de electrones que dependiendo del tipo de
semiconductor una es mayor que otra.
27 En un semiconductor intrínseco,
- A la concentración de electrones libres es mayor que la concentración de huecos.
- B la concentración de electrones libres es menor que la concentración de huecos.
- C la concentración de electrones libres es igual que la concentración de huecos.
- Dno hay huecos, sólo electrones libres, por eso se llama intrínseco, sino sería
extrínseco.
28 Para una temperatura dada en un semiconductor en equilibrio,
- A las velocidades de recombinación y generación son iguales y nulas.
- B la velocidad de generación es mayor que la de recombinación, por eso se crean
electrones libres. - C las velocidades de recombinación y generación son iguales siempre que la
temperatura sea suficientemente elevada - D las velocidades de recombinación y generación son iguales.
29Considere los procesos de recombinación y de conducción por huecos que se dan en un material
semiconductor,- A son procesos similares.
- B en ambos procesos un electrón de enlace ocupa un hueco de la estructura del cristal
semiconductor. - Cen ambos procesos un electrón ocupa un hueco de la estructura del cristal
semiconductor; en la recombinación un electrón libre y en la conducción por huecos un electrón de enlace. - Den ambos procesos un electrón libre ocupa un hueco de la estructura del cristal
semiconductor.
30 Considere los procesos de recombinación y de conducción por huecos que se dan en un material
semiconductor,- Aen ambos procesos un electrón ocupa un hueco de la estructura del cristal
semiconductor; en la recombinación un electrón libre y en la conducción por huecos un electrón de enlace. - B en ambos procesos un electrón de enlace ocupa un hueco de la estructura del cristal
semiconductor. - C en ambos procesos un electrón ocupa un hueco de la estructura del cristal
semiconductor; en la recombinación un electrón de enlace y en la conducción por
huecos un electrón libre. - D en ambos procesos un electrón libre ocupa un hueco de la estructura del cristal
semiconductor.
- Aen ambos procesos un electrón ocupa un hueco de la estructura del cristal
31 Al aumentar la temperatura en un semiconductor
- A las velocidades de recombinación y generación son iguales y nulas.
- B la velocidad de generación es mayor que la de recombinación, por eso se crean
electrones libres. - C las velocidades de recombinación y generación son iguales siempre que la
temperatura sea suficientemente elevada - D las velocidades de recombinación y generación son iguales.
32Al disminuir la temperatura en un semiconductor,
- A las velocidades de recombinación y generación son iguales y nulas.
- B la velocidad de generación es mayor que la de recombinación, por eso se crean
electrones libres. - C la velocidad de generación es menor que la de recombinación, por eso se reduce el número de
electrones libres - Das velocidades de recombinación y generación son iguales.
33Al disminuir la temperatura en un semiconductor,
- A la velocidad de generación es mayor que la de recombinación, por eso aumenta la
conductividad del material. - B la velocidad de generación es mayor que la de recombinación, por eso disminuye la
conductividad del material. - C la velocidad de generación es menor que la de recombinación, por eso aumenta la
conductividad del material. - D la velocidad de generación es menor que la de recombinación, por eso disminuye la conductividad del
material.
- A la velocidad de generación es mayor que la de recombinación, por eso aumenta la
34 Indique cual de las siguientes afirmaciones es correcta:
- A se llama generación al proceso por el cual en un semiconductor aparecen electrones
libres en su estructura y recombinación al proceso que crea huecos. - B los procesos de generación y recombinación sólo se dan en semiconductores
intrínsecos. - Cel proceso de generación en un semiconductor crea pares de electrones libres y
huecos y el de recombinación elimina dichos pares. - D se llama recombinación al proceso por el cual en un semiconductor un electrón de
enlace ocupa un hueco en la estructura del semiconductor.
- A se llama generación al proceso por el cual en un semiconductor aparecen electrones
35 En un semiconductor sometido a un campo eléctrico
- A los electrones se desplazan en la dirección y sentido del campo eléctrico y los
huecos en la opuesta. - B los electrones y los huecos se desplazan en la dirección y sentido del campo
eléctrico - C los huecos se desplazan en la dirección y sentido del campo eléctrico y los
electrones en la opuesta. - D los electrones y los huecos se desplazan en la dirección del campo eléctrico y en
sentido opuesto.
