COMUNICACIONES ELECTRONICAS 5

1. 11. SON EN ESCENCIA LOS DOS DISPOSITIVOS QUE SE USAN CON FRECUENCIA PARA GENERAR LUZ EN SISTEMAS DE COMUNICACIONES CON FIBRA OPTICA.

   1. ADIODOS EMISORES DE LUZ (LED) Y DIODOS LASER DE INYECCION (ILD)
   2. BDIODOS EMISORES DE LUZ (LED) Y FOTOCELDAS
   3. CDIODOS EMISORES DE LUZ (LED) Y FUENTES LUMINOSAS
2. 22. ESTOS DISPOSITIVOS TIENEN ANCHOS ESPECTRALES DE 30 A 50 nm.

   1. ALED NORMALES
   2. BILD
3. 33. ESTOS DISPOSITIVOS SOLO TIENEN ANCHOS ESPECTRALES DE 1 A 3 nm.

   1. AILD
   2. BLED NORMALES
4. 44. UN nm EQUIVALE A UNA FRECUENCIA DE:

   1. A178 GHZ
   2. B158 GHZ
   3. C2 GHZ
5. 55. ES EL EQUIVALENTE, EN LONGITUDES DE ONDA, DEL ANCHO DE BANDA.

   1. AEL ANCHO DE RAYA
   2. BLA AMPLITUD DE RAYA
   3. CLA FRECUENCIA DE RAYA
6. 66.EL MAYOR COSTO DE LOS ___________________SE COMPENSA CON UNA MAYOR EFICIENCIA, MIENTRAS QUE _________________, NORMALMENTE TIENEN MENOR COSTO Y MENOS EFICIENCIA.

   1. ADIODOS DE LASER, DIODOS EMISORES DE LUZ
   2. BDIODOS EMISORES DE LUZ, DIODOS DE LASER
7. 77. ES UN DIODO DE UNION p-n, FABRICADO CASI SIEMPRE CON UN MATERIAL SEMICONDUCTOR COMO EL ARSENURIO DE ALUMINIO Y GALIO (ALGaAS) O EL ARSENURIO FOSFURO DE GALIO (GaAsP).

   1. ADIODO EMISOR DE LUZ (LED, POR LIGHT-EMITTING DIODE)
   2. BDIODO DE LASER DE INYECCION (ILD, INJECTION LASER DIODE)
   3. CLED DE CRECIMIENTO EPITAXIAL
8. 88. ESTE TIPO DE DIODO EMITE LUZ POR EMISION ESPONTANEA: LA LUZ SE EMITE COMO RESULTADO DE LA RECOMBINACION DE ELECTRONES CON HUECOS.

   1. ADIODO EMISOR DE LUZ (LED, LIGHT EMITTING DIODE)
   2. BDIODO DE LASER DE INYECCION (ILD, INJECTION LASER DIODE)
   3. CLED DE CRECIMIENTO EPITAXIAL
9. 99. EN ESTE TIPO DE EMISOR, UNA VEZ ATRAVESADA LA UNION, ESOS PORTADORES MINORITARIOS SE RECOMBINAN CON PORTADORES MAYORITARIOS Y DESPRENDEN ENERGIA EN FORMA DE LUZ.

   1. ADIODO EMISOR DE LUZ (LED, LIGTH EMITTER DIODE)
   2. BDIODO DE LASER DE INYECCION (ILD, INJECTION LASER DIODE)
   3. CLED DE CRECIMIENTO EPITAXIAL
10. 1010. EN ESTOS EMISORES, EL PROCESO ES ESCENCIALMENTE EL MISMO QUE EN UN DIODO SEMICONDUCTOR CONVENCIONAL, PERO SE ELIGEN CIERTOS MATERIALES SEMICONDUCTORES Y DOPANTES TALES QUE EL PROCESO ES RADIACTIVO. ESTO ES, QUE PRODUCE UN FOTON.

    1. ADIODO EMISOR DE LUZ (LED. LIGHT EMITTER DIODE)
    2. BDIODO DE LASER DE INYECCION (ILD, INJECTION LASER DIODE)
    3. CLED DE CRECIMIENTO EPITAXIAL

11. 1111. ES UN CUANTO DE ENERGIA DE ONDA ELECTROMAGNETICA. SON PARTICULAS QUE VIAJAN A LA VELOCIDAD DE LA LUZ, PERO QUE EN REPOSO NO TIENEN MASA.

    1. AFOTON
    2. BELECTRON
    3. CHUECO
12. 1212. EN LA FABRICACION DE LED, DETERMINA EL COLOR DE LA LUZ QUE EMITE, Y SI LA LUZ EMITIDA ES VISIBLE AL OJO HUMANO.

