PARCIAL 1

1. 1La ecuación de Neutralidad de Carga impone que en semiconductores extrínsecos el número de iones negativos sea igual al número de iones positivos.

   1. ATrue
   2. BFalse
2. 2Los portadores generados en la unión base-emisor de un transistor polarizado en directa, deben tener la energía suficiente como para atravesar la barrera de
   potencial impuesta por la unión base-colector polarizada en inversa.

   1. ATrue
   2. BFalse
3. 3El fenómeno de Acumulación se produce cuando en el metal de la estructura MIS se aplica un potencial del mismo signo que el de los portadores mayoritarios del
   cristal produciéndose una acumulación de portadores mayoritarios en la superficie.

   1. ATrue
   2. BFalse
4. 4En una unión P-N en equilibrio no existen ni campos eléctricos ni fenómenos difusivos, ya que se cumple el principio de neutralidad eléctrica. El campo eléctrico y el
   fenómeno difusivo sólo aparecen cuando el diodo se polariza en directa o en inversa.

   1. ATrue
   2. BFalse
5. 5El coeficiente de temperatura de la tensión térmica VT es positivo y el coeficiente de temperatura de la tensión base-emisor de un transistor es negativo. Gracias a
   estas propiedades contrapuestas es posible realizar una referencia de tensión que es virtualmente independiente de la temperatura. Para que sea posible esta
   referencia debe utilizar dos transistores idénticos implementados en la misma oblea.

   1. ATrue
   2. BFalse
6. 6En un semiconductor extrínseco el electrón puede tener una energía que esté dentro de la banda de energías prohibidas.

   1. ATrue
   2. BFalse
7. 7Cuando el diodo se polariza en directa, la carga almacenada en la zona de transición aumenta, aumentando la capacidad de transición.

   1. ATrue
   2. BFalse
8. 8En reguladores lineales de tensión, el parámetro Rout mide la relación entre los cambios en la tensión de entrada y los cambios en la corriente de salida.

   1. ATrue
   2. BFalse
9. 9Cuando se habla de de densidad de corriente debida a concentración de portadores, el signo de la densidad de corriente es independiente del tipo de portador, ya
   sean electrones o huecos.

   1. ATrue
   2. BFalse
10. 10La Ecuación de Continuidad sirve para desarrollar los modelos de Shockley del diodo y de Ebers-Moll del transistor bipolar tanto en situación estacionaria como en
    situación no estacionaria.

    1. ATrue
    2. BFalse

11. 11Para calcular la Energía de Fermi de un semiconductor, se tiene en cuenta el número de electrones que hay en la banda de conducción, el número de huecos que
    hay en la banda de valencia y la temperatura a la que se encuentra.

    1. ATrue
    2. BFalse
12. 12Los Reguladores lineales de tensión con transistores no tienen un elemento de comparación lineal. En su lugar tienen un transistor que funciona como comparador
    utilizando la diferencia de tensiones entre el colector y el emisor.

    1. ATrue
    2. BFalse
13. 13La Ley de Acción de Masas está relacionada con la estadística de Fermi-Dirac y con los conceptos de 'Densidad de Estados' y 'Energía de Fermi'.

    1. ATrue
    2. BFalse
14. 14El factor de regulación de entrada Sv es una medida de los cambios de la tensión de salida frente a los cambios en la tensión de entrada manteniendo constante la
    temperatura y la corriente de salida.

    1. ATrue
    2. BFalse
15. 15La manifestación del efecto transistor en el modelo de Eber-Moll se ve cuando se resuelve la ecuación de difusión en la zona neutra de base y se estudia la
    concentración de portadores minoritarios en ella.

    1. ATrue
    2. BFalse
16. 16El modelo de Shockley deduce el comportamiento analítico del diodo de unión bajo condiciones de polarización directa e inversa. La Hipótesis de unión abrupta dice
    que el campo Eléctrico fuera de la zona de transición es cero. Es decir; fuera de la zona de transición las zonas P y N son neutras.

    1. ATrue
    2. BFalse
17. 17La carga superficial de una estructura MIS en una situación de acumulación, la carga se distribuye en la superficie siguiendo una ley lineal con el potencial aplicado.

