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Fragen in diesem Quiz (200)
11. ES UN DISPOSITIVO AL QUE SE LE TRANSFIERE INFORMACION BINARIA QUE DESEA ALMACENARSE Y DEL QUE SE PUEDE OBTENER INFORMACION QUE ES NECESARIO PROCESAR.
- AUNIDAD DE MEMORIA
- BMEMORIA RAM
- CMEMORIA ROM
- DDISPOSITIVO LOGICO PROGRAMABLE
22. ES UNA COLECCION DE CELDAS QUE PERMITE ALMACENAR UNA GRAN CANTIDAD DE INFORMACION BINARIA
- AUNIDAD DE MEMORIA
- BMEMORIA RAM
- CMEMORIA RO
- DDISPOSITIVO LOGICO PROGRAMABLE
33.MEMORIA QUE ACEPTA NUEVA INFORMACION QUE SE GUARDARA PARA PODER UTILIZARLA POSTERIORMENTE. (ESCRITURA-LECTURA)
- AMEMORIA RAM
- BMEMORIA ROM
- CUNIDAD DE MEMORIA
- DDISPOSITIVO LOGICO PROGRAMABLE
44. ES EL PROCESO DE GUARDAR INFORMACION NUEVA EN LA MEMORIA
- AESCRITURA
- BLECTURA
- CPROGRAMAR
- DBORRAR
55. ES EL PROCESO DE TRANSFERIR DESDE LA MEMORIA LA INFORMACION EN ELLA ALMACENADA.
- ALECTURA
- BESCRITURA
- CPROGRAMAR
- DBORRAR
66. MEMORIA QUE UNICAMENTE PUEDE EFECTUAR OPERACIONES DE LECTURA.
- AMEMORIA ROM
- BMEMORIA RAM
- CUNIDAD DE MEMORIA
77. MEMORIA QUE ES UN DISPOSITIVO LOGICO PROGRAMABLE (PLD).
- AMEMORIA ROM
- BMEMORIA RAM
- CUNIDAD DE MEMORIA
88. LA INFORMACION BINARIA QUE SE ALMACENA ES ENTE, SE ESPECIFICA DE ALGUNA MANERA Y LUEGO SE INCORPORA AL HARDWARE.
- ADISPOSITIVO LOGICO PROGRAMABLE
- BMEMORIA RAM
- CMEMORIA ROM
- DUNIDAD DE MEMORIA
99. EN UN PLD, CUANDO LA INFORMACION BINARIA QUE SE ALMACENA SE ESPECIFICA DE ALGUNA MANERA Y LUEGO SE INCORPORA AL HARDWARE, SE LE CONOCE COMO:
- APROGRAMAR EL DISPOSITIVO
- BESCRIBIR EN EL DISPOSITIVO
- CLEER EL DISPOSITIVO
- DBORRAR EL DISPOSITIVO
1010. SE REFIERE AL PROCEDIMIENTO DE HARDWARE QUE ESPECIFICA LOS BITS QUE SE INSERTAN EN UNA CONFIGURACION DE HARDWARE DE UN DISPOSITIVO
- APROGRAMACION
- BESCRITURA
- CLECTURA
1111. ES UN CIRCUITO INTEGRADO CON COMPUERTAS LOGICAS INTERNAS QUE SE CONECTAN MEDIANTE TRAYECTORIAS ELECTRONICAS QUE SE COMPORTAN COMO UNA SERIE DE FUSIBLES
- APLD
- BPLA
- CPAL
- DFPGA
1212. CORRESPONDE EL ACRONIMO DE PLA.
- AARREGLO DE LOGICA PROGRAMABLE
- BARREGLO LOGICO PROGRAMABLE
1313. CORRESPONDE EL ACRONIMO DE PAL.
- AARREGLO LOGICO PROGRAMABLE
- BARREGLO DE LOGICA PROGRAMABLE
1414. ES UN CONJUNTO DE CELDAS DE ALMACENAMIENTO, JUNTO CON CIRCUITOS ASOCIADOS QUE SE REQUIEREN PARA TRANSFERIR INFORMACION AL Y DEL DISPOSITIVO.
- AUNIDAD DE MEMORIA
- BMEMORIA RAM
- CMEMORIA ROM
- DDISPOSITIVO LOGICO PROGRAMABLE
1515. EN ESTA MEMORIA, EL TIEMPO QUE TOMA EN TRANSFERIR INFORMACION A O DE CUALQUIER POSICION AL AZAR DESEADA SIEMPRE ES EL MISMO.
- AMEMORIA RAM
- BMEMORIA ROM
- CUNIDAD DE MEMORIA
- DDISPOSITIVO LOGICO PROGRAMABLE
1616. ESTE TIPO DE MEMORIA ALMACENA INFORMACION BINARIA EN GRUPO DE BITS LLAMADOS PALABRAS.
- AMEMORIA RAM
- BMEMORIA ROM
- CUNIDAD DE MEMORIA
- DDISPOSITIVO LOGICO PROGRAMABLE
1717. ENTIDAD DE BITS QUE SIEMPRE SE GUARDAN O SACAN JUNTOS COMO UNIDAD
- APALABRA DE MEMORIA
- BUNIDAD DE MEMORIA
- CLECTURA
- DESCRITURA
1818. ES UN GRUPO DE UNOS Y CEROS Y PODRIA REPRESENTAR UN NUMERO, UNA INSTRUCCION , UNO O MAS CARACTERES ALFANUMERICOS O CULAQUIER OTRA INFORMACION CODIFICADA EN BINARIO.
- APALABRA DE MEMORIA
- BUNIDAD DE MEMORIA
- CCODIGO
- DBYTE
1919. ES UN GRUPO DE 8 BITS, LAS MEMORIAS DE COMPUTADORAS MANEJAN PALABRAS CUYA LONGITUD ES UN MULTIPLO DE 8 BITS.
- ABYTE
- BPALABRA DE MEMORIA
- CCODIGO
- DUNIDAD DE MEMORIA
2020. DE ACUERDO CON LA COMUNICACION DE LA MEMORIA RAM CON SU ENTORNO. ALMACENAN LA INFORMACION QUE SE GUARDARA EN LA MEMORIA
- ALINEAS DE ENTRADA DE DATOS
- BLINEAS DE SALIDA DE DATOS
- CLINEAS DE SELECCION DE DIRECCIONES
- DENTRADAS DE CONTROL
2121. DE ACUERDO CON LA COMUNICACION DE LA MEMORIA RAM CON SU ENTORNO. PROPORCIONAN LA INFORMACION QUE VIENE DE LA MEMORIA
- ALINEAS DE SALIDAS DE DATOS
- BLINEAS DE ENTRADA DE DATOS
- CLINEAS DE SELECCION DE DIRECCIONES
- DENTRADAS DE CONTROL
2222. DE ACUERDO CON LA COMUNICACION DE LA MEMORIA RAM CON SU ENTORNO. ESPECIFICAN LA PALABRA ESPECÍFICA ESCOGIDA DE ENTRE MUCHAS DISPONIBLES.
- ALINEAS DE SELECCION DE DIRECCIONES
- BLINEAS DE SALIDA DE DATOS
- CLINEAS DE ENTRADA DE DATOS
- DENTRADAS DE CONTROL
2323. DE ACUERDO CON LA COMUNICACION DE LA MEMORIA RAM CON SU ENTORNO. HACEN QUE SE TRANFIERAN DATOS BINARIOS A LA MEMORIA
- AENTRADAS DE CONTROL ESCRITURA
- BENTRADAS DE CONTROL LECTURA
- CLINEAS DE ENTRADA DE DATOS
- DLINEAS DE SALIDA DE DATOS
2424. DE ACUERDO CON LA COMUNICACION DE LA MEMORIA RAM CON SU ENTORNO. HACE QUE SAQUEN DATOS BINARIOS DE LA MEMORIA.
- AENTRADAS DE CONTROL LECTURA
- BENTRADAS DE CONTROL ESCRITURA
- CLINEA DE ENTRADA DE DATOS
- DLINEA DE SALIDA DE DATOS
2525. ES EL NUMERO DE IDENTIFICACION QUE SE LE ASIGNA A CADA PALABRA DE MEMORIA.
- ADIRECCION
- BIDENTIFICADOR
- CENCABEZADO
2626. DENTRO DE LAS OPERACIONES CON LA MEMORIA RAM, SON LOS PASOS PARA LA ESCRITURA:
- ADIRECCION BINARIA DE LA LOCALIDAD DESEADA (LINEAS DE DIRECCION), DATOS QUE SE GUARDAN EN LA MEMORIA (LINEAS DE ENTRADA DE DATOS) Y ACTIVAR ENTRADA (ESCRIBIR)
- BDIRECCION BINARIA DE LA LOCALIDAD DESEADA (LINEAS DE DIRECCION), ACTIVAR LEER (LEER)
2727. DENTRO DE LAS OPERACIONES CON LA MEMORIA RAM, SON LOS PASOS PARA LA LECTURA:
- ADIRECCION BINARIA DE LA LOCALIDAD DESEADA (LINEAS DE DIRECCION), ACTIVAR LEER (LEER)
- BDIRECCION BINARIA DE LA LOCALIDAD DESEADA (LINEAS DE DIRECCION), DATOS QUE SE GUARDAN EN LA MEMORIA (LINEAS DE ENTRADA DE DATOS) Y ACTIVAR ENTRADA (ESCRIBIR)
2828. EN EL CASO DE CI CON DOS ENTRADAS. SIRVE PARA HABILITAR UN CHIP DE MEMORIA, SI ESTA INACTIVA EL CHIP NO ESTA SELECCIONADO Y NO SE EFECTUA NINGUNA OPERACION.
