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Perguntas do quiz (52)
1En el oscilador klystron re"ex se tiene el mecanismo de realimentación positiva para mantener las oscilaciones en el circuito debido a que el repulsor tiene una:
- Arepulsión de los electrones hacia la cavidad resonante
- Bdiferencia de potencial negativo
- Cdiferencia de potencial positivo
- Drepulsión de los electrones hacia el colector
2Seleccione las características principales de un diodo Gunn utilizado en el rango de las microondas:
1.- Cañón Electrónico
2.- Material tipo n
3.- Resistencia Negativa
4.- Corriente se retrasa con respecto al voltaje.
5.- Capacitancias- Aa. 1,2,3
- Bb. 1,3,5
- Cc. 2,3,5
- Dd. 2,3,4
3Elija la terna de palabras que completan correctamente la siguiente frase en Circuitos RF:
En un dispositivo semiconductor al incrementar la ………………………………entre sus terminales, los electrones son ……………………………………….. desde un nivel de movilidad alta a otro de movilidad baja y se le conoce con el nombre de dispositivos de ................................................. de electrones.- Aa. tensión, transferidos movilidad.
- Bb. huecas, conductor, pulidas
- Cc. tensión, transferidos, transferencia
- Dd. movilidad , tensión, transferidos
4Seleccione los elementos principales de un TWT utilizado en microondas:
1.- Cañón Electrónico 2.- Ferrita 3.- Estructura de onda progresiva
4.- Capacitancias 5.- Duplexor 6.- Campo Focal- Aa. 1,3,5
- Bb. 1,3,6
- Cc. 2,3,4
- Dd. 2,3,5
5Una señal se propaga en el interior de planos conductores cuya separación es de 6 cm, si la longitud de corte limite para la propagación es de 3 cm. Determinar la frecuencia de la onda electromagnética que circula en GHz
- A4
- B3
- C10
6En la operación básica de un tubo de ondas viajeras el mecanismo de enfoque del haz electrónico se basa en la presencia de un:
- Aa. campo eléctrico estático longitudinal en el eje del haz
- Bb. interacción continúa entre las ondas RF en una estructura de onda progresiva y el haz de luz.
- Cc. interacción continúa entre las ondas RF en una estructura de onda progresiva y el haz electrónico.
- Dd. campo magnético estático longitudinal en el eje del haz
7La separación de los planos conductores en una guia de onda debe cumplir la condición de ser:
un múltiplo entero de la media longitud de onda perpendicular a la super!cie conductora- Aa. un múltiplo entero de la media longitud de onda paralela a la super!cie conductora
- Bb. un múltiplo entero de la media longitud de onda perpendicular a la super!cie conductora
- C. un múltiplo entero de la longitud de onda paralela a la super!cie conductora
- Dd. un múltiplo entero de la longitud de onda perpendicular a la super!cie conductora
8Explique linea ahusada
- APara la guía de onda circular se usa una sección de línea ahusada para realizar el acoplamiento del cable coaxial.
• Sirve para el acoplamiento de impedancias
• Los parámetros de inductancia y capacitancia dependen de la distancia x.
• La línea ahusada es una pequeña sección de la línea de transmisión. - Bc
- APara la guía de onda circular se usa una sección de línea ahusada para realizar el acoplamiento del cable coaxial.
9En la generación de señales en el rango de microondas utilizando semiconductores se tiene los Dispositivos de transferencia de electrones cuando se cumple la condición con respecto a los valles:
- Aa. transferencia de (e-)s de movilidad baja a estado de movilidad alta
- Bb. transferencia de (e-)s de movilidad alta a estado de movilidad baja
- Cc. se tiene un 60% libre mayor en el valle L
- Dd. se tiene un 60% libre mayor en el valle U
10Explique el método de excitación lazo en una guía de onda.
- ATambién llamados bastones, se ubica donde el campo magnético es mas intenso. (Se trabaja en forma empírica).
- Bc
11Explique la fuente de alimentación de un magnetrón
- ALa fuente de alimentación consta de un transformador y de un doblador de tensión.
El transformador, con un primario alimentado a 220 V, dispone de dos secundarios, uno que suministra 3,5 V. para alimentar el !lamento del magnetrón, y
otro que suministra 2000 V - Bd
- ALa fuente de alimentación consta de un transformador y de un doblador de tensión.
12Relacione las siguientes de!niciones usadas en el módulo Circuitos RF (Microondas) por su
característica básica:
CARACTERISTICA
1.- Juntura tipo voltaje a.- Es la temperatura a la cual los materiales ferrosos pierden sus
propiedades magnéticas.