    1. ATrue
    2. BFalse
18. 18La realimentación negativa introduce una mejora en la estabilidad de los sistemas lineales. Normalmente, un sistema lineal realimentado presenta una menor
    ganancia y un mayor ancho de banda.

    1. ATrue
    2. BFalse
19. 19Como Fenómeno de segundo orden, la modulación del ancho de la base de un transistor bipolar o efecto Early consiste en la dependencia del ancho efectivo de la
    base en función de la tensión base-emisor. Cuando mayor es esta tensión, mas pequeña aparece la longitud de la base como una consecuencia de la polarización en
    directa de la unión base-emisor.

    1. ATrue
    2. BFalse
20. 20La conductividad en un semiconductor es una medida que depende del número de cargas y de la movilidad de la carga (electrón o hueco). Por tanto, depende del
    nivel de dopado que posea ese semiconductor.

    1. ATrue
    2. BFalse
21. 21La energía del electrón sólo puede ser la que tiene la banda de valencia o la de la banda de conducción y nunca podrá estar con una energía dentro de la banda deenergía prohibida.

    1. ATrue
    2. BFalse
22. 22La realimentación negativa permite que en un amplificador podamos controlar su ganancia y su ancho de banda. La realimentación negativa hace que cuanto menor sea su ganancia, menor se hace su ancho de banda y así se le da mayor estabilidad.

    1. ATrue
    2. BFalse
23. 23En los reguladores a transistores, la unión base-emisor de un transistor se puede utilizar como un amplificador diferencial. Debe tenerse en cuenta que la tensiónbase-emisor se debe mantener constante en la medida diferencial.

    1. ATrue
    2. BFalse
24. 24Los reguladores de tensión tienen un circuito realimentado negativamente que permite mantener constante la tensión de salida. Con el objeto de proteger a losreguladores frente a cortocircuitos o a altas corrientes por encima de la nominal, se suele incluir un segundo circuito realimentado negativamente que se encarga demodificar el primer mecanismo de regulación y bajar los niveles de corriente a niveles permitidos.

    1. ATrue
    2. BFalse
25. 25Las referencias de tensión en los reguladores y basadas en diodos zener, son fijas según las especificaciones de fabricante y no pueden modificarse.

    1. ATrue
    2. BFalse
26. 26Actualmente, los reguladores de Tensión se encuentran fabricados íntegramente en un circuito integrado que incluye todo el circuito regulador: Referencia deTensión, Comparador Diferencial y Transistor de Salida.

    1. ATrue
    2. BFalse
27. 27Los reguladores de tensión pueden diseñarse para proporcionar tensiones variables reguladas. Para ello hay que incluir un circuito divisor de tensión variable que modifique la proporción de la tensión de salida con la referencia de tensión interna.

    1. ATrue
    2. BFalse
28. 28En la formulación de la realimentación negativa en un circuito dado, el módulo del producto de la ganancia de lazo debe ser menor que uno: |A(ω) ⋅ β(ω)| < 1.
    O lo que es lo mismo, los polos de la función de transferencia deben estar a la izquierda del plano complejo con su parte real negativa.

    1. ATrue
    2. BFalse
29. 29El efecto Zener forma parte de los mecanismos de ruptura de una unión semiconductora
    polarizada en sentido inverso. Este fenómeno suele ocurrir cuando las dos uniones
    semiconductoras están fuertemente dopadas, la zona de transición es muy estrecha y la
    tensión inversa alta. También se denomina efecto túnel por la capacidad que adquiere el
    electrón para atravesar una barrera energética más alta que la suya (fenómeno cuántico).

    1. ATrue
    2. BFalse
30. 30El efecto transistor es un fenómeno de distancia relacionado con la vida media de los
    portadores al atravesar la base del transistor. Para que ocurra el efecto transistor es necesario
    que la base sea suficientemente ancha frente a la longitud de difusión de los portadores
    minoritarios que la atraviesan

    1. ATrue
    2. BFalse
31. 31La base debe ser lo suficientemente estrecha frente a la longitud de difusión de los portadores
    minoritarios en la base para que éstos puedan pasar sin recombinarse apreciablemente.

