ELECTRONICA BASICA 2

1. 1CAPÍTULO 4 Electrónica Básica. El transistor de efecto de campo (field effect transistor o FET)
   14. El material del CANAL, respecto del material del SUBSTRATO, es:

   1. Aa) El mismo
   2. Bb) El opuesto
   3. Cc) Puede variar
   4. Dd) No siempre se sabe
2. 2CAPÍTULO 4 Electrónica Básica. El transistor de efecto de campo (field effect transistor o FET)
   15. De acuerdo con el material del CANAL:

   1. Aa) Los JFET siempre son de canal P
   2. Bb) Los JFET siempre son de Canal N
   3. Cc) Los JFET pueden ser de Canal N o de Canal P
   4. Dd) Nunca puede definirse el tipo de Canal que tiene el FET
3. 3CAPÍTULO 4 Electrónica Básica. El transistor de efecto de campo (field effect transistor o FET)
   16. Las tres terminales de un FET son:

   1. Aa) Emisor, Base y Colector
   2. Bb) Substrato, Base y Drenaje
   3. Cc) Fuente, Colector y Substrato
   4. Dd) Fuente, Drenaje y Compuerta
4. 4CAPÍTULO 4 Electrónica Básica. El transistor de efecto de campo (field effect transistor o FET)
   17. La BATERÍA VDS genera una corriente que circula a través del canal, y que se llama:

   

   1. Aa) IM
   2. Bb) ID
   3. Cc) IG
   4. Dd) IS
5. 5CAPÍTULO 4 Electrónica Básica. El transistor de efecto de campo (field effect transistor o FET)
   18. La función del VOLTAJE VGS es:

   1. Aa) Asegurarse de que el FET no vaya a dañarse
   2. Bb) Polarizar al FET para que opere libremente
   3. Cc) Controlar el valor de ID
   4. Dd) Controlar los voltajes externos que se le apliquen al FET
6. 6CAPÍTULO 4 Electrónica Básica. El transistor de efecto de campo (field effect transistor o FET)
   19. La familia de gráficas mostradas, nos indica que en realidad, quien controla el valor de ID es:

   

   1. Aa) VDS
   2. Bb) VGS
   3. Cc) El propio FET
   4. Dd) ID no es controlada por voltajes
7. 7CAPÍTULO 4 Electrónica Básica. El transistor de efecto de campo (field effect transistor o FET)
   20. De los circuitos mostrados, ¿cuál de ellos contiene el FET de canal N y cuál el de canal P?

   

   1. Aa) EL de izquierda es de canal P y el de la derecha es canal N
   2. Bb) El de la izquierda es de canal N y el de la derecha es canal P
   3. Cc) Ambos son de canal N pero de diferente ganancia
   4. Dd) Ambos son de canal P pero de diferente fabricante
8. 8CAPÍTULO 4 Electrónica Básica. El transistor de efecto de campo (field effect transistor o FET)
   21. En ambos circuitos, quien determina el sentido de ID, ya sea entrando por la FUENTE o por el DRENAJE, es:

   1. Aa) El polo negativo de VGS
   2. Bb) El polo positivo de VGS
   3. Cc) El polo negativo de VDS
   4. Dd) Ninguna respuesta de las anteriores es correcta.
9. 9EVALUACION TB 4.2 El FET de compuerta aislada (MOSFET)
   1. Existe un tipo de FET construido como muestra la figura. Se trata de un IGFET en el que las partes 1 y 3 son:

   

   1. Aa) La fuente y el drenaje
   2. Bb) La fuente y el substrato
   3. Cc) La compuerta y el substrato
   4. Dd) La compuerta y el drenaje
10. 10EVALUACION TB 4.2 El FET de compuerta aislada (MOSFET)
    2. En la misma figura, la terminal 2 es:

    

    1. Aa) El substrato
    2. Bb) El canal B
    3. Cc) La fuente
    4. Dd) La compuerta

11. 11EVALUACION TB 4.2 El FET de compuerta aislada (MOSFET)
    3. Ahí mismo, la terminal 4 señala a:

    

    1. Aa) El substrato
    2. Bb) La capa aislante
    3. Cc) El drenaje
    4. Dd) La fuente
12. 12EVALUACION TB 4.2 El FET de compuerta aislada (MOSFET)
    4. Y la 5 es:

    

    1. Aa) El substrato
    2. Bb) La capa aislante
    3. Cc) El drenaje
    4. Dd) La fuente
13. 13EVALUACION TB 4.2 El FET de compuerta aislada (MOSFET)
    5. Esta clase de FET se denomina IGFET porque:

    1. Aa) El canal está aislado del substrato
    2. Bb) El substrato está aislado del drenaje
    3. Cc) La compuerta está aislada del canal
    4. Dd) El drenaje está aislado de la fuente
14. 14EVALUACION TB 4.2 El FET de compuerta aislada (MOSFET)
    6. La compuerta de los IGFET es metálica, y se aísla del canal por medio de:

    1. Aa) Una capa de papel delgado
    2. Bb) Una capa de óxido de silicio
    3. Cc) Una capa plástica muy delgada
    4. Dd) Una capa de óxido de manganeso
15. 15EVALUACION TB 4.2 El FET de compuerta aislada (MOSFET)
    7. Otro nombre para esta clase de transistores es MOSFET. ¿Qué significan estas siglas?

    1. Aa) FET de operación mediante sostenimiento
    2. Bb) FET operativo mediante silicones
    3. Cc) FET tipo de óxido metálico semiconductor
    4. Dd) FET de óxido de manganeso sólido
16. 16EVALUACION TB 4.2 El FET de compuerta aislada (MOSFET)
    8. La figura muestra el símbolo de un MOSFET, pero, ¿es de canal N o P?

    

    1. Aa) Canal N
    2. Bb) Canal P
    3. Cc) El símbolo no muestra de qué tipo se trata
    4. Dd) No es ni de canal N ni de canal P
17. 17EVALUACION TB 4.2 El FET de compuerta aislada (MOSFET)
    9. La terminal 1 es la de compuerta, pero ¿qué son las terminales 2 y 4?

    

    1. Aa) Substrato y Drenaje
    2. Bb) Drenaje y canal
    3. Cc) Fuente y drenaje
    4. Dd) Compuerta y substrato
18. 18EVALUACION TB 4.2 El FET de compuerta aislada (MOSFET)
    10. ¿Y la 3?

    

    1. Aa) Compuerta
    2. Bb) Substrato
    3. Cc) Fuente
    4. Dd) Drenaje
19. 19EVALUACION TB 4.2 El FET de compuerta aislada (MOSFET)
    11. ¿Este es un MOSFET de canal P. ¿Cómo lo sabemos?

    

    1. Aa) Por la cantidad de terminales que tiene
    2. Bb) Porque la compuerta y el canal no se tocan
    3. Cc) Porque la flecha es horizontal
    4. Dd) Porque la flecha apunta hacia fuera del FET
20. 20EVALUACION TB 4.2 El FET de compuerta aislada (MOSFET)
    12. El circuito muestra la forma básica para polarizar un MOSFET de canal N. De este dispositivo suele decirse que “normalmente está encendido”. ¿Por qué?:

    

    1. Aa) Porque siempre debe estar polarizado
    2. Bb) Porque está encendido desde fábrica
    3. Cc) Porque aunque VGS fuera cero, de cualquier forma circulará ID impulsada por VDS
    4. Dd) Porque aunque VDS fuera cero, de cualquier forma circulará ID impulsada por VGS
21. 21EVALUACION TB 4.2 El FET de compuerta aislada (MOSFET)
    13. Mientras que VDS es el VOLTAJE DE POLARIZACIÓN, VGS es:

    

    1. Aa) El voltaje que controla el valor de ID
    2. Bb) El voltaje que controla a VDS
    3. Cc) El voltaje de polarización real
    4. Dd) El voltaje que impulsa a ID
22. 22EVALUACION TB 4.2 El FET de compuerta aislada (MOSFET)
    14. De los JFET y los MOSFET, se dice que son dispositivos controlados por:

    1. Aa) Potencia
    2. Bb) Corriente
    3. Cc) Resistencia
    4. Dd) Voltaje
23. 23EVALUACION TB 4.2 El FET de compuerta aislada (MOSFET)
    15. La terminal del SUBSTRATO se conecta:

    1. Aa) Siempre a la terminal de la Compuerta
    2. Bb) Por lo general a la terminal de la Fuente
    3. Cc) A cualquier parte externa del transistor
    4. Dd) No se conecta a ninguna parte
24. 24EVALUACION TB 4.2 El FET de compuerta aislada (MOSFET)
    16. La figura inferior muestra las CURVAS DE SALIDA de un MOSFET cualquiera. Estas gráficas dejan claro que los valores de ID dependen principalmente de:

    

    1. Aa) VGS
    2. Bb) VDS
    3. Cc) Del voltaje de polarización
    4. Dd) De las unidades de corriente
25. 25EVALUACION TB 4.3 El MOSFET de crecimiento
    1. Los MOSFET que analizamos en la lección anterior, son considerados como de modo de AGOTAMIENTO, pero existe otra familia de MOSFET considerados como de:

    1. Aa) Reducción
    2. Bb) Crecimiento
    3. Cc) Enriquecimiento
    4. Dd) b) y c) son correctas
26. 26EVALUACION TB 4.3 El MOSFET de crecimiento
    2. ¿Por qué a este MOSFET se le considera de CRECIMIENTO?

    1. Aa) Porque pueden conectarse varios transistores de este tipo en serie
    2. Bb) Porque no tiene canal y éste debe ser creado por el voltaje VGS
    3. Cc) Porque se puede hacer crecer su corriente aplicando más voltaje VDS
    4. Dd) Porque pueden conectarse varios transistores de este tipo en paralelo
27. 27EVALUACION TB 4.3 El MOSFET de crecimiento
    3. La figura adjunta muestra un MOSFET de CRECIMIENTO. ¿Qué son sus terminales 1 y 3?

    

    1. Aa) Substrato y canal
    2. Bb) Compuerta y sustrato
    3. Cc) Fuente y drenaje
    4. Dd) Compuerta y fuente
28. 28EVALUACION TB 4.3 El MOSFET de crecimiento
    4. ¿Qué son las terminales 2 y 5?

    

    1. Aa) Substrato y canal
    2. Bb) Compuerta y substrato
    3. Cc) Fuente y drenaje
    4. Dd) Compuerta y frente
29. 29EVALUACION TB 4.3 El MOSFET de crecimiento
    5. El símbolo mostrado pertenece a un MOSFET:

    

    1. Aa) De enriquecimiento de canal N
    2. Bb) De enriquo de canal P
    3. Cc) De empobrecimiento de canal N
    4. Dd) De empobrecimiento de canal P
30. 30EVALUACION TB 4.3 El MOSFET de crecimiento
    6. ¿Por qué sabemos que se trata de un MOSFET de enriquecimiento?

    1. Aa) Porque la flecha apunta hacia adentro del MOSFET
    2. Bb) Porque el canal se muestra cortado o seccionado
    3. Cc) Porque la compuerta es vertical
    4. Dd) Porque la flecha está en posición horizontal
31. 31EVALUACION TB 4.3 El MOSFET de crecimiento
    7. ¿Qué uso tienen las terminales 2 y 4?

    

    1. Aa) Substrato y canal
    2. Bb) Compuerta y substrato
    3. Cc) Fuente y drenaje
    4. Dd) Compuerta y fuente
32. 32EVALUACION TB 4.3 El MOSFET de crecimiento
    8. ¿Y las terminales 1 y 3?

    

    1. Aa) Substrato y canal
    2. Bb) Compuerta y fuente
    3. Cc) Fuente y drenaje
    4. Dd) Comsubstrato
33. 33EVALUACION TB 4.3 El MOSFET de crecimiento
    9. El MOSFET de la figura es de enriquecimiento de canal P. ¿Cómo lo sabemos?