2.- Velocidad de Fase b.- Se tiene cuando la corriente está desfasada con respecto al
voltaje aplicado a los terminales de un material semiconductor.
3.- Temperatura de Curie c.- Es similar a una derivación serie y sus brazos se encuentran en
el mismo plano E
4.- Tiempo de Tránsito d.- Es la velocidad aparente de las o.e.m en el interior de la guía
de onda.
5.- Resistencia Negativa e.- Es el intervalo de tiempo !nito no cero que se demoran los
electrones en desplazarse desde el cátodo hacia el ánodo.- A1c,2d,3a,4e,5b
- B1e,2d,3a,4c,5b
- C1c,2d,3e,4a,5b
- Dd. 1e,2d,3a,4b,5c
13La onda electromagnética al viajar por la hélice de un TWT genera un campo eléctrico longitudinal variable con el tiempo, lo que origina una:
- Aa. modulación de velocidad del campo B
- Bb. liberación del campo RF
- Cc. absorción de campo RF
- Dd. modulación de velocidad de los electrones
14Ordene las siguientes frases para formar un texto coherente en Circuitos RF al utilizarse tubos de vacío para generar señales en el rango de las microondas:
a) la componente del EE en la cavidad es paralela al eje del haz
b) por lo que los electrones adquieren diferente velocidad
c) por lo que los electrones que cruzan el resonador
d) experimentan un campo acelerante durante medio ciclo y uno de retardo en el otro ciclo
e) fenómeno que se conoce como modulación de velocidad del haz electrónico.- Aa. a,c,d,b,e
- B. a,c,d,e,b
- Cc. a,d,c,e,b
- Dd. d,e,a,c,b
15En las llamadas Junturas Múltiples la rama T está en el mismo plano que la dirección del campo magnético y su estructura es simétrica, esto es la condición de:
- Aa. campo eléctrico en contrafase con la salida
- Bb. campo magnético en contrafase con la salida
- Cc. Plano E
- D. Plano H
16En una aplicación práctica de la T mágica se tiene una conexión en conjunto con una antena, un mezclador y una carga de acoplamiento cuya función es:
- Aa. aislar la entrada y la salida del sistema
- Bb. generar la frecuencia intermedia
- Cc. eliminar la señal para no generar ondas re"ejadas
- Dd. generar FI para procesos de modulación
17Para incrementar la frecuencia de operación en el rango de microondas de los dispositivos de tubo de vacío se puede reducir el intérvalo de tiempo que tardan los electrones en movilizarse desde el cátodo al ánodo:
- Aa. espaciamiento de grilla y las áreas de los electrodos
- Bb. elevando voltaje anodo -catodo y aumentando distancia interelectrodica
- Cc. espaciamiento interelectródico y las áreas de los electrodos
- Dd. elevando voltaje anodo -catodo y disminuyendo distancia interelectrodica
18La resistencia dinámica negativa en los dispositivos semiconductores se produce por el retraso de la corriente respecto al voltaje por la presencia de:
- Aa. el retraso de la corriente respecto al voltaj
- Bb. campos eléctricos elevados en el semiconductor
- Cc. campos eléctricos bajos en el semiconductor
- Dd. campos magnéticos elevados en el semiconductor
19En los aparatos recíprocos si se logra variar la frecuencia de precesión para que sea aproximadamente igual a la frecuencia de propagación se le conoce como un fenómeno de:
- A. resonancia magnética
- Bb. resonancia electrónica
- Cc. resonancia giroscópica
- Dd. transmisión unidireccional
20El efecto de resistencia negativa en los dispositivos semiconductores utilizados en alta frecuencia se tiene por dos fenómenos acumulados, elija los fenómenos que intervienen:
- Aa. la tensión que genera la ruptura por avalancha y el retardo dado por el tiempo de tránsito
- Bb. la tensión de alta frecuencia para generar la ruptura por avalancha y el retardo nulo dado por el tiempo de tránsito
- Cc. la tensión de alta frecuencia para generar la ruptura por avalancha y el retardo finito dado por el tiempo de tránsito
- Dd. la tensión de baja frecuencia para generar la ruptura por avalancha y el retardo dado por el tiempo de movilidad
21En el magnetrón el mecanismo de generación de las señales en el rango de microondas, incluye la interacción de campos electromagnéticos con electrones que se desplazan en:
- Aa. campos eléctricos y magnéticos dinámicos paralelos entre sí
- Bb. campos eléctricos y magnéticos estáticos paralelos entre sí.