    1. ATrue
    2. BFalse
32. 32Los coeficientes de movilidad y difusión están relacionados de forma directa. Cuando aumenta
    o disminuye uno, también aumenta o disminuye el otro

    1. ATrue
    2. BFalse
33. 33Los coeficientes de movilidad y difusión de un material semiconductor están relacionados de
    forma inversa por las denominadas relaciones de Einstein: Cuando aumenta la movilidad,
    disminuye la difusión y viceversa.

    1. ATrue
    2. BFalse
34. 34La Ley de Acción de Masas dice que el producto de las concentraciones de electrones y huecos
    en un Semiconductor a una temperatura dada es una constante que coincide con el cuadrado
    de la concentración intrínseca a esa misma temperatura

    1. ATrue
    2. BFalse
35. 35La capacidad de almacenamiento de una estructura MIS o puerta de un transistor MOS,
    depende en gran medida de la capacidad del oxido que es una función directa de su espesor.
    Aunque la capacidad asociada a la superficie del semiconductor en las zonas de inversión y
    vaciamiento sea mayor, la capacidad total observada siempre viene dominada por la capacidad
    del oxido.

    1. ATrue
    2. BFalse
36. 36La ganancia de lazo es el producto de la función de transferencia del amplificador A(jw) por la
    función de transferencia de la red pasiva B(jw). Cuando la realimentación es positiva, el
    denominador de la función de transferencia del sistema realimentado es 1-A(jw)*B(jw). Si el módulo de la ganancia de lazo |A(jw)*B(jw)| es menor que la unidad, el sistema realimentado
    es estable con independencia del valor de fase de dicho producto, si el módulo de
    |A(jw)*B(jw)|=1 y la fase arg(A(jw)*B(jw))=0 existirá oscilación y se mantendrá
    indefinidamente. Sin embargo, el sistema puede no arrancar a oscilar a no ser que
    |A(jw)*B(jw)|>1.

    1. ATrue
    2. BFalse
37. 37Las Regiones de Inversión y de vaciamiento en una estructura MIS no dependen del nivel de
    dopado del semiconductor ya que se trata de un fenómeno superficial dependiente
    exclusivamente del potencial externo aplicado

    1. ATrue
    2. BFalse
38. 38La curvatura de las bandas en la superficie de un semiconductor depende del nivel de dopado
    que determina el nivel de energía de Fermi o la tensión de Fermi Vb. La región de vaciamineto
    se extiende desde el punto de inflexión de las bandas hasta el cruce de la energía del nivel
    intrínseco (mitad del GAP), con la Energía del nivel de Fermi. Desde la superficie hasta este
    punto estaríamos en la región de inversión.

    1. ATrue
    2. BFalse
39. 39El criterio de Barkhausen puede enunciarse también diciendo que las condiciones para que una
    oscilación de forma mantenida es que la parte real de la ganancia de lazo sea uno y que la
    parte imaginaria de la ganancia de lazo sea cero.

    1. ATrue
    2. BFalse
40. 40Si una unión PN se polariza en directa, el campo eléctrico externo se suma al campo eléctrico
    interno de la zona de transición teniendo lugar la conducción

    1. ATrue
    2. BFalse
41. 41Cuando una unión PN se polariza en directa (Vb >0), disminuimos la presencia del campo
    eléctrico interno creado en la capa vacía y aumentamos la posibilidad de difusión de
    portadores. La curvatura de las bandas se hace menor generándose un flujo de portadores que
    se desplazan por difusión.

    1. ATrue
    2. BFalse
42. 42En toda unión semiconductora aparece una carga iónica almacenada debida a los elementos
    dopantes ionizados en la zona de transición o capa vacía. Esta carga almacenada se comporta
    como un condensador. En Ausencia de potencial externo, la carga almacenada es debida al
    potencial interno Vbi de la capa vacía

    1. ATrue
    2. BFalse
43. 43La capacidad de la unión semiconductora se mide por unidad de área derivando la carga entre
    el potencial a la que está sometida. En semiconductores, la capacidad depende de la constante
    dieléctrica del material y de los niveles de dopado de aceptores y dadores.

