Memoria Flash

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Memoria flash
Eduardo Sanchez
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    Historia
    La historia de la memoria flash siempre ha estado muy vinculada con el avance del resto de las tecnologías a las que presta sus servicios como routers, módems, BIOS de las PC, wireless, etcétera. En 1984, fue Fujio Masuoka quien inventó este tipo de memoria como evolución de las EEPROM existentes por aquel entoncesEntre los años 1994 y 1998, se desarrollaron los principales tipos de memoria conocidas, como la SmartMedia o la CompactFlash. La tecnología pronto planteó aplicaciones en otros campos. En 1998, la compañía Rio comercializó el primer reproductor de audio digital sin piezas móviles aprovechando el modo de funcionamiento de la memoria flash.
    Caption: : En 1994, SanDisk comenzó a comercializar tarjetas de memoria (CompactFlash)

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    Tipos de Memoria Flash
    Memoria flash de tipo NORCableado y estructura en silicio de la memoria flash NOR.En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG (Floating Gate), modifican (prácticamente anulan) el campo eléctrico que generaría CG (control Gate) en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda está a 1 ó a 0, el campo eléctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente eléctrica fluye o no en función del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 ó un 0, reproduciendo así el dato almacenado. En los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para controlar el número de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente
    Memoria flash de tipo NANDCableado y estructura en silicio de la memoria flash NAND.Las memorias flash basadas en puertas lógicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un túnel de inyección para la escritura y para el borrado un túnel de ‘soltado’. Las memorias basadas en NAND tienen, además de la evidente base en otro tipo de puertas, un costo bastante inferior, unas diez veces de más resistencia a las operaciones pero sólo permiten acceso secuencial (más orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansión de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es más sencillo (aunque también se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base más rentable para la creación de dispositivos de tipo tarjeta de memoria.

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    Funcionamiento
    Tradicionalmente sólo almacenan un bit de información, pero las más actuales memorias flash, pueden almacenar más de un bit por celda variando el número de electrones que almacenan.Los dos transistores están separados por una fina capa de óxido.Uno de los transistores recibe el nombre de floating gate. El floating gate esta conectado a la fila (wordline) a través del otro transitor, control gate. Cuando esta conexión se establece, el valor de la celda cambia a 0 Uno de ellos es el floating gate, y el otro es el control gate. El floating gate solo está conectado a la fila, o al wordline, a través del control gate. Cuando esta conexión se establece el valor de la celda cambia a 0, pues el valor por defecto es 1 cuando ambos transistores no esta unidos. 
    Caption: : las más actuales memorias flash, pueden almacenar más de un bit por celda
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