- AHABILITAR MEMORIA
- BENTRADA DE CONTROL
- CENTRADA DE DATOS
2929. EN EL CASO DE CI CON DOS ENTRADAS. SIRVE PARA HABILITAR UN CHIP DE MEMORIA, SI ESTA ACTIVA, LA ENTRADA LEER/ESCRIBIR DETERMINA LA OPERACION A EFECTUAR.
- AHABILITAR MEMORIA
- BENTRADAS DE CONTROL
- CLINEAS DE SELECCION DE ENTRADA DE DATOS
3030. EL MODELADO DE LA MEMORIA RAM SE LLEVA A CABO EN:
- AVERILOG HDL
- BLENGUAJE C
3131. ES EL ESTADO DE LA MEMORIA RAM, DONDE SE EFECTUA UNA OPERACION DE LECTURA.
- AREAD WRITE=1
- BREAD WRITE=0
- CENABLE=0
- DENABLE=1
3232. ES EL ESTADO DE LA MEMORIA RAM DONDE SE EFECTUA UNA OPERACION DE ESCRITURA.
- AREAD WRITE=0
- BREAD WRITE=1
- CENABLE=1
- DENABLE=0
3333. ES EL ESTADO DE LA MEMORIA RAM DONDE LA MEMORIA QUEDA INHABILITADA.
- AENABLE=0
- BENABLE= 1
- CREAD WRITE=0
- DREAD WRITE=1
3434. ES EL TIEMPO QUE TOMA SELECCCIONAR UNA PALABRA Y LEERLA
- ATIEMPO DE ACCESO
- BTIEMPO DE CICLO
- CTIEMPO DE LECTURA
- DTIEMPO DE ESCRITURA
3535. ES EL TIEMPO NECESARIO PARA LLEVAR A CABO UNA OPERACION DE ESCRITURA.
- ATIEMPO DE CICLO
- BTIEMPO DE ACCESO
- CTIEMPO DE ESCRITURA
- DTIEMPO DE LECTURA
3636. UNA DE SUS CUALIDADES ES QUE LAS DIRECCIONES DE LAS PALABRAS ESTAN SEPARADAS EN EL ESPACIO Y CADA PALABRA OCUPA UN LUGAR DADO.
- AMEMORIA RAM
- BMEMORIA ROM
- CMEMORIA DE ACCESO SECUENCIAL
3737. UNA DE SUS CUALIDADES ES QUE EL TIEMPO DE ACCESO SIEMPRE ES EL MISMO, SIN IMPORTAR EN QUE LUGAR ESTE LA PALABRA.
- AMEMORIA RAM
- BMEMORIA ROM
- CMEMORIA DE ACCESO SECUENCIAL
3838. EN ESTE TIPO DE MEMORIA, LA INFORMACION NO ESTA DISPONIBLE INMEDIATAMENTE, SOLO SE OBTIENE EN CIERTOS INTERVALOS DE TIEMPO.
- AMEMORIA DE ACCESO SECUENCIAL
- BMEMORIA RAM
- CMEMORIA ROM
3939. EN ESTE TIPO DE MEMORIA EL TIEMPO QUE TOMA TENER ACCESO A UNA PALABRA, DEPENDE DE LA POSICION DE LA PALABRA CON RESPECTO A LA POSICION DE LA CABEZA LECTORA.
- AMEMORIA DE ACCESO SECUENCIAL
- BMEMORIA RAM
- CMEMORIA ROM
4040. EN ESTE TIPO DE MEMORIA EL TIEMPO DE ACCESO ES VARIABLE.
- AMEMORIA DE ACCESO SECUENCIAL
- BMEMORIA RAM
- CMEMORIA ROM
4141. DENTRO DE LOS MODOS DE OPERACION DE LAS RAM. CONSISTE EN LATCHES INTERNOS QUE GUARDAN LA INFORMACION BINARIA, ESTA INFORMACION SERA VALIDADA EN TANTO NO DEJE DE ALIMENTARSE ELECTRICIDAD A LA UNIDAD
- ARAM ESTATICA (SRAM)
- BRAM DINAMICA (DRAM)
- CMEMORIA DE ACCESO SECUENCIAL
4242. DENTRO DE LOS MODOS DE OPERACION DE LAS RAM. ALMACENA LA INFORMACION BINARIA EN FORMA DE CARGAS ELECTRICAS EN CONDENSADORES, LOS CONDENSADORES DEBEN RECARGARSE PERIODICAMENTE.
- AMEMORIA DINAMICA (DRAM)
- BMEMORIA ESTATICA (SRAM)
- CMEMORIA DE ACCESO SECUENCIAL
4343. DE ACUERDO CON SU MODO DE OPERACION, ESTA CONSUME MENOS ELECTRICIDAD Y OFRECE MAYOR CAPACIDAD DE ALMACENAMIENTO EN UN SOLO CHIP DE MEMORIA.
- ADRAM
- BSRAM
- CRAM
- DROM
4444. DE ACUERDO CON SU MODO DE OPERACION, ES MAS FACIL DE USAR Y SUS CICLOS DE LECTURA Y ESCRITURA SON MAS CORTOS.
- ASRAM
- BDRAM
- CRAM
- DROM
4545. SON LAS UNIDADES DE MEMORIA QUE PIERDEN LA INFORMACION ALMACENADA CUANDO SE INTERRUMPE LA ALIMENTACION ELECTRICA.
- AMEMORIA VOLATIL
- BMEMORIA NO VOLATIL
4646. LAS MEMORIAS SRAM Y DRAM SON EJEMPLO DE MEMORIAS:
- AMEMORIAS VOLATILES
- BMEMORIAS NO VOLATILES
4747. ESTE TIPO DE MEMORIAS CONSERVAN LA INFORMACION ALMACENADA DESPUES DE APAGARSE.
- AMEMORIAS NO VOLATILES
- BMEMORIAS VOLATILES
4848. EN EL CASO DEL DISCO MAGNETICO Y MEMORIA ROM, SON EEJEMPLOS DE:
- AMEMORIA NO VOLATIL
- BMEMORIA VOLATIL
4949. DE ACUERDO CON LA CONSTRUCCION DE LA RAM. ES EL BLOQUE DE CONSTRUCCION BASICO DE UNA UNIDAD DE MEMORIA, DEBIENDO SER PEQUEÑAS PARA QUE QUEPAN EN LA REDDUCIDA AREA DEL CHIP DE CIRCUITOS INTEGRADOS
- ACELDA BINARIA DE ALMACENAMIENTO
- BUNIDAD DE MEMORIA
- CDECODIFICADOR
- DDECODIFICADOR COINCIDENTE
5050. DE ACUERDO CON LA CONSTRUCCION DE LA RAM. EN LA CELDA BINARIA DE ALMACENAMIENTO, ES LA ENTRADA QUE HABILITA A LA CELDA PARA LEER/ESCRIBIR.
- AENTRADA SELECCION
- BENTRADA LEER/ESCRIBIR
5151. DE ACUERDO CON LA CONSTRUCCION DE LA RAM. EN LA CELDA BINARIA DE ALMACENAMIENTO, ES LA ENTRADA QUE DETERMINA LA OPERACION DE LA CELDA.
