GoConqr has a new look! Let us know what you think.

Sign up free

Quiz

Tema 6

javier.fsj 10 questions

Take the quiz

This quiz has question types that open in the usual player.

Questions in this quiz (10)

  1. 1El modelo incremental o de pequeña señal nos permite linealizar localmente el comportamiento no lineal de los dispositivos semiconductores. Esta filosofía se lleva a la teoría de cuadripolos. En el modelo de cuadripolo de tipo 5 (módelo híbrido), se relacionan la Tensión de entrada Vin y la Corriente de salida Vout con la corriente de entrada Iin y la Tensión de salida Vout. Emparejar las siguientes definiciones:
    1. dIout/dIin (Vout=0) [blank_start]MENU[blank_end]
    2. dVin/dVout (Iin=0) [blank_start]MENU[blank_end]
    3. dVin/dIin (Vout=0) [blank_start]MENU[blank_end]
    4. dIout/dVout (Iin=0) [blank_start]MENU[blank_end]

    Ganancia= Ganancia en corriente (hf)
    Fracción= Fracción incremental de la tensión de salida que aparece en la entrada (hr)
    Impedancia =Impedancia de entrada (hi)
    Admitancia=Admitancia o Conductancia de salida (ho)
    1. AGanancia
    2. BFracción
    3. CImpedancia
    4. DAdmitancia
    5. EGanancia
    6. FFracción
    7. GImpedancia
    8. HAdmitancia
    9. IGanancia
    10. JFracción
    11. KImpedancia
    12. LAdmitancia
    13. MGanancia
    14. NFracción
    15. OImpedancia
    16. PAdmitancia
  2. 2Los modos del funcionamiento de un transistor bipolar son cuatro. Definir el estado del transistor en función de la polarización de las uniones.
    1.Unión Base-Emisor: Inversa; Unión Base-Colector: Inversa [blank_start]MENU[blank_end]
    2.Unión Base-Emisor: Directa; Unión Base-Colector: Directa [blank_start]MENU[blank_end]
    3.Unión Base-Emisor: Inversa; Unión Base-Colector: Directa [blank_start]MENU[blank_end]
    4.Unión Base-Emisor: Directa; Unión Base-Colector: Inversa [blank_start]MENU[blank_end]
    1. ACorte
    2. BSaturación
    3. CActivo inverso (no se utiliza)
    4. DActivo Normal
    5. ECorte
    6. FSaturación
    7. GActivo inverso (no se utiliza)
    8. HActivo Normal
    9. ICorte
    10. JSaturación
    11. KActivo inverso (no se utiliza)
    12. LActivo Normal
    13. MCorte
    14. NSaturación
    15. OActivo inverso (no se utiliza)
    16. PActivo Normal
  3. 3La corriente de Emisor [blank_start]MENU[blank_end]
    La corriente de Colector [blank_start]MENU[blank_end]
    La corriente de Base [blank_start]MENU[blank_end]