    

    1. Aa) El canal está cortado y laapunta hacia afuera
    2. Bb) El canal está cortado y la compuerta está aislada
    3. Cc) La compuerta está aislada y el substrato está horizontal
    4. Dd) Ninguna respuesta es correcta
34. 34EVALUACION TB 4.4 Configuraciones de los circuitos con FET
    1. Igual que con los transistores bipolares, los FETs (JFET y MOSFET) pueden conectarse en TRES CONFIGURACIONES DISTINTAS. ¿Cuáles son?

    1. AA) Fuente, drenaje y compuerta común
    2. BB) Emisor, drenaje y fuente común
    3. CC) Fuente, drenaje y substrato común
    4. DD) Emisor, base y colector común
35. 35EVALUACION TB 4.4 Configuraciones de los circuitos con FET
    2. También, al igual que los BJT, los FETs se emplean principalmente como:
    

    1. AA) Amplificadores
    2. BB) Conmutadores
    3. CC) Potenciómetros
    4. DD) a) y b) son correctas
36. 36EVALUACION TB 4.4 Configuraciones de los circuitos con FET
    3. La figura muestra un JFET de CANAL N. ¿Qué configuración guarda?

    

    1. AA) Base común
    2. BB) Drenaje común
    3. CC) Fuente común
    4. DD) Compuerta común
37. 37EVALUACION TB 4.4 Configuraciones de los circuitos con FET
    4. Esta es la configuración más empleada. Una de sus principales ventajas es:

    1. AA) Proporciona una alta ganancia de corriente
    2. BB) Proporciona una alta ganancia de voltaje
    3. CC) Consume poca potencia
    4. DD) Se calienta poco
38. 38EVALUACION TB 8.1 Amplificadores de corriente continua
    4. Esta clase de amplificadores deben prescindir del:

    1. Aa) Uso de condensadores y transformadores
    2. Bb) Uso de baterías de cualquier tipo
    3. Cc) Uso de voltajes de polarización de ca
    4. Dd) Empleo de cualquier tipo de resistor
39. 39EVALUACION TB 8.3 Amplificadores de video frecuencia
    3. Esta clase de amplificadores se emplean en:

    1. Aa) Equipos de audio y TV
    2. Bb) Equipos que manejen señales de video, como las TV, lectores de DVD, etc.
    3. Cc) Equipos musicales, como los combos para guitarras eléctricas
    4. Dd) Las tres respuestas anteriores son correctas
40. 40EVALUACION TB 8.3 Amplificadores de video frecuencia
    4. El circuito mostrado es un ejemplo de AMPLIFICADOR DE VIDEOFRECUENCIA. Se emplea en un aparato de televisión específico. Podrás observar en el mismo, el empleo de varios capacitares e inductores. Pero, ¿cuál es el uso de dichos componentes?

    

    1. Aa) Para aplicar los distintos voltajes de polarización necesarios
    2. Bb) Para compensar las caídas de gananltas y bajas frecuencias
    3. Cc) Para Ayudar a mantener plana la respuesta del amplificador en el rango de 6 MHz
    4. Dd) b) y c) son correctas
41. 41EVALUACION TB 8.4 Amplificadores de radio frecuencia
    1. Una de las características importantes de los amplificadores de RADIOFRECUENCIA, es que:

    1. Aa) Deben ser económicos en su precio
    2. Bb) Deben poder amplificar rangos angostos de frecuencia
    3. Cc) Deben poder amplificar señales en rangos de frecuencia muy amplios
    4. Dd) La ganancia que ofrecen suele ser muy baja
42. 42EVALUACION TB 8.4 Amplificadores de radio frecuencia
    2. Para poder ofrecer la SELECTIVIDAD necesaria, los amplificadores de radio frecuencia:
    

    1. Aa) Deben incluir filtros que limiten la banda a amplificar
    2. Bb) Deben incluir transistores que soporten altas temperaturas
    3. Cc) Suelen polarizarse en forma inversa
    4. Dd) Deben conducir corrientes de alto valor
43. 43EVALUACION TB 8.4 Amplificadores de radio frecuencia
    3. ¿Qué es un circuito SINTONIZADO?

