SEMICONDUCTORES

Erlin Jensen
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Erlin Jensen
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SEMICONDUCTORES

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  • https://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
1 Intrínsecos
1.1 Cristal de silicio o germanio, El cristal al estar en temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energía necesaria para saltar a la banda de conducción dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia, Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores, Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes eléctricas
2 Extrínsecos
2.1 Un semiconductor intrínseco, se le añade un pequeño porcentaje de impurezas, elementos trivalentes o pentavalentes, se dice que está dopado, las impurezas deberán formar parte de la estructura cristalina que sustituyendo al silicio.
3 Tipo N
3.1 Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese el caso del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla periódica (ej. fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio
3.2 Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).
3.3 aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor
3.4 Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.
3.5 El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material.
4 Tipo P
4.1 Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos. El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un átomo tetravalente (típicamente del grupo 14 de la tabla periódica) se le une un átomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla periódica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrará en condición de aceptar un electrón libre. Así los dopantes crean
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