- Cc. campos eléctricos y magnéticos dinámicos perpendiculares entre sí
- Dd. campos eléctricos y magnéticos estáticos perpendiculares entre sí.
22En el dispositivo de tubo de vacio llamado klystron la energía de radiofrecuencias en el rango de las microondas se tiene por la:
- Aa. interacción del haz electrónico y el campo magnético
- Bb. interacción del haz electrónico y el campo eléctrico paralelo al eje del haz
- Cc. conversión de la energía cinética de corriente continua
- Dd. interacción del haz electrónico y el campo eléctrico
23En el tubo de vacío TWT la hélice tiene un espaciamiento entre vueltas adyacentes aproximadamente igual a cero al igual que el grosor del alambre, lo que la convierte en una estructura eléctricamente suavee, en la cual se cumple la condición:
- Aa. conductividad en la dirección del alambre tiende a in!nito y en la dirección paralela al haz tiende a cero
- Bb. conductividad en la dirección del alambre tiende a in!nito y en la dirección perpendicular al alambre tiende a cero
- Cc. conductividad en la dirección del alambre tiende a in!nito y en la dirección paralela al alambre tiende a cero
- Dd. conductividad en la dirección del alambre tiende a in!nito y en la dirección perpendicular al haz tiende a cero
24En un magnetrón se debe seleccionar el instante de emisión del electrón del cátodo para que su dinámica electrónica favorezca la extracción de energía RF ya que se genere la condición:
- Aa. el electrón suministra energía al campo Rf
- Bb. conversión de energía estática
- C. el electrón absorbe energía del campo Rf
- Dd. conversión de energía potencial estática
25En el mecanismo de oscilación del magnetrón para que el electrón que es emitido por el cátodo absorba energía del campo RF debe experimentar:
- Aa. campos retardantes
- Bb. la velocidad del electrón tiene la misma dirección que el E
- Cc. campos acelerantes
- Dd. la velocidad del electrón tiene la misma dirección que el B
26Elija la terna de palabras que completan correctamente la siguiente oración:
En una guia de onda se tiene que la velocidad de............... ........... que indica la rapidez con la que una o.e.m cambia de fase en una dirección ...................... a
una super!cie .....................................................- Aa. fase, paralela, conductora
- Bb. fase, paralela, semiconductora
- Cc. grupo, paralela, conductora
- Dd. fase, perpendicular, conductora
27Una señal se propaga en una guía de onda con una frecuencia de 8[GHz], si la distancia entre los planos conductores es de 5[cm].
Determinar la longitud de onda de corte para el modo dominante, la longitud de onda en la guia y la velocidad de fase.- Aa. 10 cm, 4,5 cm,1,08c
- Bb. 10cm, 4,04 cm, 1,08c
- Cc. 5 Ghz, 5 cm, 0,55c
- Dd. 10 cm, 4,04 cm, 1,55c
28En un tubo de ondas progresivas se tiene el fenómeno de ondas de carga espacial en el haz electrónico, por la presencia de:
- Aa.fluctuaciones en el agrupamiento de electrones
- Bb. "uctuaciones de densidad de carga y de corriente
- Cc. "uctuaciones de densidad de carga y de voltaje
- Dd. "uctuaciones de densidad de masa y de corriente
29Elija la terna de palabras que completan correctamente la siguiente oración:
En un tubo de vacío el tiempo de ..................., es el intérvalo de tiempo !nito no cero que tarda en desplazarse el .................... desde el cátodo al ............- Aa. tránsito, electrón, ánodo
- Bb. tiempo, !nito no cero, cátodo
- Cc. tránsito, hueco, ánodo
- Dd. tiempo, !nito no cero, ánodo
30Explique el funcionamiento básico de un aislador de ferrita.
- An dispositivo de microondas que permite energía para pasar con pérdida insignificante en una dirección a través de una guía de onda o línea coaxial, mientras que absorbe el paso de energía en la dirección opuesta.
- Bv
31El fenómeno avalancha en un material semiconductor se genera cuando los electrones son acelerados, por efecto de un campo eléctrico alto y al chocar con otro átomos se producen pares electrón - hueco, creando un:
- Aa. efecto de ionización de la red cristalina
- Bb. par electrón - hueco
- C. efecto negativo y una reacción en cadena
- Dd. efecto multiplicativo y una reacción en cadena
32Una señal se propaga en una guía de onda con una frecuencia de 6[GHz], si la distancia entre los planos conductores es de 3[cm].
