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Descrição
Mapa Mental por jhon sencia, atualizado more than 1 year ago
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Criado por jhon sencia
quase 4 anos atrás
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Caracterización de Materiales
- Obtención y preparación
de obleas de Si
- Purificación
- 1º “silicio de grado
metalúrgico”
- refinar el SiO2
químicamente.
- refinar el SiO2
químicamente.
- 2º “silicio de grado
electrónico”
- puro
- procesado
químico
- procesado
químico
- puro
- 1º “silicio de grado
metalúrgico”
- Crecimiento
- material
orientado y
cristalino
- lingotes
- lingotes
- solidificación de
átomos de una
fase líquida
- material
orientado y
cristalino
- Czochralski
(CZ)
- velocidades de
crecimiento de
50-100mm/hr
- cristal cilíndrico
- transformación
desde un líquido
(fundente) al
sólido (cristal)
- transformación
desde un líquido
(fundente) al
sólido (cristal)
- mezcla fundida
- semilla del
semiconductor
- diámetro de
los lingotes
- coste
- Contaminación
- añadirse las
impurezas
- segregación de dopantes
- velocidades de
crecimiento de
50-100mm/hr
- Floating
Zone, FZ
- purificar
- cambio en la concentración
de las impurezas
- zona flotante
- cristales
más puros
- monocristal
- atmósfera inerte
- refinado por zonas
- ventajas
- El Si no está en contacto
con ningún crisol,
- mayor pureza
mas alta
- múltiple repetición
del proceso
- El Si no está en contacto
con ningún crisol,
- purificar
- Purificación
- Dip Coating
- Inmersión
- Deposición
- Drenaje (escurrimiento)
- Evaporación
- Aplicaciones
- Sensores de gas
- Propiedades de Reflexión
- Adhesión Celular
- Sensores de gas
- Ventajas
- Espesor (velocidad, concentración)
- Temperatura
- No Corrosivos
- Dureza
- Resistencia
- Espesor (velocidad, concentración)
- Desventajas
- Inmersión
- Obtención de GaAs
- Ga
- escaso
- escaso
- As
- abundante
- abundante
- dos procesos
- Método horizontal
de Bridgman.
- vacío y
precintado
- dos regiones diferentes
- barquilla de
cuarzo GA y As
- policristalino
- policristalino
- vacío y
precintado
- LECz.
- capa de líquido
inerte:
- óxido bórico
- químicamente
estable
- presión de
vapor baja
- transparente
ópticamente
- transparente
ópticamente
- presión de
vapor baja
- químicamente
estable
- óxido bórico
- capa de líquido
inerte:
- Método horizontal
de Bridgman.
- Ga
- Tecnología y fabricación de CIs
- Crecimiento, Preparación y
Caracterización de Materiales
Electrónicos
- Crecimiento epitaxial
de capas
- Formación de Capas Aislantes y
Conductoras
- Procesos de dopado en
Semiconductores
- Procesos de grabado y
litografía
- Pruebas de test
- Montaje y empaquetado
- Silicio vs GaAs
- Ventajas del Si
- barato
- 99.9999% pureza
- semiconductor elemental
- óxido propio
- barato
- Ventajas del GaAs
- aplicaciones optoelectrónicas
- movilidad y velocidad
de electrones
- fabricación de sustratos
semiaislantes
- dispositivos de heterounión
- aplicaciones optoelectrónicas
- Ventajas del Si
- Crecimiento, Preparación y
Caracterización de Materiales
Electrónicos
- Preparación de las obleas de Si y GaAs
- ACABADO
- CORTADO
- PULIDO
- CARACTERIZACIÓN
- ACABADO
Anexos de mídia
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