    1. Aa) Un circuito que sirve para oír sólo la música que se desee
    2. Bb) Un circuito que eleva la ganancia de cualquier amplificador asociado a él
    3. Cc) Un circuito que permite evitar los voltajes de polarización de los transistores
    4. Dd) Un circuito de filtro
44. 44EVALUACION TB 8.4 Amplificadores de radio frecuencia
    4. ¿Y qué es un circuito de FILTRO?

    1. Aa) Un circuito que se emplea para incrementar el volumen de los audio amplificadores
    2. Bb) Un circuito que permite el paso de un rango específico de frecuencias
    3. Cc) Un circuito que impide el paso de las ca a través de un circuito amplificador
    4. Dd) Un circuito que permite el paso de la cc a través de un circuito amplificador
45. 45EVALUACION TB 8.4 Amplificadores de radio frecuencia
    5. La gráfica anexa muestra la respuesta de un filtro cualquiera, ilustrando el ancho de banda que corresponde a cada valor de impedancia. Para establecer un ancho de banda práctico o específico, se toma el que “cabe” debajo de la “campana”, cuando la impedancia es igual al:

    

    1. Aa) 70% del valor máximo
    2. Bb) 70.7% del valor máximo
    3. Cc) 77.7% del valor máximo
    4. Dd) 87.7% del valor máximo
46. 46EVALUACION TB 8.4 Amplificadores de radio frecuencia
    6. ¿Por qué se utiliza este valor tan específico?

    1. Aa) Porque en él, la potencia aprovechada es igual al 100%
    2. Bb) Porque en él, la potencia aprovechada es igual al 70.7%
    3. Cc) Porque en él, la potencia aprovechada es igual al 50%
    4. Dd) Porque en él, la potencia aprovechada es igual al 10%
47. 47EVALUACION TB 8.4 Amplificadores de radio frecuencia
    7. ¿Cuál es el PASO (ancho de banda) de este filtro?

    1. Aa) 100 a 1000 Hz, es decir, 900 Hz
    2. Bb) 100 a 200 Hz, es decir, 100 Hz
    3. Cc) 900 a 1000 Hz, es decir, 100 Hz
    4. Dd) 900 a 1100 Hz, es decir, 200 Hz
48. 48EVALUACION TB 8.4 Amplificadores de radio frecuencia
    8. ¿Y cuál es la FRECUENCIA CENTRAL (F0) de esta banda de paso?

    1. Aa) 1000 Hz
    2. Bb) 1200 Hz
    3. Cc) 1500 Hz
    4. Dd) 1800 Hz
49. 49EVALUACION TB 8.4 Amplificadores de radio frecuencia
    9. Las gráficas de la figura muestran diferentes ANCHOS DE BANDA vs. IMPEDANCIA de un CIRCUITO SINTONIZADO ESPECÍFICO. Estas son gráficas de:

    

    1. Aa) Ancho de banda
    2. Bb) Selectividad
    3. Cc) Ganancia
    4. Dd) Acoplamiento
50. 50EVALUACION TB 8.4 Amplificadores de radio frecuencia
    10. ¿Y que significa SELECTIVIDAD?

    1. Aa) La ganancia que puede proporcionar un circuito de amplificación
    2. Bb) La amplitud de las señales que puede manejar un amplificador
    3. Cc) La capacidad de un circuito sintonizado para permitir el paso de sólo las frecuencias deseadas
    4. Dd) La capacidad de un filtro para amplificar las señales presentes en su entrada
51. 51EVALUACION TB 8.4 Amplificadores de radio frecuencia
    11. ¿Cómo se llama la variable usada para definir la selectividad de un filtro?

    1. Aa) F
    2. Bb) S
    3. Cc) D
    4. Dd) Q

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Primero Planta Externa Quiz on ELECTRONICA BASICA 2, created by Roman Silva on 30/10/2025.

Author

Roman Silva

Language

Español

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Tags

planta externaprimero

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