Determinar la frecuencia de corte para el modo dominante, la longitud de onda, la velocidad con la que se propaga la señal en la
guía.- Aa. 6 Ghz, 6 cm, 0,65c
- Bb. 5 Ghz, 5 cm, 0,55c
- Cc. 5 Ghz, 5 cm, 0,65c
- Dd. 5 Ghz, 6 cm, 0,55c
33En un magnetrón se debe seleccionar el instante de emisión del electrón del cátodo para que su dinámica electrónica favorezca la generación de energía RF por la:
- Aa. conversión de energía estática
- Bb. conversión de energía potencial estática
- Cc. conversión de energía cinética continúa
- Dd. conversión de energía magnética
34Seleccione las características principales de un diodo Gunn utilizado en el rango de las microondas:
Seleccione las características principales de un diodo Gunn utilizado en el rango de las microondas:
1.- Cañón Electrónico
2.- Material tipo n
3.- Resistencia Negativa
4.- Capacitancias
5.- Corriente se retrasa con respecto al voltaje.- Aa. 2,3,4
- Bb. 1,3,5
- Cc. 1,2,3
- Dd. 3,4,5
35La resistencia dinámica negativa en los dispositivos semiconductores se produce por:
- Aa. el retraso de la corriente respecto al voltaje
- Bb. el adelanto de la corriente respecto al voltaje
- Cc. el retraso de la resistencia respecto al voltaje
- Dd. adelanto de la resistencia respecto al voltaje
36En la generación de señales en el rango de microondas utilizando semiconductores se tiene los Dispositivos de transferencia de electrones cuando se tiene una:
- Aa. transferencia de H
- Bb. transferencia de (e-)s de movilidad baja a estado de movilidad alta
- Cc. transferencia de (e-)s de movilidad alta a estado de movilidad baja
- Dd. transferencia de E
37Para incrementar la frecuencia de operación en el rango de microondas se puede aumentar el Vak, lo que incrementa la disipación de calor en el ánodo, pero se lo puede disminuir reduciendo el:
- Aa. tiempo de tránsito y las áreas de los electrodos
- Bb. espaciamiento interelectródico y el tiempo de transito
- Cc. espaciamiento interelectródico y las áreas de los electrodos
- Dd. espaciamiento de grilla y las áreas de los electrodos
38En un klystron la energía de RF se tiene por la:
- Aa. interacción del haz electrónico y el campo eléctrico paralelo al eje del haz
- Bb. interacción del haz electrónico y el campo magnético
- Cc. conversión de la energía cinética de corriente continua
- Dd. interacción del haz electrónico y el campo eléctrico
39De acuerdo con las necesidades que debe cumplir una antena en un sistema de telecomunicación, se tienen las características que debe tener un alimentador, las cuales son:
- A1.- El alimentador debe producir una buena iluminación del re"ector, con bajos lóbulos laterales.
2. - Debe producir un campo lejano con ciertas características de polarización.
3. - Simultáneamente debe transmitir y recibir con polarizaciones ortogonales, si así se lo
requiere.
4.- Debe estar diseñado para entregar una cantidad de potencia determinada. - Bd
- A1.- El alimentador debe producir una buena iluminación del re"ector, con bajos lóbulos laterales.