- ALA ENTRADA LEER/ESCRIBIR
- BLA ENTRADA SELECCION
5252. DE ACUERDO CON LA CONSTRUCCION DE LA RAM. SELECCIONAN PALABRAS INDIVIDUALES, SELECCIONA UNA PALABRA DE n BITS PARA LEERLA O ESCRIBIRLA
- ADECODIFICADOR
- BCELDA BINARIA DE ALMACENAMIENTO
- CDECODIFICADOR COINCIDENTE
- DMULTIPLEXOR DE DIRECCIONES
5353. DE ACUERDO CON LA CONSTRUCCION INTERNA DE LA RAM, UTILIZA 2 DECODIFICADORES EN UN ESQUEMA BIDIMENSIONAL DE SELECCION PARA REDUCIR EL TOTAL DE COMPUERTAS Y EL NUMERO DE ENTRADA POR COMPUERTAS.
- ADECODIFICADOR COINCIDENTE
- BDECODIFICADOR
- CMULTIPLEXOR DE DIRECCIONE
- DCELDA BINARIA DE ALMACENAMIENTO
5454. DENTRO DE LA CONSTRUCCION INTERNA DE LA RAM. LA IDEA DE BASICA DE ESTE, ES ACOMODAR LAS CELDAS DE MEMORIA EN UN ARREGLO LO MAS CERCANO POSIBLE A UN CUADRADO.
- ADECODIFICADOR COINCIDENTE
- BDECODIFICADOR
- CCELDA BINARIA DE ALMACENAMIENTO
- DMULTIPLEXOR DE DIRECCIONES
5555. DENTRO DE LA CONSTRUCCION INTERNA DE LA RAM. LA IDEA DE BASICA DE ESTE, UN DECODIFICADOR SELECCIONA LA FILA Y EL OTRO SELECCIONA LA COLUMNA DE UNA CONFIGURACION DE MATRIZ BIDIMIENCIONAL.
- ADECODIFICADOR COINCIDENTE
- BDECODIFICADOR
- CCELDA BINARIA DE ALMACENAMIENTO
- DMULTIPLEXOR DE DIRECCIONES
5656. DENTRO DE LA CONSTRUCCION INTERNA DE LA RAM, EN ESTE HAY UNA ENTRADA DE DIRECCION Y 2 STROBES DE DIRECCION QUE HABILITAN LAS DIRECCIONES DE FILA Y DE COLUMNA PARA QUE INGRESEN SUS RESPECTIVOS REGISTROS.
- ADECODIFICADOR COINCIDENTE
- BDECODIFICADOR
- CMULTIPLEXOR DE DIRECCIONES
- DCELDA BINARIA DE ALMACENAMIENTO
5757. DENTRO DE LA CONSTRUCCION INTERNA DE LA RAM. ES EL STROBE QUE HABILITA EL REGISTRO DE LA FILA.
- AESTROBE DE DIRECCION DE FILA "RAS" (ROW ADDRESS STROBE)
- BESTROBE DE DIRECCION DE COLUMNA (COLUMN ADDRESS STROBE)
5858. DENTRO DE LA CONSTRUCCION INTERNA DE LA RAM. ES EL STROBE QUE HABILITA EL REGISTRO DE LA COLUMNA.
- AESTROBE DE DIRECCION DE COLUMNA (COLUMN ADDRESS STROBE)
- BESTROBE DE DIRECCION DE FILA "RAS" (ROW ADDRESS STROBE)
5959. LA ______________________SE APLICA EN 2 PASOS UTILIZANDO RAS Y CAS.
- ADIRECCION
- BENTRADA DE DATOS
- CSALIDA DE DATOS
- DESCRITURA
6060. ESQUEMA MAS COMUN PARA DETECTAR ERRORES, SE GENERA UN BIT DE PARIDAD Y SE ALMACENA JUNTO CON LA PALABRA DE DATOS EN LA MEMORIA Y SE ACEPTA SI LA PARIDAD DE LOS BITS LEIDOS ES CORRECTA.
- ABIT DE PARIDAD
- BCORRECCION DE ERRORES
- CDETECCION DE ERRORES
- DCODIGO HAMMING
6161. EN LA DETECCION Y CORRECCION DE ERRORES. SE GENERA CUANDO LOS BITS DE COMPROBACIN NO COINCIDEN YA QUE ES UN PATRON UNICO.
- ASINDROME
- BERROR
- CCODIGO HAMMING
- DBIT DE PARIDAD
6262. EN LA DETECCION Y CORRECCION DE ERRORES, SIRVE PARA IDENTIFICAR EL BIT ERRONEO.
- ASINDROME
- BBIT DE PARIDAD
- CCODIGO HAMMING
- DCODIGO HAMMING MODIFICADO
6363. EN LA DETECCION Y CORRECCION DE ERRORES, A TRAVES DE ESTE SE IDENTIFICA EL BIT ERRONEO, EL ERROR PODRA CORREGIRSE COMPLEMENTANDO DICHO BIT.
- ASINDROME
- BBIT DE PARIDAD
- CCODIGO HAMMING
- DCODIGO HAMMING MODFICADO
6464. EN LA DETECCION Y CORRECCION DE ERRORES, SE AÑADEN K BITS DE PARIDAD A UNA PALABRA DE N BITS PARA FORMAR UNA NUEVA PALABRA DE K + N BITS.
- ACODIGO HAMMING
- BCODIGO HAMMING MODIFICADO
- CBIT DE PARIDAD
- DSINDROME
6565. EN LA DETECCION Y CORRECCION DE ERRORES, EN ESTE CODIGO LAS POSICIONES NUMERADAS CON POTENCIAS DE 2 SE RESERVAN PARA LOS BITS DE PARIDAD, LOS DEMAS BITS SON BITS DE DATOS.
- ACODIGO HAMMING
- BCODIGO HAMMING MODIFICADO
- CBIT DE PARIDAD
- DSINDROME
6666. EN LA DETECCION Y CORRECCION DE ERRORES, ESTE CODIGO SE USA CON PALABRAS DE CUALQUIER LOGUITUD.
- ACODIGO HAMMING
- BCODIGO HAMMINF MODIFICADO
- CBIT DE PARIDAD
- DSINDROME
6767. EN LA DETECCION Y CORRECCION DE ERRORES, ESTE CODIGO SOLO DETECTA Y CORRIGE UN ERROR.
- ACODIGO HAMMING
- BCODIGO HAMMING MODIFICADO
- CBIT DE PARIDAD
- DSINDROME
6868. EN LA DETECCION Y CORRECCION DE ERRORES, ES CODIGO SE UTILIZA PARA GENERAR Y VERIFICAR BITS DE PARIDAD QUE PERMITEN CORREGIR ERRORES INDIVIDUALES Y DETECTAR ERRORES DOBLES.
- ACODIGO HAMMING MODIFICADO
- BCODIGO HAMMING
- CBIT DE PARIDAD
- DSINDROME
6969. EN LA DETECCION Y CORRECCION DE ERRORES, ESTE CODIGO USA UNA CONFIGURACION DE PARIDAD MAS EFICIENTE QUE BALANCEA EL NUMERO DE BITS CON LOS QUE SE CALCULA EL XOR.
- ACODIGO HAMMING MODIFICADO
- BCODIGO HAMMING
- CSINDROME
- DBIT DE PARIDAD
7070. EN LA DETECCION Y CORRECCION DE ERRORES, ES EL CI QUE USA UNA PALABRA DE DATOS DE 8 BITS Y CINCO PARA LA PALABRA DE COMPROBACION
- AEL CI 74637
- BEL CI 47637
7171. ES UN DISPOSITIVO DE MEMORIA EN EL QUE SE ALMACENA INFORMACION BINARIA PERMANENTE POR LO QUE SE FORMA EL PATRON DE INTERCONEXION REQUERIDO.
- AMEMORIA ROM
- BMEMORIA RAM
- CUNIDAD DE MEMORIA
- DCELDA BINARIA DE MEMORIA
7272. EN ESTE TIPO DE MEMORIA, EL PATRON PERMANECE EN LA UNIDAD AUNQUE SE APAGUE Y SE VUELVA ENCEDER, LAS ENTRADAS PROPORCIONAN LA DIRECCION DE MEMORIA Y LAS SALIDAS SUMINISTRAN LOS BITS DE DATOS DE LA PALABRA ALMACENADA SELECCIONADA POR LA DIRECCION.
