Transistores de unión Bipolar (BJT)

Estructura sustancialmente diferente a los BJT de baja potencia
Estructura vertical de cuatro capas de dopaje alternando entre "p" y "n" de diferente espesor según las necesidades
Tiene 3 terminales: colector, base y emisor.
1. Puede tener una estructura npn.
2. Puede tener una estructura pnp
Su simbología es similar a la usada en BJT de baja potencia
Su curva característica es similar a su contrparte de baja potencia exeptuando por la zona de cuasisaturación.
1. En cuasisaturación la region de arrastre no se encuentra en completo cortocircuito por lo que la disipación de potencia es mayor que en la zona de saturación severa
Casi todas las perdidas de potencia ocurren cuando el transistor se encuentra en estado activo.
Para el encendido del BJT, pasar de un estado pasivo a uno activo se debe suministrar una carga al transistor.
Para el apagado del BJT pasar de un estado activo a uno pasivo se retira toda la carga almacenada en el transistor, se logra esto reduciendo la corriente de base cerca de cero.
Un fallo común es el denominado Ruptura Secundaria la cual es una caída en picada de la tensión de colector emisor con grandes corrientes del colector.
Área de operación segura (SOA): Son un método conveniente de valores máximos a los que puede ser sometido un BJT.
1. El área de operación segura esta limitada por la ruptura secundaria

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