    1. ABANDA PROHIBIDA DEL MATERIAL
    2. BBANDA EXCLUSIVA DEL MATERIAL
    3. CBANDA RADIOACTIVA DEL MATERIAL
13. 1313. SE FORMAN SEMICONDUCTORES CON MATERIALES CUYOS ATOMOS TIENEN TRES O CINCO ELECTRONES DE VALENCIA; SE CONOCEN COMO ATOMOS DEL GRUPO III O DEL GRUPO V.

    1. ALED
    2. BILD
    3. CLED DE CRECIMIENTO EPITAXIAL
14. 1414. PARA PRODUCIR LONGITUDES DE ONDA EN LA REGION DE 800 nm, LOS LED SON DE ATOMOS DEL GRUPO_________Y UN ATOMO DEL GRUPO __________.

    1. AIII, V
    2. BV, III
15. 1515. ES LA UNION QUE SE FORMA PARA PRODUCIR UNA ONDA DE LUZ EN LA REGION DE 800 nm.

    1. AGaAlAs
    2. BGaInAsP
16. 1616.EL GALIO (Ga) JUNTO CON EL INDIO (In), UN ATOMO DEL GRUPO III, SE COMBINAN CON ATOMOS DE FOSFORO (P) Y ARSENICO DEL GRUPO V.

    1. APARA LONGITUDES MAYORES A 800 nm
    2. BPARA LONGITUDES MENORES A 800 nm,
17. 1717. ES UNA UNION p-n FORMADA CON DOS MEZCLAS DISTINTAS DE IGUAL TIPO DE ATOMOS.

    1. AESTRUCTURA HOMOUNION
    2. BESTRUCTURA HETEROUNION
    3. CLED DE CRECIMIENTO EPITAXIAL
18. 1818. SON LAS ESTRUCTURAS MAS SENCILLAS DE LED.

    1. AHOMOUNION Y CRECIMIENTO EPITAXIAL
    2. BHETEROUNION Y CRECIMIENTO EPITAXIAL
    3. CLED DE CRECIMIENTO EPITAXIAL
19. 1919. SON LAS ESTRUCTURAS MAS SENCILLAS DE LED.

    1. ADISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE UN SOLO SEMICONDUCTOR FUNDIDO
    2. BDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE DOS SEMICONDUCTORES FUNDIDOS
    3. CLED DE CRECIMIENTO EPITAXIAL
20. 2020. ESTE TIPO DE LED SE FABRICA EN GENERAL CON ARSENURIO DE GALIO DOPADO CON SILICIO. UN ALONGITUD DE ONDA NORMAL EMITIDA CON ESTA ESTRUCTURA ES DE 940 nm Y LA POTENCIA DE SALIDA ES APROXIMADAMENTE 2 mW (3dB) a 100 mA DE CORRIENTE DIRECTA.

    1. ALED DE CRECIMIENTO EPITAXIAL
    2. BLED DE HOMOUNION
    3. CLED DE HETEROUNION
21. 2121. LAS ONDAS LUMINOSAS PRODUCIDAS EN FUENTES DE _____________NO PRODUCEN UNA LUZ MUY UTIL PARA UNA FIBRA OPTICA. LA LUZ SE EMITE EN TODAS DIRECCIONES POR IGUAL Y, EN CONSECUENCIA, SOLO UNA PEQUEÑA FRACCION DEL TOTAL DE LA LUZ PRODUCIDA SE ACOPLA A LA FIBRA

    1. AHOMOUNION
    2. BHETEROUNION
22. 2222. EN ESTE TIPO DE FUENTES, LA RELACION DE ELECTRICIDAD CONVERTIDA EN LUZ ES MUY BAJA.

    1. AFUENTES DE HOMOUNION
    2. BFUENTES DE HETEROUNION
23. 2323. SE LES CONOCE CON FRECUENCIA COMO EMISORES SUPERFICIALES.

    1. ADISPOSITIVOS DE HOMOUNION
    2. BDISPOSITIVOS DE HETEROUNION
24. 2424. SE FABRICAN CON MATERIAL SEMICONDUCTOR TIPO p DE UN CONJUNTO DE ATOMOS, Y UN MATERIAL SEMICONDUCTOR TIPO n DE OTRO CONJUNTO.

    1. ALED DE HETEROUNION
    2. BLED DE HOMOUNION
25. 2525. ESTE TIPO DE DISPOSITIVOS ESTAN ESTRATIFICADOS (NORMALMENTE DOS CAPAS) DE TAL MANERA QUE SE AMPLIA EL EFECTO DE CONCENTRACION. ASI, SE PRODUCE UN DISPOSITIVO QUE CONFINA A LOS ELECTRONES, LOS HUECOS PORTADORES Y LA LUZ, EN UN AREA MUCHO MENOR.