- AMEMORIA ROM
- BMEMORIA RAM
- CUNIDAD DE MEMORIA
- DCELDA BINARIA DE MEMORIA
7373. ESTE TIPO DE MEMORIA NO TIENE ENTRADA DE DATOS Y UTILIZA COMPUERTAS OR EN SU DECODIFICADOR.
- AMEMORIA ROM
- BMEMORIA RAM
- CUNIDAD DE MEMORIA
- DCELDA BINARIA DE MEMORIA
7474. EN LAS MEMORIAS ROM, LA INTERSECCION PROGRAMABLE ENTRE DOS LINEAS (ABIERTO/CERRADO) SE CONOCE COMO
- APUNTO DE CRUCE
- BPUNTO DE PROGRAMACION
- CDIRECCION
- DENTRADA
7575. EL FUNCIONAMIENTO INTERNO DE ESTA MEMORIA PUEDE SER COMO: UNIDAD DE MEMORIA O COMO CIRCUITO COMBINACIONAL.
- AMEMORIA ROM
- BMEMORIA RAM
7676. ES UNA DE LAS FORMAS PARA PROGRAMAR UNA ROM DONDE LA EFECTUA EL FABRICANTE DE SEMICONDUCTORES DURANTE EL ULTIMO PROCESO DE FABRICACION DE LA UNIDAD.
- APOR MASCARA
- BPROM
- CEPROM
- DEEPROM
7777. EN ESTE TIPO DE PROGRAMACION DE LA ROM, CLIENTE LLENA UNA TABLA DE VERDAD QUE DEBE TENER LA ROM, ES MAS COSTOSA Y SOLO RESULTA ECONOMICA PARA GRANDES CANTIDADES
- APOR MASCARA
- BPROM
- CEPROM
- DEEPROM
7878. TIPO DE MEMORIA DONDE LOS FUSIBLES SE QUEMAN APLICANDO UN PULSO ALTO A TRAVES DE UNA TERMINAL ESPECIAL, EL PROCEDIMIENTO ES HARDWARE A TRAVES DE INSTRUMENTOS LLAMADOS "PROGRAMADORES".
- APROM
- BEPROM
- CEEPROM
- DMASCARA
7979. TIPO DE MEMORIA EN DONDE EL PROCEDIMIENTO DE PROGRAMAR ES HARDWARE A TRAVES DE INTRUMENTOS LLAMADOS PROGRAMADORES Y CUYOS PROCEDIMIENTOS SON IRREVERSIBLES
- APROM
- BEPROM
- CEEPROM
- DMASCARA
8080. TIPO DE ROM QUE SE PUEDE RESTAURAR AL ESTADO INICIAL COLOCANDOLA BAJO UNA LUZ ULTRAVIOLETA ESPECIAL DURANTE CIERTO TIEMPO, LAS ONDAS CORTAS DESCARGAN LAS COMPUERTAS FLOTANTES INTERNAS QUE ACTUAN COMO CONEXIONES PROGRAMADAS
- AEPROM (PROM BORRABLE)
- BEEPROM (PROM BORRABLE ELECTRICAMENTE)
- CMASCARA
- DPROM
8181. TIPO DE MEMORIA QUE ES COMO LA EPROM SOLO QUE LAS CONEXIONES PREVIAMENTE PROGRAMADAS SE BORRAN CON UNA SEÑAL ELECTRICA
- AEEPROM (PROM BORRABLE ELECTRICAMENTE)
- BEPROM (PROM BORRABLE)
- CMASCARA
- DPROM (MEMORIA PROGRAMABLE DE SOLO LECTURA)
8282. ES UN CIRCUITO INTEGRADO CON COMPUERTAS PROGRAMABLES DIVIDIDAS EN UN ARREGLO AND Y UN ARREGLO OR PARA EFECTUAR UNA IMPLEMENTACION DE SUMA DE PRODUCTOS AND-OR.
- APLD COMBINACIONAL
- BPAL
- CPLA
- DPROM
8383. DENTRO DE LOS TIPOS DE PLD COMBINACIONAL. TIENE UNA ARREGLO AND FIJO CONSTRUIDO COMO DECODIFICADOR Y UN ARREGO OR PROGRAMABLE. LAS OR PROGRAMABLE HACEN LA SUMA DE MINITERMINOS.
- APROM
- BPAL
- CPLA
8484. DENTRO DE LOS TIPOS DE PLD COMBINACIONAL. ES UN ARREGLO LOGICO PROGRAMABLE QUE TIENE UN ARREGLO AND PROGRAMABLE Y UN ARREGLO OR FIJO, LAS AND CREAN LOS TERMINOS PRODUCTO.
- APAL
- BPLA
- CPROM
8585. DENTRO DE LOS TIPOS DE PLD COMBINACIONAL. ES UN ARREGLO DE LOGICA PROGRAMABLE EN DONDE AMBOS ARREGLOS OR Y AND SON PROGRAMABLES, CUALQUIER COMPUERTA OR COMPARTE LOS TERMINOS PRODUCTO DEL ARREGLO AND PARA CREAR LA SUMA DE PRODUCTOS DESEADA.
- APLA
- BPAL
- CPROM
8686. DE LOS TIPOS DE PLD COMBINACIONAL. ES SIMILAR AL PROM EN SU CONCEPTO, SOLO QUE NO EFECTUA UNA CODIFICACION CABAL DE LAS VARIABLES NI GENERA TODOS LOS MINITERMINOS. EL CODIFICADOR SE SUTITUYE POR UN ARREGLO DE COMPUERTAS AND. QUE SE PROGRAMAN PARA GENERAR CUALQUIER TERMINO PRODUCTO DE LAS VARIABLES DE ENTRADA
- APLA
- BPAL
- CEPROM
8797. EL TAMAÑO DE ESTE DISPOSITIVO SE ESPECIFICA DANDO EL NUMERO DE ENTRADAS, EL NUMERO DE TERMINO DE PRODUCTO Y EL NUMERO DE SALIDAS. ASIMISMO PUEDE SER PROGRAMADO POR MASCARA O EN CAMPO.
- APAL (ARREGLO DE LOGICO PROGRAMABLE)
- BPLA (ARREGLO DE LOGICA PRGRAMABLE)
- CPROM (MEMORIA PROGRAMABLE DE SOLO LECTURA)
8888. ES UN DISPOSITIVO LOGICO PROGRAMABLE CON UN ARREGLO OR FIJO Y UN ARREGLO AND PROGRAMABLE. DADO QUE SOLO LAS AND SON PROGRAMABLES ES MAS FACIL DE PROGRAMAR PERO NO TAN FLEXIBLE COMO EL PLA.
- APAL (ARREGLO LOGICO PROGRAMABLE)
- BPLA (ARREGLO DE LOGICA PROGRAMABLE)
- CPROM (MEMORIA PROGRAMABLE DE SOLO LECTURA)
8989. CORRESPONDE EL ACRONIMO PLD.
- ADISPOSITIVO PROGRAMABLES SECUENCIALES
- BDISPOSITIVO LOGICO PROGRAMABLE COMPLEJO
- CARREGLO DE COMPUERTAS PROGRAMABLES EN EL CAMPO
9090. CORRESPONDE EL ACRONIMO SPLD.
- ADISPOSITIVO LOGICO PROGRAMABLE SECUENCIA (O SIMPLE)
- BDISPOSITIVO LOGICO PROGRAMABLE COMPLEJO
- CARREGLO DE COMPUERTAS PROGRAMABLES EN EL CAMPO
9191. CORRESPONDE AL ACRONIMO CPLD.
- ADISPOSITIVO LOGICO PROGRAMABLE COMPLEJO
- BDISPOSITIVO LOGICO PROGRAMABLE SECUENCIAL O SIMPLE
- CARREGLO DE COMPUERTAS PROGRAMABLES EN EL CAMPO
9292. CORRESPONDE AL ACRONIMO FPGA.
- AARREGLO DE COMPUERTAS PROGRAMABLES EN EL CAMPO
- BDISPOSITIVO LOGICO PROGRAMABLE SECUENCIA O SIMPLE
- CDISPOSITIVO LOGICO PROGRAMABLE COMPLEJO
9393. TIPO DE PLD CUYA CONFIGURACION MAS GENERAL ES CON PAL COMBINACIONAL JUNTO CON FLIP FLOPS D, CADA SECCION DE ESTE SE DENIMINA MACROCELDA.
- ASPLD
- BCPLD
- CFPGA
9494. DENTRO DEL SPLD, ES UN CIRCUITO QUE CONTIENE UNA FUNCION DE LOGICA COMBINACIONAL DE SUMA DE PRODUCTOS Y UN FLIP FLOP OPCIONAL.
