Son aquellos electrones
que se desprenden de su
órbita. Al desprenderse
dejan huecos. Esto sucede
por una pequeña
excitación térmica.
numero de
electrones
El número de protones en el
núcleo será igual al número de
electrones distribuidos en las
capas u orbitas del átomo.
numero atomico
Nos provee información sobre la
estructura de los átomos de los
materiales. • Cantidad de electrones
y protones que se conforman en los
átomos del material.
atomo
Conformado por orbitas en las
que se encuentran los electrones
en movimiento. • Contiene un
núcleo en donde se encuentran
los protones y los neutrones
semiconductores
cristal
Cuando varios átomos de silicio se
aproximan a otros entre si, se
forma una estructura llamada
cristal. En este caso cristal de
silicio. • Los electrones (última
capa) son compartidos con otros
átomos, en el caso del silicio se
comparten 4 electrones y a esto se
le denomina enlace covalente
octeto
Cuando los átomos
completan en su
última capa de valencia
8 electrones, la forma
que se obtiene, es una
estructura muy estable
que no da lugar a que
hallan electrones libres
y a este efecto se le
conoce como
saturación de valencia.
se pueden
clasificar en dos
tipos
intrinsecos
es un semiconductor que
esta hecho de un mismo
tipo de átomos de un
elemento. los mas
utilizados son el
germanio y el silicio. cada
átomo esta formado por
4 enlaces covalentes, de
esta manera cada atomo
posee 8 electrones en su
capa externa lo que hace
que se comporte con un
aislante debido a la
union de los electrones a
su nucleo
extrínsecos
son aquellos que se le
someten a un proceso de
impurificación o dopaje, eso
con el fin de aumentar su
conductividad. se clasifican
según el nivel de impureza
tipo N
Se utilizan elementos pentavalentes
como: fosforo, arsenico o el
antimonio. Este tipo se le conoce
como donador de electrones. Al no
estar enlazados, se moverán
facilmente por la red crisitalina
aumentando su conectividad
tipo P
se emplean elementos
trivalentes como el boro,
indio y el galio. como no
aportan los 4 electrones
necesarios para formar el
enlace covalente, de esa
forma se originan los
huecos, que hay una carencia
de un electrón. Se le
denomina donador de
huecos o aceptador de
electrones.
polarizacion de
semiconductores
tipo n
si conectamos dos placas al
semiconductor observamos:
-los electrones libres son
atraídos por el terminal
positivo de la batería, los
huecos son atraídos por el
terminal negativo, se comporta
como un aislante.
tipo p
si conectamos dos placas los
huecos son atraídos por la placa
negativa, los electrones de la
batería circulan por los huecos lo
que hace que este se comporte
como un conductor
unión P-N
tiene 7
etapas:
1.los materiales(N)
con dificultad
pasarán la linea de
union
recombinandose con
los huecos.
2. Se crea una zona de
deplexión
3. Al crearse la zona
de deplexión,
surgen a su
alrededor escasez de
huecos y electrones
libre naciendo así
las zona de
agotamiento o
empobrecimiento
4. La zona de
deplexión es mucho
menor que la del
material tipo P y N,
pero a medida que los
electrones libres
sigan pasando la line
a de unión (con
mayor dificultad cada
vez por escases de
huecos y electrones
libres aledaños) esta
zona se ira
ensanchado.
5.Cuando los electrones
libres ya no pueden
pasar la línea de unión,
se dice que el material
P-N esta en equilibrio y la
zona de deplexión se
convierte en una barrera
para los electrones de
lado N
6.Analizando la zona de
empobrecimiento o
agotamiento podemos
observar en su
estructura atómica que:
El material tipo N
quedará cargado
positivamente por tener
1 protón mas. El
material tipo P quedará
cargado negativamente
por tener un electrón de
mas a estas zonas se les
denomina: POTENCIAL
DE BARRERA
7. si queremos hacer pasar
electrones, se debe vencer
el potencial de barrera