    1. ALED DE HETEROUNION
    2. BLED DE HOMOUNION
26. 2626. EN ESTE LED, LA UNION SE SUELE FABRICAR SOBRE UN SUBSTRACTO DE MATERIAL DE RESPALDO, PARA DESPUES EMPAREDARSE ENTRE CONTACTOS METALICOS CON LOS QUE SE CONECTA EL DISPOSITIVO A UNA FUENTE DE ELECTRICIDAD.

    1. ALED DE HETEROUNION
    2. BLED DE HOMOUNION
    3. CLED DE CRECIMIENTO EPITAXIAL
27. 2727. ESTE TIPO DE LED PRODUCEN MAS O MENOS 500 MICRO W A 900 nm DE LONGITUD DE ONDA.

    1. ALED DE HOMOUNION DE DIFUSION PLANA
    2. BLED EMISORES DE BORDE
    3. CLED DE CRECIMIENTO EPITAXIAL
28. 2828. CON ESTOS DISPOSITIVOS LA LUZ SE EMITE DESDE LA ORILLA DEL MATERIAL Y, EN CONSECUENCIA, SE LES LLAMA EMISORES DE BORDE.

    1. ALED DE HETEROUNION
    2. BLED DE HOMOUNION
    3. CLED DE HETEROUNION PLANA
29. 2929. ESTE TIPO DE LED SE PARECE AL LED DE CRECIMIENTO EPITAXIAL, EXCEPTO QUE EL DISEÑO GEOMETRICO ES TAL QUE SE CONCENTRA LA CORRIENTE DIRECTA EN UN AREA MUY PEQUEÑA DE LA CAPA ACTIVA.

    1. ALED DE HETEROUNION PLANA
    2. BLED DE HOMOUNION DE DIFUSION PLANA
30. 3030. EN ESTOS DISPOSITIVOS, EL AUMENTO DE DENSIDAD DE CORRIENTE GENERA UNA MANCHA LUMINOSA MAS BRILLANTE.

    1. ADISPOSITIVOS HETEROUNION
    2. BDISPOSITIVOS HOMOUNION
31. 3131. EN ESTOS DISPOSITIVOS, LA MENOR AREA EMISORA FACILITA ACOPLAR LA LUZ EMITIDA A UNA FIBRA.

    1. ADISPOSITIVOS HETEROUNION
    2. BDISPOSITIVOS HOMOUNION
32. 3232. EN ESTOS DISPOSITIVOS, LA PEQUEÑA AREA EFECTIVA TIENE MENOR CAPACITANCIA, LO QUE PERMITE QUE SE USEN A MAYORES VELOCIDADES.

    1. ADISPOSITIVOS HETEROUNION
    2. BDISPOSITIVOS HOMOUNION
33. 3333. ESTE TIPO DE LED SE DESARROLLO PARA LAS APLICACIONES MAS PRACTICAS, COMO TELECOMUNICACIONES QUE REQUIEREN VELOCIDADES DE DATOS MAYORES QUE 100 Mbps.

    1. ALED DE POZO GRABADO
    2. BLED DE HETEROUNION
    3. CLED EMISORES DE BORDE
34. 3434. ES UN LED DE SUPERFICIE EMISORA. EMITE LUZ ENMUCHAS DIRECCIONES, Y AYUDA A CONCENTRAR LA LUZ EMITIDA EN UN AREA MUY PEQUEÑA. TAMBIEN SE PUEDE PONER LENTES EN DOMO, SOBRE LA SUPERFICIE EMISORA, PARA DIRIGIR LA LUZ HACIA UN AREA MENOR.

    1. ALED DE SUPERFICIE EMISORA Y POZO GRABADO DE BURRUS
    2. BLED DE HETEROUNION
    3. CLED EMISORES DE BORDE
35. 3535. ESTOS DISPOSITIVOS SON MAS EFICIENTES QUE LOS EMISORES NORMALES DE SUPERFICIE Y PERMITEN ACOPLAR MAS POTENCIA A LA FIBRA OPTICA, PERO SU FABRICACION ES MAS DIFICIL Y COSTOSA.