- AMACROCELDA
- BDECODIFICADOR
- CMULTIPLEXOR
9595. LAS OPCIONES DE PROGRAMACION DE ________SON: LA CAPACIDAD DE USAR EL FLIP FLOP O PASARLO POR ALTO, SELECCIONAR LA POLARIDAD DEL BORDE DE RELOJ, SELECCIONAR PREESTABLECIMIENTO (PRESET) Y DEPEJE (CLEAR) PARA EL REGISTRO Y SELECCIONAR LA FORMA VERDADERA O COMPLEMENTO DE UNA SALIDA.
- AMACROCELDA
- BSPLD
- CCPLD
- DFPGA
9696. ES UN CONJUNTO DE PLD INDIVIDUALES EN UN SOLO CIRCUITO INTEGRADO, INTERCONECTADOS A TRAVES DE UNA MATRIZ PROGRAMABLE DE CONMUTADORES
- ACPLD
- BSPLD
- CFPGA
- DMACROCELDA
9797. EN ESTE DISPOSITIVO LA MATRIZ DE CONMUTADORES RECIBE ENTRADAS DEL BLOQUE E/S Y LAS DIRIGE A LAS MACROCELDAS INDIVIDUALES, SI UNA MACROCELDA TIENE TERMINOS PRODUCTO NO UTILIZADOS, OTRAS MACROCELDAS CERCANAS PUEDEN USARLOS
- ACPLD
- BSPLD
- CFPGA
- DPLD
9898. ES EL COMPONENTE BASICO EMPLEADO EN UN DISEÑO VLSI, QUE CONSISTE EN UN PATRON DE COMPUERTAS FABRICADAS EN UN AREA DE SILICIO Y QUE SE REPITE MILES DE VECES HASTA CUBRIR TODO EL CHIP CON LAS COMPUERTAS.
- AARREGLO DE COMPUERTAS
- BBLOQUES DE FUNCION
- CMACROCELDA
9999. ES UN CIRCUITO QUE SE PROGRAMA EN LAS INSTALACIONES DEL CLIENTE, CONSISTE EN UN ARREGLO DE CIENTOS O MILES DE BLOQUES LOGICOS , RODEADO POR BLOQUES PROGRAMABLES DE ENTRADA/SALIDA Y CONECTADO MEDIANTE CONEXIONE PROGRAMABLES.
- AFPGA
- BCPLD
- CSPLD
- DPLD
100100. DENTRO DE LOS FPGA, CONSISTE EN TABLA DE CONSULTAS, MULTIPLEXORES, COMPUERTAS Y FLIP FLOPS.
- ABLOQUE LOGICO
- BMACROCELDA
- CBLOQUES DE FUNCION
101101. EL DISEÑO CON_________REQUIERE DE HERRAMIENTAS DE DISEÑO ASISTIDO POR COMPUTADORA (CAD) Y LENGUAJES PARA DESCRIBIR HARDWARE "HDL" (HARDWARE DESCRIPTION LANGUAGES), ABEL, VERILOG, VHDL.
- APLD, CPLD O FPGA
- BCOMPUERTAS
- CTRANSISTORES
- DMEMORIAS RAM Y ROM
102102. ES EL VLTAJE QUE MANEJA LA LOGICA RTL.
- A0.2 V--1 A 3.6 V
- B0.2 V--4 A 5 V
- C0.2 V--2.4 A 5V
103103. ES EL VOLTAJE QUE MANEJA LA LOGICA DTL
- A0.2 V--4 A 5 V
- B0.2 V--1 A 3.6 V
- C0.2 V--2.4 A 5V
104104. ES EL VOLTAJE QUE MANEJA LA LOGICA TTL.
- A0.2 V--2.4 A 5V
- B0.2 V--1 A 3.6 V
- C0.2 V--4 A 5 V
105105. ES LA CARGA MAXIMA DE SALIDA DE UNA COMPUERTA QUE ESPECIFICA EL NUMERO DE CARGAS ESTANDAR QUE ES POSIBLE CONECTAR A LA SALIDA DE LA COMPUERTA SIN DEGRADAR SU FUNCIONAMIENTO.
- AABANICO DE SALIDA FAN OUT
- BDISIPACION DE POTENCIA
- CRETARDO DE PROPAGACION
- DCARGA ESTANDAR
106106. CANTIDAD DE CORRIENTE QUE REQUIERE UNA ENTRADA DE OTRA COMPUERTA DE LA MISMA FAMILIA LOGICA.
- ACARGA ESTANDAR
- BABANICO DE SALIDA
- CDISIPACION DE POTENCIA
- DRETARDO DE PROPAGACION
107107. AVECES SE UTILIZA EL TERMINO ___________EN LUGAR DE ABANICO DE SALIDA.
- ACARGA
- BCARGA ESTANDAR
- CSOBRECARGA
108108. CUANDO UNA COMPUERTA DEJA DE OPERAR CORRECTAMENTE POR EL HECHO DE QUE LA SALIDA DE UNA COMPUERTA ES CAPAZ DE SUMINISTRAR UNA CANTIDAD DE CORRIENTE LIMITADA.
- ASOBRECARGA
- BCARGA
- CCARGA ESTANDAR
- DFAN OUT
109109. ES EL NUMERO MAXIMO DE ENTRADAS QUE ES POSIBLE CONECTAR A LA SALIDA DE UNA COMPUERTA Y SE EXPRESA CON UN NUMERO.
- AFAN OUT
- BCARGA ESTANDAR
- CCARGA
- DSOBRECARGA
110110. SE CALCULA A PARTIR DE LA CANTIDAD DE CORRIENTE QUE ESTA DISPONIBLE EN LA SALIDA DE UNA COMPUTADORA Y LA CANTIDAD DE CORRIENTE QUE CADA ENTRADA DE UNA COMPUERTA NECESITA.
- AFAN PUT
- BCARGA
- CCARGA ESTANDAR
- DSOBRECARGA
111111. SE EXPRESA EN mW Y REPRESENTA LA CANTIDAD DE POTENCIA QUE LA COMPUERTA NECESITA.
- ADISIPACION DE POTENCIA
- BABANICO DE SALIDA
- CRETARDO EN LA PROPAGACION
- DCARGA ESTANDAR
112112. REPRESENTA LA POTENCIA SUMINISTRADA A LA COMPUERTA POR LA FUENTE DE PODER:
- ADISIPACION DE POTENCIA
- BABANICO DE SALIDA
- CCARGA ESTANDAR
- DRETARDO DE PROPAGACION
113113. ES CALCULADA CON BASE A EL VOLTAJE DE ALIMENTACION VCC Y LA CORRIENTE QUE EL CIRCUITO CONSUME Icc.
- ADISIPACION DE POTENCIA
- BABANICO DE SALIDA
- CRETARDO DE PROPAGACION
- DCARGA ESTANDAR
114114. ES LA CORRIENTE CONSUMIDA CUANDO LA SALIDA DE LA COMPUERTA ES ALTO.
- AI ccH
- BI ccL
- CI D
115115. ES LA CORRIENTE CONSUMIDA CUANDO LA SALIDA DE LA COMPUERTA ES BAJA
- AI ccL
- BI ccH
- CI D
116116. ES EL PRODUCTO DE LA Icc(AVG) x Vcc.
- APOTENCIA MEDIA
- BDISIPASION DE POTENCIA
- CRETARDPO DE PROPAGACION
117117. ES EL TIEMPO MEDIO DE TRANSICION QUE LA SEÑAL TARDA EN PROPAGARSE DE LA ENTRADA A LA SALIDA CUANDO LA SEÑAL BINARIA CAMBIA DE VALOR.
- ARETARDO DE PROPAGACION ns
- BDISIPACION DE POTENCIA mW
- CABANICO DE SALIDA n
- DCARGA ESTANDAR
118118. ES LA SUMATORIA DE LOS TIEMPOS DE RETARDO DE PROPAGACION A TRAVES DE LAS COMPUERTAS DEL CIRCUITO DIGITAL.
- ARETARDO TOTAL DEL CIRCUITO
- BDISIPACION DE POTENCIA
- CRETARDO PROMEDIO DEL CIRCUITO
- DABANICO TOTAL DE SALIDA DEL CIRCUITO
119119. ES EL TIEMPO DE RETARDO DE LA SEÑAL ENTRE LA ENTRADA Y LA SALIDA CUANDO LA SALIDA CAMBIA DE NIVEL ALTO A BAJO.
- At PHL
- Bt PLH
- CDURACION MEDIA
120120. ES EL TIEMPO QUE RETARDO DE LA SEÑAL ENTRE LA ENTRADA Y LA SALIDA CUANDO LA SALIDA CAMBIA DE NIVEL BAJO A NIVEL ALTO.