    1. ATrue
    2. BFalse
44. 44Los semiconductores extrínsecos se encuentran dopados con materiales del grupo III
    (impurezas aceptoras), o materiales del grupo V (impurezas donadoras). Estas impurezas tienen bandas de energía que se encuentran dentro de la banda prohibida y pueden captar electrones
    de la banda de valencia (impurezas aceptoras) o ceder electrones a la banda de conducción
    (impurezas donadoras).

    1. ATrue
    2. BFalse
45. 45Las bandas de energía de las impurezas en un semiconductor se encuentran dentro de la banda
    prohibida. Las impurezas donadoras tienen su banda de energía próxima a la banda de
    conducción, mientras que las aceptoras la tienen cerca de la banda de valencia.

    1. ATrue
    2. BFalse
46. 46La ley de acción de masas se cumple en cualquier semiconductor, esté dopado o no.

    1. ATrue
    2. BFalse
47. 47La ley de acción de masas dice que si en un semiconductor aumentamos el número de
    electrones, forzosamente tiene que disminuir el número de huecos y viceversa y que su
    producto debe ser una constante para una temperatura dada. Ahora bien, esta ley solo se
    cumple en semiconductores intrínsecos.

    1. ATrue
    2. BFalse
48. 48La difusión es un mecanismo de movimiento de partículas que ocurre solo cuando se unen dos
    materiales semiconductores de tipo P y tipo N.

    1. ATrue
    2. BFalse
49. 49Puede haber movimientos debidos a difusión en un cristal solo de tipo N o de tipo P si en este
    hay diferencias de concentración espacial ó es no homogéneo

    1. ATrue
    2. BFalse
50. 50Un regulador de tensión lineal se caracteriza por tres parámetros básicos: El coeficiente de
    regulación impide que mide los cambios en la tensión de salida frente a los cambios en la
    tensión de entrada. La impedancia de salida o medida de los cambios de la tensión de salida
    frente a los cambios en la corriente en la carga y, finalmente, el coeficiente de temperatura que
    mide los cambios de la tensión de salida frente a los cambios de temperatura. Estos
    coeficientes son constantes para un regulador dado.

    1. ATrue
    2. BFalse
51. 51Los parámetros que caracterizan a un regulador se dan en un margen de tensiones de entrada,
    margen de corrientes de salida y margen de temperatura. Por tanto, estos parámetros no son
    constantes sino que también se mueven en un determinado rango

    1. ATrue
    2. BFalse
52. 52En una unión abrupta PN en equilibrio térmico sin ningún potencial aplicado, aparece una zona
    de transición en la que no existen ni huecos ni electrones porque hay un campo eléctrico que
    impide su movilidad

    1. ATrue
    2. BFalse
53. 53En una unión semiconductora PN se conjugan dos fenómenos: Una difusión de portadores por
    exceso de concentración que hace que los elementos dopantes pierdan electrones (en la parte
    N) y ganen electrones (en la parte P), quedando dos zonas ionizadas (Positiva en la parte N y
    Negativa en la parte P) que generan un campo eléctrico que se opone a la Difusión y que
    genera una deriva de portadores en sentido contrario. En equilibrio térmico, se contrarrestan
    los fenómenos de Difusión y Deriva manteniéndose una zona ionizada vacía de portadores
    (capa vacía).

    1. ATrue
    2. BFalse
54. 54Las referencias de tensión Band-Gap hacen uso de los coeficientes térmicos de la Tensión
    térmica Vt y de diferencias de Tensión Base-Emisor Vbe de dos o más transistores bipolares
    polarizados en zona activa (ambos coeficientes de signo contrario), para desarrollar
    determinadas topologías que permiten cancelar los efectos térmicos en un nodo concreto que
    suele presentar una tensión del mismo orden que la tensión Band-Gap del material.

    1. ATrue
    2. BFalse
55. 55Los transistores que proporcionan la AVbe suelen construirse con características idénticas bajo
    un mismo sustrato con el fin de cancelar sus componentes de corrientes de saturación.