    1. ALED DE SUPERFICIE EMISORA Y POZO GRABADO DE BURRUS
    2. BLED DE HETEROUNION
    3. CLED EMISORES DE BORDE
36. 3636. ESTE LED FUE DESARROLLADO POR LA RCA. EMITEN UNA DISTRIBUCION MAS DIRECCIONAL DE LUZ QUE LOS LED DE SUPERFICIE EMISORA. LA FABRICACION SE PARECE A LOS DIODOS PLANOS Y DE BURRUS, PERO LA SUPERFICIEN EMISORA ES UNA BANDA, MAS QUE UN AREA CIRCULA CONFINADA.

    1. ALED EMISORES DE BORDE
    2. BLED DE HETEROUNION
    3. CLED DE HOMOUNION
37. 3737. EN ESTE DISPOSITIVO, LA LUZ SE EMITE DE UNA BANDA ACTIVA Y FORMA UN HAZ ELIPTICO.

    1. ALED EMISORES DE BORDE
    2. BLED DE SUPERFICIE EMISORA Y POZO GRABADO DE BURRUS
    3. CLED DE HETEROUNION
38. 3838. SE USAN CON MAS FRECUENCIA QUE LOS EMISORES DE BORDE POR QUE EMITEN MAS LUZ. SIN EMBARGO, LAS PERDIDAS POR EL ACOPLAMIENTO DE ESTOS SON MAYORES Y TIENEN ANCHOS DE BANDA MAS ANGOSTOS.

    1. ALED DE SUPERFICIE EMISORA
    2. BLED DE HETEROUNION
    3. CLED DE HOMOUNION
39. 3939. LA POTENCIA LUMINOSA RADIANTE QUE EMITE UN LED ES UNA FUNCION LINEAL DE ______________QUE PASA POR EL DISPOSITIVO.

    1. ALA CORRIENTE DIRECTA
    2. BEL VOLTAJE DIRECTO
    3. CLA FRECUENCIA
40. 4040. SE FABRICAN CON MUCHOS Y DIVERSOS MATERIALES, QUE INCLUYEN GASES, LIQUIDOS Y SOLIDOS.

    1. ALASER
    2. BDIODOS EMISORES DE LUZ
    3. CDIODO DE INYECCION LASER
41. 4141. ES EL TIPO DE LASER QUE SE USA CON MAS FRECUENCIA PARA COMUNICACIONES CONFIBRA OPTICA.

    1. ALASER SEMICONDUCTOR
    2. BLASER DE INYECCION
    3. CLASER CONDUCTOR
42. 4242. SE COMPORTA COMO UN LED. DE HECHO, POR DEBAJO DE CIERTA CORRIENTE UMBRAL, FUNCIONA EN FORMA PARECIDA A UN LED. ARRIBA DE LA CORRIENTE DE UMBRAL, OSCILA Y SE PRODUCE LA EMISION LASER.

    1. ADIODO DE LASER DE INYECCION
    2. BDIODO DE HETEROUNION
    3. CDIODO DE HOMOUNION
43. 4343. LA FABRICACION DE ESTE DISPOSITIVO SE PARECE A LA DE UN LED, EXCEPTO QUE LOS EXTREMOS ESTA MUY PULIDOS.

    1. AILD
    2. BLED
44. 4444. SE LE CONOCE COMO ESTIMULACION DE EMISION

    1. ALASER
    2. BHETEROUNION
    3. CHOMOUNION
45. 4545. EN ESTE PROCESO, LOS EXTREMOS CON ACABADO DE ESPEJO ATRAPAN LOS FOTONES EN LA REGION ACTIVA Y AL REFLEJARSE DE UN LADO A OTRO, ESTIMULAN A ELECTRONES LIBRES, PARA RECOMBINARSE CON HUECOS A UN VALOR DE ENERGIA MAYOR QUE EL NORMAL.

    1. ALASER
    2. BRECOMBINACION
    3. CHOMOUNION
46. 4646. UNA DE SUS VENTAJAS ES QUE ES MAS FACIL DE ACOPLAR SU LUZ ENUNA FIBRA OPTICA. ESTO REDUCE LAS PERDIDAS POR ACOPLAMIENTO Y PERMITE USAR FIBRAS MAS PEQUEÑAS.

    1. AILD
    2. BLED
47. 4747. UNA DE SUS VENTAJAS ES QUE LA POTENCIA RADIANTE DE SALIDA ES MAYOR QUE LA DE UN LED. CON UNA POTENCIA NORMAL DE SALIDA DE 5 mW (7dB). POR LO QUE PERMITE QUE PROPORCIONEN UNA MAYOR POTENCIA DE ACTIVACION Y USARLOS EN SISTEMAS QUE FUNCIONEN A TRAVES DE MAYORES DISTANCIAS.