- At PLH
- Bt PHL
- CDURACION MEDIA
121121. SE CALCULA PROMEDIANDO LOS RETARDOS t PHL y t PLH.
- ADURACION MEDIA
- BMARGEN DE RUIDO
- CDISIPACION DE POTENCIA
- DRETARDO EN LA PROPAGACION
122122. SON SEÑALES ELECTRICAS ESPURIAS DE FUENTES INDUSTRIALES Y DE OTRO TIPO QUE EN OCASIONES INDUCEN VOLTAJES INDESEABLES EN LOS ALAMBRES QUE CONECTAN CIRCUITOS LOGICOS.
- ARUIDO
- BRUIDO DE CORRIENTE CONTINUA
- CMARGEN DE RUIDO
- DRUIDO DE CORRIENTE ALTERNA
123123. ESTE TIPO DE RUIDO SE DEBE A UNA DERIVA EN LOS NIVELES DE VOLTAJE DE UNA SEÑAL
- ARUIDO DE CORRIENTE CONTINUA
- BRUIDO DE CORRIENTE ALTERNA
- CRUIDO
- DMARGEN DE RUIDO
124124. ES UN PULSO ALEATORIO QUE PODRIA TENER SU ORIGEN EN OTRAS SEÑALES DE CONMUTACION .
- ARUIDO DE CORRIENTE ALTERNA
- BRUIDO DE CORRIENTE CONTINUA
- CRUIDO
- DMARGEN DE RUIDO
125125. ES EL TERMINO EMPLEADO PARA REFERIRSE A UNA SEÑAL INDESEABLE SUPERPUESTA A LA SEÑAL OPERATIVA NORMAL.
- ARUIDO
- BMARGEN DE RUIDO
- CRUIDO DE CORRIENTE ALTERNA
- DRUIDO DE CORRIENTE CONTINUA
126126. ES EL VOLTAJE MAXIMO DE RUIDO AÑADIDO A UNA SEÑAL DE ENTRADA DE UN CIRCUITO DIGITAL QUE NO CAUSA UN CAMBIO INDESEABLE EN LA SALIDA DEL CIRCUITO.
- AMARGEN DE RUIDO
- BRUIDO DE CORRIENTE ALTERNA
- CRUIDO DE CORRIENTE CONTINUA
- DRUIDO
127127. ESTE SE EXPRESA EN VOLTS Y REPRESENTA LA SEÑAL MAXIMA DE RUIDO QUE LA COMPUERTA PUEDE TOLERAR.
- AMARGEN DE RUIDO
- BRUIDO
- CRUIDO DE CORRIENTE ALTERNA
- DRUIDO DE CORRIENTE CONTINUA
128128. ESTE SE CALCULA A PARTIR DEL VOLTAJE DE SEÑAL DISPONIBLE EN LA SALIDA DE LA COMPUERTA Y EL VOLTAJE DE SEÑAL REQUERIDO EN LA ENTRADA DE LA COMPUERTA.
- AMARGEN DE RUIDO
- BRUIDO
- CRUIDO DE CORRIENTE ALTERNA
- DRUIDO DE CORRIENTE CONTINUA
129129. PUEDEN SER DE TIPO npn O pnp Y SE COONTRUYEN CON MATERIAL SEMICONDUCTOR DE GERMANIO O SILICIO.
- ABJT
- BRTL
- CDTL
- DTTL
130130. ESTOS SE HACEN DE SILICIO Y SUELEN SER DEL TIPO npn.
- ALOS TRANSISTORES EN CI
- BLOS TRANSISTORES EN PARALELO
- CLOS TRANSISTORES EN SERIE
131131. ES EL CIRCUITO BASICO DE LAS FAMILIAS RTL, DTL, TTL ECL Y TTL.
- AEL TRANSISTOR BIPOLAR
- BEL DIODO
- CLA RESISTENCIA
- DEL TRANSISTOR UNIPOLAR
132132. SON LAS REGIONES DE OPERACION DEL TRANSISTOR npn DE SILICIO.
- AEN CORTE, ACTIVO Y SATURACION
- BABIERTO, CERRADO Y EN SATURACION
- CACTIVO, DESACTIVADO Y STANDBY
133133. ES EL CIRCUITO BASICO DE LA FAMILIA RTL. CADA ENTRADA ESTA ASOCIADA A UN RESISTOR Y A UN TRANSISTOR POR LO QUE SI CUALQUIER ENTRADA DE LA COMPUERTA ES ALTA HACE QUE LA SALIDA SEA BAJA, YA QUE SUS TRANSISTORES ESTAN EN SATURACION.
- ACOMPUERTA NOR
- BCOMPUERTA OR
- CCOMPUERTA AND
- DCOMPUERTA NAND
134134. EN LA LOGICA RTL, SI CUALQUIER ENTRADA ES ALTA HACE QUE LA SALIDA SEA BAJA YA QUE SUS TRANSISTORES ESTAN EN:
- ASATURACION
- BCORTE
- CACTIVOS
135135. EN LA LOGICA RTL, SI TODAS LAS ENTRADAS ESTAN BAJAS, LOS TRANSISTORES ESTARAN EN _______________HACIENDO QUE LA SALIDA SEA ALTA Y SE APROXIME AL VALOR DE ALIMENTACION Vcc.
- ACORTE
- BSATURACION
- CABIERTO
136136. EN LA LOGICA RTL, ESTA LIMITADO POR EL VALOR DEL VOLTAJE DE SALIDA CUANDO ES ALTO.
- AABANICO DE SALIDA
- BDISIPACION DE POTENCIA
- CRETARDO DE PROPAGACION
- DMARGEN DE RUIDO
137137. ES LA DISIPACION DE POTENCIA EN LA LOGICA RTL.
- A12 mW
- B14 mW
- C18 mW
138138. ES EL RETARDO DE PROPAGACION DE LA LOGICA RTL:
- A25 ns
- B30 ns
- C15 ns
139139. ES EL MARGEN DE RUIDO DE LA LOGICA RTL, PARA UNA ENTRADA BAJA:
- A0.4 V
- B1 V
- C0.6 V
- D0.7 V.
140140. ES EL CIRCUITO BASICO DE LA FAMILIA DTL, DONDE SI CUALQUIER ENTRADA ES BAJA LA SALIDA ES ALTA, SI TODAS LAS ENTRADAS SON ALTAS LA SALIDA ES BAJA.
- ANAND
- BNOR
- CAND
- DOR
141141. EN LA LOGICA DTL, AUMENTA SUSTITUYENDO UNO DE LOS DIODOS DEL CIRCUITO DE BASE POR UN TRANSISTOR Y ESTA LIMITADO POR LA CORRIENTE MAXIMA QUE PUEDE FLUIR EN EL COLECTOR DEL TRANSISTOR SATURADO.
- AABANICO DE SALIDA
- BDISIPACION DE POTENCIA
- CRETARDO EN LA PROPAGACION
- DMARGEN DE RUIDO
142142. ES LA DISIPACION DE POTENCIA PARA LA LOGICA DTL.
- A12 mW
- B24 mW
- C18 mW
143143. ES EL RETARDO DE PROPAGACION PARA LA FAMILIA DTL.
- A30 ns
- B25 ns
- C15 ns
144144. CORRESPONDE AL VALOR APROXIMADO DE MARGEN DE RUIDO PARA LA LOGICA DTL.
- A1 V
- B0.4 V
- C0.6 V
- D5 V
145145. EXISTEN 8 SUBFAMILIAS DE ESTA LOGICA, TIENEN UNA DESIGNACION NUMERICA QUE COMIENZA CON 74 QUE IDENTIFICA EL TIPO DE SERIE.
- ATTL
- BDTL
- CRTL
- DBJT
146146. ES UN PARAMETRO IMPORTANTE PARA COMPARAR LAS DIVERSAS SERIES TTL.
- ARAPIDEZ-POTENCIA
- BRAPIDEZ-RETARDO EN LA PROPAGACION
- CRAPIDEZ-MARGEN DE RUIDO
- DRAPIDEZ-DISIPACION DE POTENCIA
147147. EN LA FAMILIA TTL, ES LA MEDIDA QUE SE UTILIZA PARA EL PRODUCTO DE RETARDO DE PROPAGACION Y DISIPACION DE POTENCIA.
- APICOJOULES (PJ)
- BMILIWHATS (mW)
- CNANOSEGUNDOS (ns)
148148. EN LA LOGICA TTL, UN VALOR ___________EN PICOJOULES INDICA QUE ES POSIBLE LOGRAR UN RETARDO EN LA PROPAGACION DADO, SIN UNA DISIPACION DE POTENCIA EXCESIVA Y VICEVERSA.