    1. ATrue
    2. BFalse
56. 56El efecto Early es un fenómeno de segundo orden en transistores bipolares debido a que el
    ancho efectivo de la base cambia con los anchos de las zonas neutras de la unión de
    Base-Emisor y de Base-Emisor cuando sus polarizaciones se ven sometidas a cambios. Este
    fenómeno hace que la corriente de saturación de un transistor cambie cuando cambia su
    tensión Colector-Emisor

    1. ATrue
    2. BFalse
57. 57Las Regiones de Inversión y de Vaciamiento en una estructura MIS no dependen del nivel de
    dopado de semiconductor ya que se trata de un fenómeno superficial dependiente
    exclusivamente del potencial externo aplicado.

    1. ATrue
    2. BFalse
58. 58La curvatura de las bandas en la superficie de un semiconductor depende del nivel de dopado
    que determina el nivel de energía de Fermi o la Tensión de Fermi Vb. La región de vaciamiento
    se extiende desde el punto de inflexión de las bandas hasta que el cruce de la energía del nivel
    intrínseco (mitad del GAP), con la Energía del nivel de Fermi. Desde la superficie hasta este
    punto estaríamos en la región de inversión.

    1. ATrue
    2. BFalse
59. 59Los semiconductores homogéneos intrínsecos o extrínsecos los portadores se pueden mover
    de dos formas distintas: Por Deriva o por Difusión.

    1. ATrue
    2. BFalse
60. 60Cuando un transistor bipolar se polariza en activa (unión base-emisor en directa y unión
    base-colector en inversa), se produce un fenómeno denominado ‘efecto transistor’ cuando la anchura efectiva de la Base aumenta. El transistor se hace más conductivo (Corriente
    Emisor-Colector) cuanto mayor es dicha anchura efectiva.

    1. ATrue
    2. BFalse
61. 61El fenómeno transistor es un fenómeno de corta distancia. Los portadores inyectados desde el
    emisor atraviesan la zona de base en mayor medida cuanto más estrecha sea. El camino de los
    portadores en la base se ve sometido a un proceso de Recombinación que depende de la
    distancia y de la vida media de los portadores. Cuanto más corta sea la distancia a recorrer en
    la base, más posibilidad tiene el portador de alcanzar el colector

    1. ATrue
    2. BFalse
62. 62El nivel de Fermi se encuentra en la mitad del GAP en semiconductores intrínsecos, baja hacia
    el nivel de la banda de valencia en semiconductores tipo p y sube hacia el nivel de la banda de
    conducción en semiconductores de tipo n. Esto ocurre a temperatura ambiente, pero si el
    semiconductor de tipo p o tipo n se calientan a gran temperatura, el nivel de Fermi en ellos
    vuelve de nuevo a la mitad del GAP

    1. ATrue
    2. BFalse
63. 63El nivel de Fermi mide la partición de portadores en las bandas de conducción y valencia. En
    Semiconductores extrínsecos a baja temperatura dominan los portadores implantados. Sin
    embargo, cuando el semiconductor se calienta, la contribución de los portadores de la red
    (intrínsecos), se hace comparable o mayor que los intrínsecos, resultando como consecuencia
    un nivel de Fermi situado en la mitad de GAP.

    1. ATrue
    2. BFalse
64. 64La capacidad de almacenamiento de una estructura MIS o puerta de un transistor MOS,
    depende en gran medida de la capacidad del óxido que es una función directa de su espesor.
    Aunque la capacidad asociada a la superficie del semiconductor en las zonas de inversión y
    vaciamiento sea mayor, la capacidad total observada siempre viene dominada por la capacidad
    del óxido.

    1. ATrue
    2. BFalse
65. 65Las hipótesis para estudiar el comportamiento del diodo en directa y en inversa se basan en el
    concepto de bajo nivel de inyección mediante el cual la variación relativa de mayoritarios es
    despreciable frente a la de minoritarios, considerando entonces su concentración igual a la del
    equilibrio

    1. ATrue
    2. BFalse
66. 66La Ecuación de Continuidad es la Ecuación Fundamental que rige la dinámica de portadores en
    un semiconductor. Es una consecuencia del principio de conservación y relaciona la variación
    espacial de la densidad de corriente (provocada por fenómenos de Deriva y Difusión) con la
    variación temporal de la densidad de carga incluyendo los efectos de Generación y
    Recombinación de portadores

    1. ATrue
    2. BFalse
67. 67La ecuación de continuidad es la ecuación diferencial que debe resolverse para estudiar la
    dinámica de portadores en cualquier semiconductor o uniones semiconductoras.

