Transistor Bipolar de Junção (TBJ)

Transistor Bipolar de Junção (TBJ)

1. Estrutura

   • Junção de Diodo 3 seções ou 2 Junções //
   • Emissor ↔ Base ↔ Coletor
   • Emissor ↔ Base (JEB) Base ↔ Coletor (JBC)

2. Potenciais

   • Base (+) ↔ Emissor (-)
     • Dir. Pol. → Chave Fechada
   • Base (-) ↔ Emissor (+)
     • Rev. Pol. → Chave aberta
   • Coletor (-) ↔ Base (+)
     • Dir. Pol. → Chave Fechada
   • Coletor (+) ↔ Base (-)
     • Rev. Pol. = Chave Aberta
   • Há Corrente
     • TBJ Saturado
       • Simplificação
         • Substituir Transistor por 2 Baterias
           • VBE = 0.7 V VBC = 0.2 V
       • VCE sempre = 0.2 V
     • Comportamento de Diodo
     • VBE > 0.5 (na prática)
     • VCB <= 0.5 (na prática)
   • Não há corrente
     • Corte
     • VBE <= 0.5 (na prática)

3. Sentido V e I

   • pnp
     • V (C→E)
       • I (E→B)
         • Não esperado
   • npn
     • V (E→C)
       • I (B→E)
         • Esperado

4. Polarização

   • Corte
     • IE + IB + IC = 0
   • Saturação
     • Tensões PNP
       • V (E→B) = 0.7 V (B→C) = 0.5 V (E→C) = 0.2
   • Ativa e Ativa Invertida
     • Ativa
       • B e C (+)
         • TBJ na Região Ativa
     • Ativa Invertida
       • B e C (-)
     • Base reduzida p/ 100 µm em Pol. Ativa
       • VBE ~ 0.7
       • Fenômeno inesperado
         • 99% elétrons pulam de E para C diretamente
         • ICE → Praticamente não se altera
         • IC = 100.IB
           • Consequência de 1% dos elétrons que caem em B
         • Aproveitado em Amplificadores
     • Base reduzida p/ 100 µm em Pol. Ativa Invertida
       • Idem Pol. Ativa, porém IC <<< 100.IB
       • Sem aplicações interessantes

5. Polarização Ativa

   • Modelo
     • BE = Bateria 0.7 V
     • CE = Gerador Corrente
   • Corrente praticamente constante

Imagens e arquivos do mapa