    1. AILD
    2. BLED
48. 4848. UNA DE SUS VENTAJAS ES QUE SE PUEDEN USAR A FRECUENCIAS MAYORES DE BITS

    1. AILD
    2. BLED
49. 4949. UNA DE SUS VENTAJAS ES QUE GENERAN LUZ MONOCROMATICA, LO CUAL REDUCE LA DISPERSION CROMATICA O DE LONGITUDES DE ONDA.

    1. AILD
    2. BLED
50. 5050. UNA DE SUS DESVENTAJAS ES QUE CUESTAN NORMALMENTE 10 VECES MAS QUE LOS LED.

    1. AILD
    2. BLED
51. 5151. UNA DE SUS DESVENTAJAS ES QUE COMO TRABAJAN A MAYORES POTENCIAS, SUELEN TENER DURACIONES MUCHO MENORES QUE LOS LED.

    1. AILD
    2. BLED
    3. CLASER
52. 5252. UNA DE SUS DESVENTAJAS ES QUE DEPENDEN MAS DE LA TEMPERATURA QUE LOS LED.

    1. AILD
    2. BLED
    3. CLASER
53. 5353. LOS DIODOS PIN Y APD SE UTILIZAN PARA:

    1. ADETECTAR LA LUZ LUMINOSA
    2. BEMITIR LA LUZ LUMINOSA
54. 5454. SON LOS DOS DISPOSITIVOS QUE SE SUELEN USAR PARA DETECTAR LA ENERGIA LUMINOSA EN LOS RECEPTORES DE COMUNICACIONES CON FIBRA OPTICA:

    1. ADIODOS PIN Y APD
    2. BDIODOS LED Y PIN
    3. CDIODOS APD Y LED
55. 5555. ES UN FOTODIODO DE CAPA DE AGOTAMIENTO Y ES PROBABLE QUE SEA EL DISPOSITIVO MAS USADO COMO DETECTOR DE LUZ EN LOS SISTEMAS DE COMUNICACIONES CON FIBRA OPTICA.

    1. AEL DIODO PIN
    2. BEL APD
    3. CILD
56. 5656. ESTE DISPOSITIVO TIENE UNA CAPA DOPADA LIGERAMENTE (CASI PURA O INTRINSECA) DE MATERIAL SEMINICONDUCTOR TIPO n SE ENCIERRA ENTRE LA UNION DE LAS DOS AREAS DE CONTACTO TIPO p Y TIPO n MUY DOPADAS.

    1. APIN
    2. BAPD
    3. CILD
57. 5757. EN ESCENCIA ESTE DISPOSITIVO FUNCIONA EXACTAMENTE AL CONTRARIO QUE UN LED. LA MAYORIA DE LOS FOTONES QUEDAN ABSORBIDOS POR ELECTRONES DE LA BANDA DE VALENCIA DEL MATERIAL INTRINSECO.

    1. APIN
    2. BAPD
    3. CILD
58. 5858. EN ESTE DISPOSITIVO, CUANDO SE ABSORBEN LOS FOTONES AGREGAN LA ENERGIA SUFICIENTE PARA GENERAR PORTADORES EN LA REGION DE AGOTAMIENTO, Y PERMITEN EL PASO DE LA CORRIENTE POR EL DISPOSITIVO

    1. APIN
    2. BAPD
    3. CILD
59. 5959. ES EL EFECTO QUE SE PRODUCE CUANDO LA LUZ QUE ENTRA POR LA VENTANA DE UN DIODO PIN SE ABSORBE EN EL MATERIAL INTRINSECO Y AGREGA LA ENERGIA SUFICIENTE PARA HACER QUE LOS ELECTRONES PASEN DE LA BANDA DE VALENCIA A LA BANDA DE CONDUCCION.

    1. AEFECTO FOTOELECTRICO
    2. BRESPONSIVIDAD
    3. CSENSIBILIDAD A LA LUZ
60. 6060. EN UN DIODO PIN, EL AUMENTO EN LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE PASAN A LA BANDA DE CONDUCCION PRODUCE UN AUMENTO EN LA CANTIDAD DE HUECOS EN LA BANDA DE VALENCIA, SE DEBE A:

    1. AEL EFECTO FOTOELECTRICO
    2. BLA SENSIBILIDAD A LA LUZ
    3. CLA CORRIENTE OSCURA
61. 6161. PARA HACER QUE LA CORRIENTE PASE POR UN FOTODIODO, SE DEBE ABSORBER LUZ DE LA ENERGIA SUFICIENTE PARA COMUNICAR A LOS ELECTRONES DE VALENCIA LA ENERGIA SUFICIENTE PARA QUE SALTEN LA BANDA PROHIBIDA.