- A los electrones se desplazan en la dirección y sentido del campo eléctrico y los
36¿Cuántos electrones de valencia tienen los elementos semiconductores silicio y germanio?
- A Tres.
- B Cuatro.
- C Cinco.
- D Depende de si es intrínseco o extrínseco.
- A Tres.
37Para obtener un semiconductor extrínseco de tipo n a partir de silicio puro, se añaden impurezas
- A con dos electrones en su última capa.
- B con tres electrones en su última capa.
- C con cuatro electrones en su última capa
- D con cinco electrones en su última capa
38 Para obtener un semiconductor extrínseco de tipo n a partir de silicio puro, se añaden impurezas
- A donantes pentavalentes.
- B donantes trivalentes
- C aceptoras pentavalentes
- D aceptoras trivalentes
- A donantes pentavalentes.
39 Para obtener un semiconductor extrínseco de tipo p a partir de silicio puro, se añaden impurezas
- A con dos electrones en su última capa.
- B con tres electrones en su última capa.
- C con cuatro electrones en su última capa
- D con cinco electrones en su última capa.
40 Para obtener un semiconductor extrínseco de tipo p a partir de silicio puro, se añaden impurezas
- A donantes pentavalentes.
- B donantes trivalentes
- C aceptoras pentavalentes
- Daceptoras trivalentes
41 En un semiconductor extrínseco de tipo n cada átomo de la impureza añadida está unido a
- Aotros tres átomos porque son impurezas trivalentes.
- B otros cuatro átomos porque son impurezas tetravalentes.
- C otros cinco átomos porque son impurezas pentavalentes.
- DNinguna de las afirmaciones anteriores es correcta.
42 En un semiconductor extrínseco de tipo n
- A los huecos son portadores mayoritarios y los electrones libres minoritarios.
- B los huecos son portadores minoritarios y los electrones libres mayoritarios.
- Clos huecos y los electrones libres son portadores mayoritarios.
- D los huecos y los electrones libres son portadores minoritarios.
43En un semiconductor extrínseco de tipo n a temperatura ambiente
- A Prácticamente todos los electrones libres del cristal provienen de los átomos
aceptores ionizados. - B los electrones libres del cristal provienen en proporción similar de los átomos
donantes ionizados y de los enlaces entre átomos de silicio rotos. - C prácticamente todos los electrones libres del cristal provienen de los átomos
donantes ionizados. - D los electrones libres del cristal provienen en proporción similar de los átomos
aceptores ionizados y de los enlaces entre átomos de silicio rotos.
- A Prácticamente todos los electrones libres del cristal provienen de los átomos
44 El fósforo es un elemento pentavalente
- A que puede actuar como dopante del silicio formando un semiconductor de tipo p
- B que puede actuar como sustancia dopante en un cristal de silicio, generándose un
mayor número de electrones libres para una temperatura dada. - Cque puede actuar como sustancia dopante en un cristal de silicio, generándose un
mayor número de huecos para una temperatura dada. - D Por lo que puede emplearse como impureza aceptora añadiéndose a un
semiconductor intrínseco.
45 El boro es un elemento trivalente
- Aque puede actuar como dopante del silicio formando un semiconductor de tipo n.
- B que puede actuar como sustancia dopante en un cristal de silicio, generándose un
mayor número de huecos para una temperatura dada. - C que puede actuar como sustancia dopante en un cristal de silicio, generándose un
mayor número de electrones para una temperatura dada. - D por lo que puede emplearse como impureza donante añadiéndose a un
semiconductor intrínseco.
46 En un semiconductor de tipo n
- A la conducción se debe principalmente a los electrones libres procedentes de la
ruptura de enlaces de los átomos del semiconductor intrínseco de partida - B la conducción se debe principalmente a los electrones libres procedentes de la
ruptura de enlaces de los átomos dopantes. - Cla conducción se debe principalmente a los huecos procedentes de la ruptura de
enlaces de los átomos del semiconductor intrínseco de partida. - D la conducción se debe en la misma medida a los electrones libres y a los huecos
procedentes de la ruptura de enlaces de los átomos del semiconductor intrínseco de
partida.