    1. ATrue
    2. BFalse
68. 68El efecto Zener forma parte de los mecanismos de ruptura de una unión semiconductora
    polarizada en sentido inverso. Este fenómeno suele ocurrir cuando las uniones
    semiconductoras están fuertemente dopadas, la zona de transición es muy estrecha y la
    tensión inversa alta. También se denomina efecto Túnel por la capacidad que adquiere el
    electrón para atravesar una barrera energética más alta que la suya (fenómeno cuántico).

    1. ATrue
    2. BFalse
69. 69La tensión umbral de un diodo MIS o una puerta MOS se define como la tensión aplicada que
    hace que la superficie entre en inversión. Esta tensión es el doble de la tensión de Fermi Vb.

    1. ATrue
    2. BFalse
70. 70A la tensión umbral hay que añadirle un término dependiente de la carga supercicial
    almacenada.

    1. ATrue
    2. BFalse
71. 71El coeficiente de movilidad y el coeficiente de difusión están relacionados con la tensión
    térmica.

    1. ATrue
    2. BFalse
72. 72El coeficiente de difusión es igual al coeficiente de movilidad por la tensión térmica (Relación
    de Einstein).

    1. ATrue
    2. BFalse
73. 73La realimentación en circuitos electrónicos es una técnica que permite modelar el grado de
    estabilidad del circuito. Los circuitos realimentados positivamente se hacen estables, siendo
    éste el principio básico de la oscilación. Por el contrario, la realimentación negativa hace a los
    circuitos más inestables, siendo este el principio de la regulación de tensión y/o corriente.

    1. ATrue
    2. BFalse
74. 74La realimentación negativa ofrece estabilidad y la positiva inestabilidad.

    1. ATrue
    2. BFalse
75. 75El transistor bipolar podría ser un dispositivo simétrico pero se comprobó que el efecto
    transistor era mayor cuando se construía de forma asimétrica haciendo que las
    concentraciones en la unión base-emisor fueran mayores que las de la unión base-colector y
    además la concentración de portadores en la base fuese de tipo gradual de mayor a menor
    desde el lado de emisor al lado de colector

    1. ATrue
    2. BFalse
76. 76A temperatura ambiente. Predomina el efecto conductivo de los portadores dopantes frente a
    los portadores intrínsecos. Por eso, se suele simplificar diciendo que a temperatura ordinaria
    Na=p en semiconductores de tipo P y Nd=n en semiconductores de tipo N.

    1. ATrue
    2. BFalse
77. 77A temperatura ambiente todos los elementos dopantes se encuentran ionizados.

    1. ATrue
    2. BFalse
78. 78Si una unión PN se polariza en directa, el campo eléctrico externo se suma al campo eléctrico
    interno de la zona de transición teniendo lugar la conducción

    1. ATrue
    2. BFalse
79. 79La tensión umbral de un diodo MIS o una puerta MOS se define como la tensión aplicada que
    hace que la superficie entre en inversión. Esta tensión es el doble de la tensión de Fermi Vb.

    1. ATrue
    2. BFalse
80. 80En semiconductores homogéneos intrínsecos o extrínsecos los portadores se pueden mover de
    dos formas diferentes: Por deriva o por difusión.

    1. ATrue
    2. BFalse
81. 81Los fenómenos de generación y recombinación de portadores podemos considerarlos como
    colisiones debidas a la agitación térmica de la red cristalina. En ellos aparecen fenómenos de
    aniquilación de pares electrón-hueco (Recombinación). En equilibrio térmico, los procesos de
    generación son iguales a los procesos de recombinación.

    1. ATrue
    2. BFalse

Description

Quiz on PARCIAL 1, created by Robert B on 31/08/2022.

Author

Robert B

Language

Español

Views

9

Rating

No ratings yet

Rate this quiz

Rate this quiz

More on Estructura atómica y bandas de energía