    1. AEFECTO FOTOELECTRICO
    2. BSENSIBILIDAD A LA LUZ
    3. CCORRIENTE OSCURA
62. 6262. ES LA BANDA PROHIBIDA PARA EL SILICIO:

    1. A1.2 eV
    2. B0.7 eV
    3. C1.8 eV
63. 6363. DE ACUERDO CON EL EFECTO FOTOELECTRICO, SE REQUIERE PARA HACER QUE HAYA ELECTRONES SUFICIENTES QUE SALTEN LA BANDA PROHIBDA DE UN FOTODIODO DE SILICIO.

    1. ALUZ CON LONGITUDES DE ONDA DE 1109 nm O MENORES O FRECUENCIAS DE 2.075 x 10*14 Hz O MAYORES
    2. BLUZ CON LONGITUDES DE ONDA DE 1109 nm O MENORES O FRECUENCIAS DE 2.075 x 10*14 Hz O MENORES
64. 6464. ESTE DISPOSITIVO ES UNA ESTRUCTURA pipn.

    1. AAPD
    2. BLED
    3. CILD
65. 6565. EN EL APD, LA LUZ ENTRA AL DIODO Y SE ABSORBE EN LA CAPA n, DELGADA Y MUY DOPADA. ENTRE LA UNION i-p-n SE DESARROLLA UNA GRAN INTENSIDAD DE CAMPO ELECTRICO, POR POLARIZACION INVERSA, QUE CAUSA:

    1. AIONIZACION POR IMPACTO
    2. BRESPONSIVIDAD
    3. CSENSIBILIDAD A LA LUZ
66. 6666. EN EL APD, DURANTE ESTE PROCESO UN PORTADOR PUEDE ADQUIRIR LA ENERGIA SUFICIENTE PARA IONIZAR OTROS ELECTRONES ENLAZADOS, ESTOS PORTADORES IONIZADOS, A SU VEZ, PROVOCAN MAS IONIZACIONES.

    1. AIONIZACION POR IMPACTO
    2. BRESPONSIVIDAD
    3. CSENSIBILIDAD A LA LUZ
67. 6767. ESTOS DISPOSITIVOS SON MAS SENSIBLES QUE LOS DIODOS PIN, Y REQUIEREN MENOS AMPLIFICACION ADICIONAL.

    1. AAPD
    2. BILD
    3. CLED
68. 6868. UNA DE SUS DESVENTAJAS, SON LOS TIEMPOS DE TRANSITO RELATIVAMENTE GRANDES, Y RUIDO ADICIONAL, GENERADO INTERNAMENTE, DEBIDO AL FACTOR DE MULTIPLICACION POR AVALANCHA.

    1. AAPD
    2. BILD
    3. CLED
69. 6969. EN LOS DETECTORES DE LUZ, ES UNA MEDIDA DE LA EFICIENCIA DE CONVERSION DE UN FOTODETECTOR. ES LA RELACION DE LA CORRIENTE DE SALIDA DE UN FOTODIODO ENTRE LA POTENCIA OPTICA QUE LE ENTRA, Y TIENE UNIDADES AMPERES/WATT.

    1. ARESPONSIVIDAD
    2. BCORRIENTE OSCURA
    3. CSENSIBILIDAD A LA LUZ
70. 7070. ES LA CORRIENTE DE REPOSO QUE PASA POR UN FOTODIODO CUANDO NO HAY ENTRADA LUMINOSA. SE DEBE A PORTADORES GENERADOS TERMICAMENTE EN EL DIODO.

    1. ACORRIENTE OSCURA
    2. BSENSIBILIDAD A LA LUZ
    3. CRESPUESTA ESPECTRAL
71. 7171. ES EL TIEMPO QUE TARDA UN PORTADOR INDUCIDO POR LA LUZ EN CRUZAR LA REGION DE AGOTAMEINTO. ESTE PARAMETRO DETERMINA LA MAXIMA FRECUENCIA POSIBLE DE BITS CON DETERMINADO FOTODIODO.

    1. ATIEMPO DE TRANSITO
    2. BREPUESTA ESPECTRAL
    3. CSENSIBILIDAD A LA LUZ
72. 7272. ES EL INTERVALO DE LONGITUDES DE ONDAS QUE SE PUEDE USAR CON DETERMINADO FOTODIODO. SE GRAFICA EN FUNCION DE LA LONGITUD DE ONDA O DE LA FRECUENCIA.

