21216210
Description
Mind Map by Jonathan Gilberto Alvarez Roa, updated more than 1 year ago
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Created by Jonathan Gilberto Alvarez Roa
about 4 years ago
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Electrónica 1
- estructura atomica
- electrones
libres
- Son aquellos electrones
que se desprenden de su
órbita. Al desprenderse
dejan huecos. Esto sucede
por una pequeña
excitación térmica.
- Son aquellos electrones
que se desprenden de su
órbita. Al desprenderse
dejan huecos. Esto sucede
por una pequeña
excitación térmica.
- numero de
electrones
- El número de protones en el
núcleo será igual al número de
electrones distribuidos en las
capas u orbitas del átomo.
- El número de protones en el
núcleo será igual al número de
electrones distribuidos en las
capas u orbitas del átomo.
- numero atomico
- Nos provee información sobre la
estructura de los átomos de los
materiales. • Cantidad de electrones
y protones que se conforman en los
átomos del material.
- Nos provee información sobre la
estructura de los átomos de los
materiales. • Cantidad de electrones
y protones que se conforman en los
átomos del material.
- atomo
- Conformado por orbitas en las
que se encuentran los electrones
en movimiento. • Contiene un
núcleo en donde se encuentran
los protones y los neutrones
- Conformado por orbitas en las
que se encuentran los electrones
en movimiento. • Contiene un
núcleo en donde se encuentran
los protones y los neutrones
- electrones
libres
- semiconductores
- cristal
- Cuando varios átomos de silicio se
aproximan a otros entre si, se
forma una estructura llamada
cristal. En este caso cristal de
silicio. • Los electrones (última
capa) son compartidos con otros
átomos, en el caso del silicio se
comparten 4 electrones y a esto se
le denomina enlace covalente
- Cuando varios átomos de silicio se
aproximan a otros entre si, se
forma una estructura llamada
cristal. En este caso cristal de
silicio. • Los electrones (última
capa) son compartidos con otros
átomos, en el caso del silicio se
comparten 4 electrones y a esto se
le denomina enlace covalente
- octeto
- Cuando los átomos
completan en su
última capa de valencia
8 electrones, la forma
que se obtiene, es una
estructura muy estable
que no da lugar a que
hallan electrones libres
y a este efecto se le
conoce como
saturación de valencia.
- Cuando los átomos
completan en su
última capa de valencia
8 electrones, la forma
que se obtiene, es una
estructura muy estable
que no da lugar a que
hallan electrones libres
y a este efecto se le
conoce como
saturación de valencia.
- se pueden
clasificar en dos
tipos
- intrinsecos
- es un semiconductor que
esta hecho de un mismo
tipo de átomos de un
elemento. los mas
utilizados son el
germanio y el silicio. cada
átomo esta formado por
4 enlaces covalentes, de
esta manera cada atomo
posee 8 electrones en su
capa externa lo que hace
que se comporte con un
aislante debido a la
union de los electrones a
su nucleo
- es un semiconductor que
esta hecho de un mismo
tipo de átomos de un
elemento. los mas
utilizados son el
germanio y el silicio. cada
átomo esta formado por
4 enlaces covalentes, de
esta manera cada atomo
posee 8 electrones en su
capa externa lo que hace
que se comporte con un
aislante debido a la
union de los electrones a
su nucleo
- extrínsecos
- son aquellos que se le
someten a un proceso de
impurificación o dopaje, eso
con el fin de aumentar su
conductividad. se clasifican
según el nivel de impureza
- tipo N
- Se utilizan elementos pentavalentes
como: fosforo, arsenico o el
antimonio. Este tipo se le conoce
como donador de electrones. Al no
estar enlazados, se moverán
facilmente por la red crisitalina
aumentando su conectividad
- Se utilizan elementos pentavalentes
como: fosforo, arsenico o el
antimonio. Este tipo se le conoce
como donador de electrones. Al no
estar enlazados, se moverán
facilmente por la red crisitalina
aumentando su conectividad
- tipo P
- se emplean elementos
trivalentes como el boro,
indio y el galio. como no
aportan los 4 electrones
necesarios para formar el
enlace covalente, de esa
forma se originan los
huecos, que hay una carencia
de un electrón. Se le
denomina donador de
huecos o aceptador de
electrones.