40En el mecanismo de oscilación del magnetrón para que el electrón libere energía al campo RF se debe cumplir:
- Aa. la velocidad del electrón tiene la misma dirección que el B
- Bb. la velocidad del electrón tiene la dirección opuesta que el B
- Cc. la velocidad del electrón tiene la misma dirección que el E
- Dd. la velocidad del electrón tiene la dirección opuesta que el E
41Elija la terna de palabras que completan correctamente la siguiente oración:
Una Guía de Onda consiste en secciones ……………… constituidas por material …………………… cuyas paredes son perfectamente …..……………..- Aa. huecas, semiconductor, pulidas
- Bb. huecas, conductor, pulidas
- Cc. huecas, aislante, pulidas
- Dd. huecas, semiconductor, rugosas
42El efecto de resistencia negativa en los dispositivos semiconductores utilizados en alta frecuencia se tiene por dos fenómenos acumulados, elija los fenómenos que intervienen:
- Aa. la tensión de baja frecuencia para generar la ruptura por avalancha y el retardo dado por el tiempo de movilidad
- Bb. la corriente de alta frecuencia para generar la ruptura por avalancha y el retardo dado por el tiempo de tránsito
- Cc. la tensión de alta frecuencia para generar la ruptura por avalancha y el retardo dado por el tiempo de tránsito
- Dd. la tensión que genera la ruptura por avalancha y el retardo dado por el tiempo de tránsito
43Las bocinas rectangulares se alimentan con una guía de onda rectangular que se orienta normalmente para su análisis: con la cara ancha horizontal
- Aa. con la cara ancha horizontal
- Bb. con la cara ancha vertical
- Cc. con la cara angosta horizontal
- Dd. con la cara angosta vertical
44Elija la terna de palabras que completan correctamente la siguiente oración:
En un dispositivo semiconductor al incrementar la ………………………………entre sus terminales, los electrones son
……………………………………….. desde un nivel de movilidad alta a otro de ……………………………………………… baja y se le conoce con el
nombre de dispositivos de transferencia de electrones.- Aa. huecas, conductor, pulidas
- Bb. movilidad , tensión, transferidos
- Cc. tensión, transferidos, movilidad
- Dd. tensión, movilidad ,transferidos
45Elija la terna de palabras que completan correctamente la siguiente oración:
En un tubo de vacío el ......................... de tránsito, es el intérvalo de tiempo …………………… que tarda en desplazarse el electrón
desde el ………………….. al ánodo- Aa. tiempo, !nito no cero, cátodo
- Bb. espacio, !nito no cero, cátodo
- Cc. tiempo, !nito no cero, ánodo
- Dd. tiempo, !nito cero, cátodo
46El modo de propagación en un antena microstrip es Cuasi-TEM puesto que el medio entre los conductores no es homogéneo lo cual indica que la velocidad de fase es diferente a la: velocidad en el espacio libre y de la velocidad en el dieléctrico
- Aa. velocidad en el espacio libre
- B. velocidad en el espacio libre y de la velocidad en el dieléctrico "
- Cc. velocidad en el dieléctrico
- Dd. velocidad de los electrones y de la velocidad en el dieléctrico
47En el magnetrón el mecanismo de generación de las microondas, incluye la interacción de campos electromagnéticos con electrones que se desplazan en:
- Aa. campos eléctricos y magnéticos estáticos perpendiculares entre sí.
- Bc. campos eléctricos y magnéticos dinámicos perpendiculares entre sí
- Cd. campos eléctricos y magnéticos estáticos paralelos entre sí.
- Db. campos eléctricos y magnéticos dinámicos paralelos entre sí
48La operación básica de un TWT se basa en la:
- Aa. interacción continúa entre las ondas RF en una estructura de onda progresiva y el haz electrónico.
- Bb. interacción continúa entre las ondas luminosas en una estructura de onda progresiva y el haz electrónico
- Cc. interacción continúa entre las ondas RF en una estructura de onda rápida divergente y el haz electrónico
- Dd. interacción continúa entre las ondas RF en una estructura de onda progresiva y el haz de luz.
49El fenómeno avalancha en un material semiconductor se genera cuando los electrones son acelerados, por efecto de un campo eléctrico alto y al chocar con::
- Aa. átomos de la red le ionizan y crean un par electrón - hueco
- Bb. átomos de la red le ionizan y crean un par hueco - hueco
- Cc. átomos de la red le ionizan y crean un hueco
- Dd. átomos de la red le desionizan y crean un par electrón –electrón.
50Seleccione los elementos principales de un TWT utilizado en microondas:
1.- Cañón Electrónico 2.- Ferrita 3.- Estructura de onda progresiva
4.- Capacitancias 5.- Campo Focal.- Aa. 2,3,5
- Bb. 2,3,4
- Cc. 2,4,5
- Dd. 1,3,5
51En el oscilador klystron reflex se tiene el mecanismo de realimentación positiva para mantener las oscilaciones por el efecto de:
- Aa. la repulsión de los electrones por el E
- Bb. la repulsión de los electrones hacia la cavidad resonante
- Cc. la repulsión de los electrones hacia el colector
- Dd. la repulsión de los electrones hacia el !lamento de tungsteno
52 Seleccione los elementos principales de un Klystron utilizado en microondas:
1.- Cañón Electrónico 2.- Ferrita 3.- Haz Electrónico
4.- Capacitancias 5.- Cavidad reentrante. 6.- Filamento de tungsteno.- Aa. 2,3,5,6
- Bb. 2,4,5,6
- Cc. 1,3,5,6
- Dd. 2,3,4,5
Informações
- Descrição
- Quiz sobre RFFFFFFFFFFFF, criado por Evelin Satuquinga em 19-01-2022.
- Autor
- Evelin Satuquinga
- Idioma
- English
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