    1. ARESPUESTA ESPECTRAL
    2. BRESPONSIVIDAD
    3. CSENSIBILIDAD A LA LUZ
73. 7373. EN LOS DETECTORES DE LUZ, ES LA POTENCIA OPTIMA MINIMA QUE PUEDE RECIBIR UN DETECTOR PARA PRODUCIR UNA SEÑAL ELECTRICA UTIL DE SALIDA. SE ACOSTUMBRA A MENCIONAR PARA DETERMINADA LONGITUD DE ONDA YA SEA EN dBm O EN dBmicro.

    1. ASENSIBILIDAD A LA LUZ
    2. BRESPONSIVIDAD
    3. CRESPUESTA ESPECTRAL
74. 7474. SE CENTRA EN LA CONCENTRACION DE LUZ EN FORMA DE HACES MUY PEQUEÑOS Y PODEROSOS.

    1. ALASER
    2. BILD
    3. CLED
    4. DAPD
75. 7575. TIPO DE LASER QUE USAN UNA MEZCLA DE HELIO Y NEON ENCERRADA ENUN TUBO DE VIDRIO. CUANDO SE DESCARGA UNA CORRIENTE EN EL GAS SE EMITE UN FLUJO DE ONDAS LUMINOSAS COHERENTES (DE UNA FRECUENCIA) A TRAVES DEL ACOPLADOR DE SALIDA. LA SALIDA DE LA ONDA LUMINOSA CONTINUA ES MONOCROMATICA (DE UN COLOR).

    1. ALASER DE GAS
    2. BLASERES DE LIQUIDOS
    3. CLASERES DE SOLIDOS
    4. DLASERES DE SEMICONDUCTOR
76. 7676. EN ESTOS LASERES SE USAN COLORANTES ORGANICOS ENCERRADOS EN UN TUBO DE VIDRIO, COMO MEDIO ACTIVO. EL COLORANTE SE HACE CIRCULAR CON UNA BOMBA DENTRO DEL TUBO. UN PULSO PODEROSO DE LUZ EXCITA AL COLORANTE ORGANICO.

    1. ALASERES LIQUIDOS
    2. BLASERES DE GAS
    3. CLASERES DE SOLIDO
    4. DLASERES DE SEMICONDUCTOR
77. 7777. ESTE TIPO DE LASERES, SE USA UN CRISTAL CILINDRICO Y MACIZO, COMO EL RUBI, COMO MEDIO ACTIVO. CADA EXTREMO DEL RUBI ESTA PULIDO Y PARALELO AL OTRO. EL RUBI SE EXCITA CON UNA LAMPARA DE TUGSTENO CONECTADA A UNA FUENTE DE PODER DE CORRIENTE ALTERNA. LA SALIDA DEL LASER ES UNA ONDA CONTINUA

    1. ALASERES DE SOLIDO
    2. BLASERES DE LIQUIDO
    3. CLASERES DE GAS
    4. DLASERES DE SEMICONDUCTOR
78. 7878. ESTOS LASERES SE FABRICAN CON SEMICONDUCTORES DE UNION P-N Y SE SUELEN LLAMAR DIODOS DE LASER DE INYECCION (ILD), EL MECANISMO DE EXCITACION ES UN SUMINISTRO DE CORRIETE DIRECTA QUE CONTROLA LA CANTIDAD DE CORRIENTE AL MEDIO ACTIVO. LA LUZ DE SALIDA DE UN ILD SE MODULA CON FACILIDAD, Y ESO LO HACE MUY UTIL EN MUCHAS APLICACIONES DE COMUNICACIONES ELCTRONICAS.

    1. ALASERES DE SEMICONDUCTORES
    2. BLASERES DE SOLIDO
    3. CLASERES DE LIQUIDO
    4. DLASERES DE GAS
79. 7979. COSISTEN EN UNA FUENTE Y UN DESTINO, QUE ESTAN SEPARADOS POR NUMEROSOS COMPONENTES Y DISPOSITIVOS QUE INTRODUCEN DIVERSAS CANTIDADES DE PERDIDA O DE GANANCIA A LA SEÑAL, AL PROPAGARSE POR EL SISTEMA.

    1. ASISTEMAS DE FIBRA OPTICA
    2. BSISTEMAS DE EMISION LASER
    3. CSISTEMAS DE COMUNICACIONES ELECTRONICA
80. 8080. TIPO DE PERDIDA EN LOS ENLACES DE FIBRA OPTICA, QUE DEPENDEN DE LA LONGITUD, DEL MATERIAL Y DE LA PUREZA DEL MATERIAL DEL CABLE. EN GENERAL, SE ESPECIFICAN EN dB/km, Y PUEDEN VARIAR DESDE DECIMAS DE dB HASTA VARIOS dB POR KM.

