JFET

JFET

1. El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones Y de material tipo p situadas a ambos lados.

2. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador, fuente y puerta .

3. esquema de un JFET de canal n

4. esquema de un JFET de canal n

5. La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente polarizadas.

   • En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a través de canal.
     • Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para que la unión p-n se encuentre polarizado inversamente.

6. Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los transistores bipolares.

   • Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID drenador , VGS tensión o puerta y VDS tensión drenador .
     • Se definen cuatro regiones básicas de operación: corte, lineal, saturación y ruptura.
   • Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensión a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente.

7. Polarización y curvas características

   • Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar.
   • A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del terminal drenador al terminal fuente
   • Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen las curvas características del transistor JFET.

8. NOTACION

9. ECUACIONES Y MODELOS FUNDAMENTALES

   • TRANSISTOR CANAL N
   • TRANSISTOR CANAL P

10. Modelo del transistor JFET a pequeña señal

    • Se observa que éste funciona como una fuente dependiente de corriente controlada por el voltaje compuerta-fuente.
      • Para que el modelo de pequeña señal tenga validez, debe cumplirse la siguiente condición:
        • Esta condición, en general es utilizada para el diseño y análisis de amplificadores, sobre todo para conocer el rango de valores en amplitud que puede soportar el amplificador en la entrada sin que haya distorsión en la señal de salida.
      • La impedancia de entrada de este dispositivo es lo suficientemente alta como para no incluirla en el modelo, a diferencia de lo que ocurre con el transistor BJT.

11. Modelo en SPICE

    • Permiten determinar el comportamiento del JFET en un rango de frecuencias más amplio, así como amplitudes de señal no necesariamente pequeñas.

12. FORMULAS

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