- se emplean elementos
trivalentes como el boro,
indio y el galio. como no
aportan los 4 electrones
necesarios para formar el
enlace covalente, de esa
forma se originan los
huecos, que hay una carencia
de un electrón. Se le
denomina donador de
huecos o aceptador de
electrones.
- tipo N
- son aquellos que se le
someten a un proceso de
impurificación o dopaje, eso
con el fin de aumentar su
conductividad. se clasifican
según el nivel de impureza
- intrinsecos
- polarizacion de
semiconductores
- tipo n
- si conectamos dos placas al
semiconductor observamos:
-los electrones libres son
atraídos por el terminal
positivo de la batería, los
huecos son atraídos por el
terminal negativo, se comporta
como un aislante.
- si conectamos dos placas al
semiconductor observamos:
-los electrones libres son
atraídos por el terminal
positivo de la batería, los
huecos son atraídos por el
terminal negativo, se comporta
como un aislante.
- tipo p
- si conectamos dos placas los
huecos son atraídos por la placa
negativa, los electrones de la
batería circulan por los huecos lo
que hace que este se comporte
como un conductor
- si conectamos dos placas los
huecos son atraídos por la placa
negativa, los electrones de la
batería circulan por los huecos lo
que hace que este se comporte
como un conductor
- unión P-N
- tiene 7
etapas:
- 1.los materiales(N)
con dificultad
pasarán la linea de
union
recombinandose con
los huecos.
- 2. Se crea una zona de
deplexión
- 3. Al crearse la zona
de deplexión,
surgen a su
alrededor escasez de
huecos y electrones
libre naciendo así
las zona de
agotamiento o
empobrecimiento
- 4. La zona de
deplexión es mucho
menor que la del
material tipo P y N,
pero a medida que los
electrones libres
sigan pasando la line
a de unión (con
mayor dificultad cada
vez por escases de
huecos y electrones
libres aledaños) esta
zona se ira
ensanchado.
- 5.Cuando los electrones
libres ya no pueden
pasar la línea de unión,
se dice que el material
P-N esta en equilibrio y la
zona de deplexión se
convierte en una barrera
para los electrones de
lado N
- 6.Analizando la zona de
empobrecimiento o
agotamiento podemos
observar en su
estructura atómica que:
El material tipo N
quedará cargado
positivamente por tener
1 protón mas. El
material tipo P quedará
cargado negativamente
por tener un electrón de
mas a estas zonas se les
denomina: POTENCIAL
DE BARRERA
- 7. si queremos hacer pasar
electrones, se debe vencer
el potencial de barrera
- 7. si queremos hacer pasar
electrones, se debe vencer
el potencial de barrera
- 6.Analizando la zona de
empobrecimiento o
agotamiento podemos
observar en su
estructura atómica que:
El material tipo N
quedará cargado
positivamente por tener
1 protón mas. El
material tipo P quedará
cargado negativamente
por tener un electrón de
mas a estas zonas se les
denomina: POTENCIAL
DE BARRERA
- 5.Cuando los electrones
libres ya no pueden
pasar la línea de unión,
se dice que el material
P-N esta en equilibrio y la
zona de deplexión se
convierte en una barrera
para los electrones de
lado N
- 4. La zona de
deplexión es mucho
menor que la del
material tipo P y N,
pero a medida que los
electrones libres
sigan pasando la line
a de unión (con
mayor dificultad cada
vez por escases de
huecos y electrones
libres aledaños) esta
zona se ira
ensanchado.
- 3. Al crearse la zona
de deplexión,
surgen a su
alrededor escasez de
huecos y electrones
libre naciendo así
las zona de
agotamiento o
empobrecimiento
- 2. Se crea una zona de
deplexión
- 1.los materiales(N)
con dificultad
pasarán la linea de
union
recombinandose con
los huecos.
- tiene 7
etapas:
- tipo n
- cristal
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