    1. APERDIDAS EN EL CABLE
    2. BPEDIDAS EN EL CONECTOR
    3. CPERDIDAS EN EMPALMES
    4. DPERDIDAS EN INTERFAZ DE FUENTE A CABLE
81. 8181. TIPO DE PERDIDA QUE SE DA, CUANDO AVECES SE USAN CONECTORES MECANICOS PARA UNIR DOS TRAMOS DE CABLE. SI LA CONEXION MECANICA NO ES PERFECTA, SE PUEDE ESCAPAR ENERGIA LUMINOSA Y CAUSAR UNA REDUCCION DE LA POTENCIA OPTICA. SUELEN VARIAR ENTRE UNAS DECIMAS DE dB HASTA 2dB EN CADA CONECTOR

    1. APERDIDAS EN EL CONECTOR
    2. BPERDIDAS EN EL CABLE
    3. CPERDIDAS EN EMPALMES
    4. DPERDIDAS EN INTERFAZ DE CABLE A DETECTOR DE LUZ
82. 8282. TIPO DE PERDIDA DONDE LA INTERFAZ MECANICA QUE SE USA PARA CONTENER LA FUENTE DE LUZ Y FIJARLA AL CABLE CASI NUNCA ES PERFECTA. EN CONSECUENCIA UN PEQUEÑO PORCENTAJE DE LA POTENCIA OPTICA NO SE ACOPLA AL CABLE, Y REPRESENTA UNA PERDIDA DE POTENCIA EN EL SISTEMA DE ALGUNAS DECIMAS DE dB.

    1. APERDIDAS EN INTERFAZ DE FUENTE A CABLE
    2. BPERDIDA EN INTERFAZ DE CABLE A DETECTOR DE LUZ
    3. CPERDIDAS EN EL CONECTOR
    4. DPERDIDAS EN EL CABLE
83. 8383. TIPO DE PERDIDA DEBIDA A QUE LA INTERFAZ MECANICA PARA CONTENER EL DETECTOR DE LUZ Y FIJARLO AL CABLE TAMPOCO ES PERFECTA Y EVITA QUE UN PEQUEÑO PORCENTAJE DE LA POTENCIA QUE SALE DEL CABLE ENTRE AL DETECTOR DE LUZ, REPRESENTA UNA PERDIDA EN EL SISTEMA QUE SUELE SER DE ALGUNAS DECIMAS DE dB.

    1. APERDIDA EN INTERFAZ DE CABLE A DETECTOR DE LUZ
    2. BPERDIDA EN INTERFAZ DE FUENTE A CABLE
    3. CPERDIDA EN EMPALMES
    4. DPERDIDAS EN EL CABLE
84. 8484. PERDIDA QUE SE PRODUCE SI SE REQUIERE MAS QUE UN TRAMO CONTINUO DE CABLE, SE PUEDEN FUNDIR (EMPALMAR) LOS TRAMOS. COMO LOS EMPALMES NO SON PERFECTOS SE PUEDEN INTRODUCIR PERDIDAS QUE VAN DESDE UN PAR DE DECIMAS DE dB HASTA VARIOS dB EN LA SEÑAL.

    1. APERDIDA EN EMPALMES
    2. BDOBLECES DEL CABLE
    3. CPERDIDA EN INTERFAZ DE FUENTE A CABLE
    4. DPERDIDA EN INTERFA DE CABLE A DETECTOR DE LUZ
85. 8585. TIPO DE PERDIDA QUE OCURRE CUANDO UN CABLE OPTICO SE DOBLA FORMANDO UN ANGULO MUY AGUDO, SUS CARACTERISTICAS INTERNAS CAMBIAN RADICALMENTE. SI LOS DOBLECES SON GRANDES YA NO SE LOGRARAN LAS REFLEXIONES TOTALES DE ALGUNOS DE LOS RAYOS DE LUZ Y SE REFRACTARAN

    1. ADOBLECES DEL CABLE
    2. BPERDIDAS EN EMPALMES
    3. CPERDIDAS DEL CABLE
    4. DPERDIDAS EN EL CONECTOR
86. 8686. COMO EN CAULQUIER PROVISON DE ENLACE O SISTEMA, __________________DISPONIBLE EN EL RECEPTOR DEPENDE DE LA POTENCIA DE TRANSMISION Y DE LAS PERDIDAS EN EL ENALCE

    1. APOTENCIA UTIL
    2. BEFICIENCIA
    3. CGANANCIA

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MARINEROS CONOCIMIENTOS ESPECIFICOS 2022 Quiz on COMUNICACIONES ELECTRONICAS 5, created by marco antonio martinez on 01/08/2022.

Author

marco antonio martinez

Language

Español

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conocimientos especificos 2022marineros

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