    A-es la suma de la corriente de Colector y la corriente de Base.
    B–en los NPN fluye de la Base al Emisor y en los PNP fluye desde el Emisor a la Base.
    C–es beta veces la corriente de Base.
    1. AA
    2. BB
    3. CA
    4. DB
    5. EA
    6. FC
  4. 4La configuración del transistor o topología para la entrada y salida de señales (base común, colector común y emisor común) influye en los esquemas de polarización del transistor (modo activo, saturación o corte).
    Seleccione una:
    1. ATrue
    2. BFalse
  5. 5Cuando un Transistor NPN se encuentra en modo activo normal, el modelo de EberMoll asociado se puede simplificar a:
    Seleccione una o más de una:
    1. AUna fuente de corriente dependiente cuyo valor es β veces la corriente de base entre los terminales de Colector y Base, y una pila entre la Base (lado negativo) y el Emisor (lado positivo) de un valor de unos 0.6-0.7 voltios si el transistor va a trabajar en el rango de los miliamperios.
    2. BUna fuente de corriente dependiente cuyo valor es β veces la corriente de base entre los terminales de Colector y de Base, y un diodo entre la Base (ánodo) y el Emisor (cátodo).
    3. CUna fuente de corriente independiente entre Colector y Base y un diodo en directa entre Base y Emisor.
    4. DUna fuente de corriente dependiente cuyo valor es β veces la corriente de base entre los terminales de Colector y Base, y una pila entre la Base (lado positivo) y el Emisor (lado negativo) de un valor de unos 0.6-0.7 voltios si el transistor va a trabajar en el rango de los miliamperios.
  6. 6La relación entre la corriente de colector y la corriente de base de un transistor bipolar β=Ic/Ib es un parámetro que depende de la corriente de colector. Por eso los fabricantes diseñan muchos tipos de transistores para adaptar los requerimientos de corriente a la ganancia β en los diversos sistemas electrónicos.
    Seleccione una:
    1. ATrue
    2. BFalse
  7. 7El transistor bipolar suele polarizarse con una red de 5 Resistencias (R1,R2,RC,RF y RE), denominada Red General pudiendo simplificarse eliminando algunas de ellas.
    Seleccione una o más de una:
    1. AEl modelo de inestabilidad del transistor nos permite evaluar la influencia de cada una de las resistencias de la red general en los factores de inestabilidad.
    2. BLa red general constituye una red que realiza una realimentación negativa en Tensión a través de la resistencia RF que se conecta entre el terminal de Colector y el terminal de Base.
    3. CLa red general constituye una red que realiza una realimentación negativa en corriente a través de la resistencia de Emisor RE.
  8. 8Los factores de inestabilidad de un transistor bipolar tienen en cuenta los cambios en la corriente de colector debidos a las variaciones en la corriente de fugas de la unión base-colector, las variaciones de la tensión Base-Emisor y las variaciones de la ganancia en corriente.
    Seleccione una o más de una:
    1. ALa corriente de emisor debe ser lo mas grande posible para minimizar el pactor de inestabilidad de la ganancia.
    2. BPara minimizar el coeficiente de inestabilidad frente a variaciones de la tensión base-emisor hay que hacer RE lo mas pequeño posible.
    3. CEl partidor R1-R2 no influye en los coeficiente de inestabilidad.
    4. DLa corriente de emisor debe ser lo mas pequeña posible para minimizar el coeficiente de inestabilidad frente a la ganancia.
    5. ELa red de polarización no influye en estos factores.
    6. FLa resistencia de emisor RE y el partidor RB influyen en el coeficiente de inestabilidad frente a la corriente de fugas.
    7. GLa resistencia de emisor debe ser lo mas grande posible para minimizar el factor de inestabilidad de la tensión base-emisor.
    8. HLa red de polarización influye en estos factores.
  9. 9El transistor FET posee tres regiones de funcionamiento: Corte, Lineal y Saturación. Emparejar las afirmaciones.
    1. Si la tensión puerta-fuente menos la tensión umbral es mayor a cero y además, es menor que la tensión drenador-fuente [blank_start]MENU[blank_end]
    2. Si la tensión puerta-fuente menos la tensión umbral es menor o igual a cero [blank_start]MENU[blank_end]
    3. Si la tensión puerta-fuente menos la tensión umbral es mayor a cero y además, es mayor que la tensión drenador-fuente [blank_start]MENU[blank_end]
    1. ASe encuentra en Saturación
    2. BSe encuentra en Corte
    3. CSe encuentra en Región Lineal
    4. DSe encuentra en Saturación
    5. ESe encuentra en Corte
    6. FSe encuentra en Región Lineal
    7. GSe encuentra en Saturación
    8. HSe encuentra en Corte
    9. ISe encuentra en Región Lineal
  10. 10La complejidad de los modelos del transistor MOS implica la necesidad del uso del simulador para garantizar las zonas de corte, lineal o saturación.
    Seleccione una:
    1. ATrue
    2. BFalse

Information

Description
5 Electronica Quiz on Tema 6, created by javier.fsj on 02/09/2015.
Language
Español
Views
0
Rating
No ratings yet
Rate this quiz
Rate this quiz

Feedback

What is it about?

What do you think of the new look?

How do you like it?