- ABAJO
- BMEDIO
- CIGUAL
149149. FUE LA PRIMERA VERSION DE LA FAMILIA TTL.
- ATTL ESTANDAR
- BRTL
- CDTL
150150. EN LA FAMILIA TTL ESTANDAR, DEPENDE DEL TIEMPO DE ALMACENAMIENTO Y LA CONSTANTE DE TIEMPO RC, EN UN CIRCUITO TRANSISTOR QUE ENTRA EN SATURACION.
- AMARGEN DE RUIDO
- BDISIPACION DE POTENCIA
- CRETARDO DE PROPAGACION
151151. EN ESTA FAMILIA TTL, SI SE REDUCEN LOS VALORES DE LOS RESISTORES, SE REDUCEN LAS CONSTANTES DE TIEMPO RC Y DISMINUYE EL RETARDO DE PROPAGACION.
- ATTL ESTANDAR
- BTTL BAJA POTENCIA
- CTTL ALTA VELOCIDAD
- DTTL SCHOTTKY
152152. EN ESTA FAMILIA TTL, RESISTENCIAS MAS BAJAS, EXTRAEN MAS CORRIENTE DE LA FUENTE DE PODER, POR LO QUE GENERA MAYOR DISIPACION DE POTENCIA.
- ATTL ESTANDAR
- BTTL BAJA POTENCIA
- CTTL ALTA VELOCIDAD
- DTTL SCHOTTKY
153153. EN ESTA FAMILIAR TTL, LA RAPIDEZ DE LA COMPUERTA ES INVERSAMENTE PROPORCIONAL AL RETARDO DE PROPAGACION
- ATTL ESTANDAR
- BTTL BAJA POTENCIA
- CTTL ALTA VELOCIDAD
- DTTL SCHOTTKY
154154. LA FAMILIA TTL ESTANDAR LLEVA LA SERIE:
- A74
- B74L
- C74H
- D74S
155155. EN ESTA FAMILIA TTL, LOS VALORES DE LOS RESISTORES SON MAS ALTOS QUE EN LA COMPUERTA ESTANDAR, A FIN DE REDUCIR LA DISIPACION DE POTENCIA, PERO EL RETARDO DE PROPAGACION ES MAYOR.
- ATTL BAJA POTENCIA
- BTTL ALTA VELOCIDAD
- CTTL ESTANDAR
- DTTL SCHOTTKY
156156. ES LA SERIE QUE LE CORRESPONDE A LA FAMILIA TTL BAJA POTENCIA
- A74 L
- B74 H
- C74 S
- D74 LS
157157. EN ESTA FAMILIA TTL, SE REDUCEN LOS VALORES DE LOS RESISTORES PARA ACORTAR EL RETARDO DE PROPAGACION, PERO AUMENTA LA DISIPACION DE POTENCIA.
- ATTL ALTA VELOCIDAD
- BTTL ESTANDAR
- CTTL BAJA POTENCIA
- DTTL SCHOTTKY
158159. CORRESPONDE LA SERIE DE LA FAMILIA TTL DE ALTA VELOCIDAD:
- A74 H
- B74 L
- C74 S
- D74
159159. ESTA FAMILIAR DE TTL FUE LA SIGUIENTE MEJORA, ELIMINA EL RETARDO DE TIEMPO DE ALMACENAMIENTO IMPIDIENDO AL TRANSISTOR ENTRAR EN SATURACION.
- ATTL SCHOTTY
- BTTL ESTANDAR
- CTTL BAJA POTENCIA
- DTTL ALTA VELOCIDAD
160160. ESTA FAMILIA TTL, AUMENTA LA RAPIDEZ DE OPERACION SIN UN AUMENTO EXCESIVO DE LA DISIPACION DE POTENCIA.
- ATTL SCHOTTKY
- BTTL BAJA POTENCIA
- CTTL ALTA VELOCIDAD
- DTTL ESTANDAR
161161. CORRESPONDE LA SERIE DE LA TTL SCHOTTKY.
- A74 S
- B74 H
- C74 L
- D74
162162. ESTA FAMILIA TTL SACRIFICA ALGO DE RAPIDEZ A CAMBIO DE UNA MENOR DISIPACION DE POTENCIA , TIENE EL MISMO RETARDO DE PROPAGACION QUE LA TTL ESTANDAR PERO SU DISIPACION DE POTENCIA ES APENAS LA QUINTA PARTE.
- ATTL SCHOTTKY BAJA POTENCIA
- BTTL SCHOTTY AVANZADA
- CTTL SCHOTTKY
- DTTL SCHOTTKY AVANZADA DE BAJA POTENCIA
163163. ES LA SERIE QUE CORRESPONDE A LA TTL SCHOTTKY BAJA POTENCIA:
- A74 LS
- B74 AS
- C74 ALS
- D74 S
164164. ESTA SERIE TTL SCHOTTKY TIENE MENOR RETARDO EN LA PROPAGACION QUE LA SERIE SCHOTTKY Y SU DISIPACION DE POTENCIA TAMBIEN ES MENOR.
- ATTL SCHOTTKY AVANZADA
- BTTL SCHOTTKY AVANZADA DE BAJA POTENCIA
- CTTL SCHOTTKY BAJA POTENCIA
- DTTL SCHOTTKY
165165. ES LA SERIE QUE LE CORRESPONDE A LA FAMILIA TTL SCHOTTKY AVANZADA:
- A74 AS
- B74
- C74 ALS
- D74 S
166166. DE LA FAMILIA SCHOTTKY ES LA QUE MAS BAJO PRODUCTO RAPIDEZ-POTENCIA TIENE Y ES LA SERIE MAS EFICIENTE.
- ATTL SCHOTTKY AVANZADA DE BAJA POTENCIA
- BTTL SCHOTTKY AVANZADA
- CTTL SCHOTTKY BAJA POTENCIA
- DTTL SCHOTTKY
167167. ES LA SERIE QUE LE CORRESPONDE A LA FAMILIA SCHOTTKY AVANZADA DE BAJA POTENCIA:
- A74 ALS
- B74 S
- C74 H
- D74 LS
168168. DENTRO DE LA FAMILIA TTL, ES LA MEJOR OPCION PARA DISEÑOS DE ALTA VELOCIDAD.
- ATTL RAPIDA
- BTTL ESTANDAR
- CTTL BAJA POTENCIA
- DTTL SCHOTTKY
169169. LA DIFERENCIA DE LAS SERIES TTL NO RADICA EN LA LOGICA DIGITAL QUE EJECUTAN SINO EN LA CONSTRUCCION INTERNA DE LA:
- ACOMPUERTA NAND BASICA
- BCOMPUERTA NOR BASICA
- CCOMPUERTA AND
- DCOMPUERTA OR
170170. SON LOS 3 TIPOS DE CONFIGURACION DE SALIDA DE LAS SERIES TTL:
- ACOLECTOR ABIERTO, TOTEM POLE Y TRES ESTADOS
- BCOLECTOR ABIERTO, TOTEM POLE Y DOS ESTADOS
- CCORTE, SATURACION Y CIRCUITO ABIERTO
171171. EN ESTA CONFIGURACION DEL TTL, ES PRECISO INSERTAR EXTERNAMENTE AL PAQUETE DE CI UN RESISTOR CONECTADO A VCC PARA QUE LA SALIDA "SUBA" (PULL UP) AL NIVEL ALTO DE VOLTAJE.
- ACOLECTOR ABIERTO
- BTRES ESTADOS
- CTOTEM POLE
172172. EN ESTA CONFIGURACION DE SALIDA DE TTL, CUANDO NO SE INSERTA UN RESITOR EXTERNO EN EL PAQUETE DE CI LA SALIDA ACTUA COMO UN CIRCUITO ABIERTO.