- A la conducción se debe principalmente a los electrones libres procedentes de la
47 En un semiconductor de tipo p
- A la conducción se debe principalmente a los huecos procedentes de los átomos del
semiconductor intrínseco de partida. - B la conducción se debe principalmente a los huecos procedentes de los átomos
dopantes. - C la conducción se debe principalmente a los electrones libres procedentes de la
ruptura de enlaces de los átomos del semiconductor intrínseco de partida. - D la conducción se debe en la misma medida a los electrones libres y a los huecos
procedentes de la ruptura de enlaces de los átomos del semiconductor intrínseco de
partida.
- A la conducción se debe principalmente a los huecos procedentes de los átomos del
48 En un semiconductor de tipo p
- A los huecos son portadores mayoritarios y los electrones libres minoritarios.
- B los huecos son portadores minoritarios y los electrones libres mayoritarios.
- C depende de cada tipo de semiconductor p y de la temperatura qué tipo de portadores
son mayoritarios o minoritarios. - Dsólo existen portadores mayoritarios y minoritarios en semiconductores intrínsecos.
- A los huecos son portadores mayoritarios y los electrones libres minoritarios.
49 En un semiconductor de tipo n
- A los huecos son portadores mayoritarios y los electrones libres minoritarios.
- Blos huecos son portadores minoritarios y los electrones libres mayoritarios
- C depende de cada tipo de semiconductor n y de la temperatura qué tipo de portadores
son mayoritarios o minoritarios. - D sólo existen portadores mayoritarios y minoritarios en semiconductores intrínsecos.
50 En un semiconductor de tipo n
- A los huecos son portadores mayoritarios y los átomos dopantes tienen 3 electrones de
valencia. - B los huecos son portadores mayoritarios y los átomos dopantes tienen 5 electrones de
valencia. - C los electrones libres son portadores mayoritarios y los átomos dopantes tienen 3
electrones de valencia - D los electrones libres son portadores mayoritarios y los átomos dopantes tienen 5
electrones de valencia.
- A los huecos son portadores mayoritarios y los átomos dopantes tienen 3 electrones de
51 Un semiconductor de tipo n
- A se forma a partir de un semiconductor intrínseco añadiendo impurezas aceptoras
trivalentes. - B se forma a partir de un semiconductor intrínseco añadiendo impurezas donantes
trivalentes. - Cse forma a partir de un semiconductor intrínseco añadiendo impurezas aceptoras
pentavalentes - D se forma a partir de un semiconductor intrínseco añadiendo impurezas donantes pentavalentes.
- A se forma a partir de un semiconductor intrínseco añadiendo impurezas aceptoras
52 Un semiconductor de tipo p
- A se forma a partir de un semiconductor intrínseco añadiendo impurezas aceptoras trivalentes.
- B se forma a partir de un semiconductor intrínseco añadiendo impurezas donantes
trivalentes. - C se forma a partir de un semiconductor intrínseco añadiendo impurezas aceptoras
pentavalentes. - D se forma a partir de un semiconductor intrínseco añadiendo impurezas donantes
pentavalentes.
53Indique cuál de las siguientes ecuaciones es correcta:
- A En un semiconductor extrínseco de tipo n: p = n + ND.
- B p·n = ni2
- C En un semiconductor extrínseco de tipo p: p = n + ND.
- D En un semiconductor extrínseco de tipo p: p = n.
- A En un semiconductor extrínseco de tipo n: p = n + ND.
54 Indique cuál de las siguientes ecuaciones es correcta:
- AEn un semiconductor extrínseco de tipo n: p = n + ND.
- B p·n = ni3
- C En un semiconductor extrínseco de tipo p: p = n + ND.
- DEn un semiconductor intrínseco: p = n.
Información
- Descripción
- Test sobre Primer test electro, creado por epsi_90 el 16/06/2015.
- Autor
- epsi_90
- Idioma
- Español
- Visitas
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