- ACOLECTOR ABIERTO
- BTOTEM POLE
- CTRES ESTADOS
- DCIRCUITO EN CORTE
173173. ESTA CONFIGURACION DE SALIDA TTL MANEJA VOLTAJE BAJO DE 0.2 V Y NIVEL ALTO DE 2.4 A5 V.
- ACOLECTOR ABIERTO
- BTOTEM POLE
- CTRES ESTADOS
174174. ES EL CIRCUITO BASICO DE LA CONFIGURACION TTL DE COLECTOR ABIERTO.
- ANAND
- BNOR
- CAND
- DOR
175175. EN LA CONFGURACION TTL DE COLECTOR ABIERTO, EL NIVEL DE SALIDA SERA ________SI SE CONETA UN RESITOR EXTERNO ENTRE LA SALIDA Y Vcc, O CIRCUITO _____SI NO SE USA UN RESISTOR
- AALTO, ABIERTO
- BBAJO, ABIERTO
- CALTO, CERRADO
- DBAJO, CERRADO
176176. ES EL NIVEL BAJO DE LA SALIDA DE COLECTOR ABIERTO:
- A0.2 V
- B0.4 V
- C0.7 V
177177. ES EL NIVEL ALTO DE LA SALIDA DE COLECTOR ABIERTO:
- A2.4V A 5V
- B0.7V A 2 V
- C5V A 7V
178178. ES EL CIRCUITO BASICO DE LA CONFIGURACION DE SALIDA DE COLECTOR ABIERTO:
- ANAND
- BNOR
- COR
- DAND
179179. EN ESTA CONFIGURACION, EL NIVEL DE SALIDA SERA ALTO SI SE CONECTA UN RESISTOR EXTERNO ENTRE LA SALIDA Y Vcc ( O CTO. ABIERTO SI NO SE USA UN RESISTOR).
- ACOLECTOR ABIERTO
- BTOTEM POLE
- CTRES ESTADOS
180180. UN CIRCUITO ABIERTO EN LA ENTRADA DE UNA COMPUERTA TTL, SE COMPORTA COMO SI TUVIERA UNA ENTRADA DE:
- AALTO NIVEL
- BBAJO NIVEL
181181. ESTA CONFIGURCION DE SALIDA DE TTL, SE USA PRINCIPALMENTE PARA CONTROL DE LAMPARA O RELEVADOR, EJECUCION DE LOGICA ALAMBRADA Y CONSTRUCCION DE UN SISTEMA DE BUS COMUN.
- ACOLECTOR ABIERTO
- BTOTEM POLE
- CTRES ESTADOS
182182. SE EJECUTA CUANDO SE CONECTAN LAS SALIDAS DE VARIAS COMPUERTAS TTL DE COLECTOR ABIERTO CON UN SOLO RESISTOR EXTERNO
- AAND ALAMBRADA
- BLOGICA ALAMBRADA
- COR ALAMBRADA
183183. SI SE CONECTAN ENTRE SI LAS SALIDAS DE COMPUERTAS DE COLECTOR ABIERTO, LA SALIDA COMUN SOLO SERA ALTA CUANDO TODOS LOS TRANSISTORES DE SALIDA ESTEN:
- AAPAGADOS
- BENCENDIDOS
- CEN CORTE
- DEN SATURACION
184184. NO ES UNA COMPUERTA FISICA, SOLO ES UN SIMBOLO QUE DESIGNA LA FUNCION QUE SE OBTIENE DE LA CONEXION INDICADA:
- AAND ALAMBRADA
- BBUS COMUN
- CSALIDA ALAMBRADA
- DNAND ALAMBRADA
185185. PARA FORMAR UN _________ES FACTIBLE CONECTAR LAS COMPUERTAS DE COLETOR ABIERTO. SE REQUIERE DE CIRCUITOS DE CONTROL PARA SELECCIONAR LA COMPUERTA ESPECIFICA QUE SE CONTROLA EN UN MOMENTO DADO.
- ABUS COMUN
- BAND ALAMBRADA
- CNAND ALAMBRADA
186186. EN EL CASO DE APLICAR LA SALIDA DE COLECTOR PARA EL CONTROL DE UNA LAMPARA, ESTA SE ENCIENDE CUANDO LA SALIDA ES _______________.
- ABAJA
- BALTA
- CABIERTA
187187. LA IMPEDANCIA DE SALIDA DE UNA COMPUERTA NORMALMENTE ES UNA CARGA __________Y UNA CARGA ________.
- ARESISTIVA, CAPACITIVA
- BRESISTIVA, INDUCTIVA
- CRESISTIVA, PARASITA
188188. ESTA CONFIGURACION ES CUANDO EL CIRCUITO DE ACTUACION (PULL-UP) ACTIVO, SUSTITUYE AL RESISTOR DE ACTUACION PASIVO RL.
- ASALIDA TOTEM POLE
- BCOLECTOR ABIERTO
- CTRES ESTADOS
- DDIODO SCHOTTKY
189189. ESTA SALIDA CON TTL ES IGUAL A LA DE COLECTOR ABIERTO, EXCEPTO POR EL TRANSISTOR DE SALIDA Y EL DIODO.
- ATOTEM POLE
- BTRES ESTADOS
- CAND ALAMBRADA
- DDIODO SCHOTTKY
190190. LA LOGICA ALAMBRADA NO SE PERMITE CON CIRCUITOS _____________. YA QUE SI UNA SALIDA ES ALTA Y LA OTRA ES BAJA, LA CANTIDAD EXCESIVA DE CORRIENTE CONSUMIDA, PUEDE GENERAR CALOR SUFICIENTE Y DAÑAR LOS TRANSISTORES DEL CIRCUITO.
- ATOTEM POLE
- BTRES ESTADOS
- CCOLECTOR ABIERTO
- DDIODO SCHOTTKY
191200. LA REDUCCION DEL TIEMPO DE ALMACENAMIENTO REDUCE EL:
- ARETARDO DE PROPAGACION
- BMARGEN DE RUIDO
- CDISIPACION DE POTENCIA
- DABANICO DE SALIDA
192192. EL TIEMPO NECESARIO PARA QUE UN TRANSISTOR SALGA DE _____________RETARDA EL CAMBIO DEL TRANSISTOR DE LA CONDICION DE ENCENDIDO A APAGADO.
- ALA SATURACION
- BEL CORTE
- CEL ESTADO ABIERTO
193193. EN LA LOGICA TTL, ES POSIBLE ELIMINAR LA SATURACION, COLOCANDO UN:
- ADIODO SCHOTTKY
- BDIODO ZENER
- CRESISTOR
- DCAPACITOR
194194. SE FORMA CON LA UNION DE UN METAL Y UN SEMICONDUCTOR EN CONTRASTE CON LOS CONVENCIONALES (SEMICONDUCTOR P Y SEMICONDUCTOR N).
- ADIODO SCHOTTKY
- BTOTEM POLE
- CCOLECTOR ABIERTO
- DTRES ESTADOS
195195. ES EL VOLTAJE DEL DIODO SCHOTTKY.
- A0.4 V
- B0.2 V
- C0.7 V
196196. LA PRESENCIA DE UN DIODO SCHOTTKY ENTRE LA BASE Y EL COLECTOR IMPIDE AL TRANSISTOR ENTRAR EN ________.
- ASATURACION
- BCORTE
- CESTADO ACTIVO
197197. CUANDO A UN TRANSISTOR SE LE AÑADE UN DIODO SCHOTTKY RESULTA:
- ATRANSISTOR SCHOTTKY
- BCOMPUERTA SCHOTTKY
- CCIRCUITO SCHOTTKY
198198. EN LA FAMILIA TTL, EL USO DEL _____________REDUCE EL RETARDO DE PROPAGACION SIN QUE AUMENTE LA DISIPACION DE POTENCIA.
- ATRANSISTOR SCHOTTKY
- BDIODO SCHOTTKY
- CRESISTOR
199199. DENTRO DE LA FAMILIA TTL, ADEMAS DE TRANSISTORES SCHOTTKY Y RESISTORES DE BAJO VALOR SE USA UN ____________________EL CUAL PROPORCIONA UNA GANANCIA DE CORRIENTE MUY ALTA Y UNA RESISTENCIA EXTREMADAMENTE BAJA.
- APAR DARLINGTON
- BTOTEM POLE
- CDIODO SCHOTTKY
- DRESISTOR DE BAJA POTENCIA
200200. PROPORCIONA UNA GANANCIA DE CORRIENTE MUY ALTA Y UNA RESISTENCIA EXTREMADAMENTE BAJA, RESULTANDO UNA DISMINUCION EN EL RETARDO DE PROPAGACION.
- APAR DARLINGTON
- BTOTEM POLE
- CDIODO SCHOTTKY
- DTRANSISTOR SCHOTTKY
Informationen
- Beschreibung
- MARINEROS CONOCIMIENTOS ESPECIFICOS 2022 Quiz am DISEÑO DIGITAL, erstellt von marco antonio martinez am 17/07/2022.
- Sprache
- Español
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- Verlauf
- Erstellt am 17 Jul 2022 · aktualisiert am 22 Jul 2022
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