ELECTRÓNICA 1

1. 1EL COBRE ES UN BUEN CONDUCTOR Y LA CANTIDAD DE PROTONES QUE CONTIENE EN SU NÚCLEO ES:

   1. A29
   2. B25
   3. C27
2. 2ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE SE DISPONEN ALREDEDOR DEL NÚCLEO DEL COBRE:

   1. A29
   2. B25
   3. C27
3. 3ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE DEBE DE TENER EN SU PRIMERA CAPA U ORBITAL EL ÁTOMO DE COBRE:

   1. A2
   2. B18
   3. C8
4. 4ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE TIENE EN SU ORBITAL EXTERIOR EL ÁTOMO DE COBRE:

   1. A1
   2. B8
   3. C18
5. 5ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE TIENE EN SU TERCER ORBITAL EL ÁTOMO DE COBRE:

   1. A18
   2. B1
   3. C2
6. 6ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE TIENE EN SU SEGUNDO ORBITAL EL ÁTOMO DE COBRE:

   1. A8
   2. B2
   3. C1
7. 7ES EL OTRO NOMBRE CON QUE SE LE CONOCE AL ORBITAL EXTERIOR DE UN ÁTOMO:

   1. AORBITAL DE VALENCIA
   2. BÚLTIMO ORBITAL
   3. CORBITAL DEL NÚCLEO
8. 8ES OTRO NOMBRE CON QUE SE LE CONOCE AL ELECTRÓN DE VALENCIA:

   1. AELECTRÓN LIBRE
   2. BELECTRÓN SATURADO
   3. CELECTRÓN INTERNO
9. 9LOS MEJORES CONDUCTORES, SON:

   1. ALA PLATA, EL COBRE Y EL ORO
   2. BPLATA, COBRE Y SILICIO
   3. CCOBRE, ORO Y GERMANIO
10. 10ES UN ELEMENTO CON PROPIEDADES ELÉCTRICAS ENTRE LAS DE UN CONDUCTOR Y LAS DE UN AISLANTE, HABLAMOS DE UN:

    1. ASEMICONDUCTOR
    2. BINDUCTOR
    3. CCOBRE

11. 11ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES DE VALENCIA QUE TIENEN LOS MEJORES SEMICONDUCTORES:

    1. A4
    2. B1
    3. C2
12. 12ES UN MATERIAL SEMICONDUCTOR CUYO INCONVENIENTE ES SU EXCESIVA CORRIENTE INVERSA:

    1. AGERMANIO
    2. BORO
    3. CPLATA
13. 13DESPUÉS DEL OXÍGENO, ES EL ELEMENTO MÁS ABUNDANTE DE LA TIERRA:

    1. ASILICIO
    2. BFOSFORO
    3. CPOTASIO
14. 14EN UN ÁTOMO DE SILICIO AISLADO, ES LA CANTIDAD DE PROTONES Y ELECTRONES QUE CONTIENE:

    1. A14 PROTONES Y 14 ELECTRONES
    2. B10 PROTONES Y 5 ELECTRONES
    3. C14 PROTONES Y 8 ELECTRONES
15. 15EN UN ÁTOMO DE SILICIO, ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE CONTIENE EN SU ÓRBITA DE VALENCIA:

    1. A4
    2. B8
    3. C5
16. 16CUÁNDO LOS ÁTOMOS DE SILICIO SE COMBINAN PARA FORMAR UN SÓLIDO, LO HACEN EN UNA ESTRUCTURA ORDENADA LLAMADA:

    1. ACRISTAL
    2. BENLACE COVALENTE NO POLAR
    3. CENLACE COVALENTE POLAR
17. 17CADA UNO DE LOS ELECTRONES DE SILICIO COMPARTIDOS ESTÁ SIENDO ATRAÍDO EN DIRECCIONES OPUESTAS, EL ELECTRÓN CONSTITUYE UN ENLACE ENTRE LOS NÚCLEOS OPUESTOS, A ESTE TIPO DE ENLACE QUÍMICO SE LE DA EL NOMBRE DE:

    1. ACOVALENTE
    2. BPN
    3. CSEMICONDUCTOR
18. 18ES COMO SE LE DENOMINA AL VACÍO QUE DEJA LA SALIDA DE UN ELECTRÓN EN EL ORBITAL DE VALENCIA Y QUE SE COMPORTA COMO UNA CARGA POSITIVA:

    1. AHUECO
    2. BTIEMPO DE VIDA
    3. CRECOMBINACIÓN
19. 19EN EL ORBITAL DE VALENCIA LA PÉRDIDA DE UN ELECTRÓN PRODUCE:

    1. AION POSITIVO
    2. BION NEGATIVO
    3. CCARGA POSITIVA
20. 20UN ELECTRÓN LIBRE SE APROXIMARÁ A UN HUECO, SERÁ ATRAÍDO Y CAERÁ HACIA ÉL, ESTA UNIÓN DE UN ELECTRÓN LIBRE Y DE UN HUECO SE LLAMA:

    1. ARECOMBINACIÓN
    2. BENLACE COVALENTE
    3. CHUECO
21. 21EL TIEMPO QUE TRANSCURRE ENTRE LA CREACIÓN Y LA DESAPARICIÓN DE UN ELECTRÓN LIBRE, RECIBE EL NOMBRE DE:

    1. ATIEMPO DE VIDA
    2. BTIEMPO DE SATURACIÓN
    3. CTIEMPO DE RECOMBINACIÓN
22. 22ES EL OTRO NOMBRE CON QUE SE LE CONOCE A UN SEMICONDUCTOR PURO:

    1. ASEMICONDUCTOR INTRÍNSECO
    2. BSEMICONDUCTOR TIPO P
    3. CSEMICONDUCTOR TIPO N
23. 23UN CRISTAL DE SILICIO A TEMPERATURA AMBIENTE, SE COMPORTA COMO UN:

    1. AAISLANTE
    2. BPORTADOR
    3. CCONDUCTOR
24. 24NOMBRE QUE RECIBEN LOS ELECTRONES LIBRES Y LOS HUECOS, DEBIDO A QUE TRANSPORTAN LA CARGA ELÉCTRICA DE UN LUGAR A OTRO:

    1. APORTADORES
    2. BELECTRONES LIBRES
    3. CELECTRONES SATURADOS
25. 25CUÁNDO SE AÑADEN ÁTOMOS DE IMPUREZAS A UN CRISTAL INTRÍNSECO PARA MODIFICAR SU CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA, SE LLAMA:

    1. ADOPAJE
    2. BRECOMBINACIÓN
    3. CFLUJO DE HUECOS
26. 26ES COMO SE LE LLAMA A UN SEMICONDUCTOR DOPADO:

    1. ASEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO
    2. BSEMICONDUCTOR TIPO P
    3. CSEMICONDUCTOR TIPO N
27. 27ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES EN LA ÓRBITA DE VALENCIA QUE TIENEN LOS ÁTOMOS PENTAVALENTES:

    1. A5
    2. B6
    3. C8
28. 28ES COMO SE LES CONOCE A LOS ÁTOMOS PENTAVALENTES QUE DONARÁN UN ELECTRÓN EXTRA AL CRISTAL DE SILICIO:

    1. AIMPUREZAS DONADORAS
    2. BPORTADORES
    3. CSEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO
29. 29UN SEMICONDUCTOR LIGERAMENTE DOPADO TIENE UNA RESISTENCIA:

    1. AALTA
    2. BPEQUEÑA
    3. CEXTRA-ALTA
30. 30ES UN ELEMENTO PENTAVALENTE, QUE EN SU ÓRBITA DE VALENCIA TIENE CINCO ELECTRONES:

    1. AFÓSFORO
    2. BBORO
    3. CALUMINIO
31. 31UN SEMICONDUCTOR DOPADO FUERTEMENTE, TIENE UNA RESISTENCIA:

    1. APEQUEÑA
    2. BMEDIA
    3. CEXTRA-ALTA
32. 32TIPO DE IMPUREZAS CON LAS QUE SE DEBE DOPAR UN CRISTAL DE SILICIO PARA OBTENER UN EXCESO DE HUECOS:

    1. AIMPUREZAS TRIVALENTES
    2. BIMPUREZAS OCTAVALENTES
    3. CIMPUREZAS BIVALENTES
33. 33ES UN ELEMENTO TRIVALENTE, QUE EN SU ÓRBITA DE VALENCIA TIENE TRES ELECTRONES:

    1. ABORO
    2. BANTIMONIO
    3. CARSÉNICO
34. 34ES EL MATERIAL SEMICONDUCTOR QUE SE HA ERIGIDO COMO EL MÁS POPULAR Y ÚTIL:

    1. ASILICIO
    2. BANTIMONIO
    3. CFÓSFORO
35. 35AL SILICIO QUE HA SIDO DOPADO CON UNA IMPUREZA PENTAVALENTE SE LLAMA:

    1. ASEMICONDUCTOR TIPO N
    2. BSEMICONDUCTOR TIPO PN
    3. CSEMICONDUCTOR TIPO NP
36. 36AL SILICIO QUE HA SIDO DOPADO CON UNA IMPUREZA TRIVALENTE SE LLAMA:

    1. ASEMICONDUCTOR TIPO P
    2. BSEMICONDUCTOR TIPO PN
    3. CSEMICONDUCTOR TIPO NP
37. 37LA SEPARACIÓN O FRONTERA FÍSICA ENTRE UN SEMICONDUCTOR TIPO N Y UNO TIPO P SE LLAMA:

    1. AUNIÓN PN
    2. BUNIÓN PNP
    3. CUNIÓN P
38. 38ES LA UNIÓN QUE TIENE PROPIEDADES TAN ÚTILES QUE HA PROPICIADO TODA CLASE DE INVENTOS, ENTRE LOS QUE SE ENCUENTRAN LOS DIODOS, LOS TRANSISTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS:

    1. AUNIÓN PN
    2. BUNIÓN N
    3. CUNIÓN P
39. 39LA PALABRA DIODO ES UNA CONTRACCIÓN DE LA EXPRESIÓN QUE SIGNIFICA:

    1. ADOS ELECTRODOS
    2. BDOS ELECTROLÍTICOS
    3. CDOS PENTODOS
40. 40CADA PAREJA DE IONES POSITIVOS Y NEGATIVOS EN LA UNIÓN PN SE LLAMA:

    1. ADIPOLO
    2. BZONA DE DEPLEXIÓN
    3. CUNIÓN
41. 41A MEDIDA QUE AUMENTA EL NÚMERO DE DIPOLOS, LA REGIÓN CERCANA A LA UNIÓN, SE VACÍA DE PORTADORES, A ESTA ZONA SIN PORTADORES SE LE CONOCE COMO:

    1. AZONA DE DEPLEXIÓN
    2. BZONA DE POLARIZACIÓN
    3. CBARRERA DE POTENCIAL
42. 42EL CAMPO ELÉCTRICO ENTRE LOS IONES ES EQUIVALENTE A UNA DIFERENCIA DE POTENCIAL LLAMADA:

    1. ABARRERA DE POTENCIAL
    2. BZONA DE DEPLEXIÓN
    3. CZONA DE CORRIENTE DE FUGA
43. 43A 25°C LA BARRERA DE POTENCIAL DEL GERMANIO ES APROXIMADAMENTE DE:

    1. A0.3 V
    2. B0.5 V
    3. C0.7 V
44. 44A 25°C LA BARRERA DE POTENCIAL DEL SILICIO ES APROXIMADAMENTE DE:

    1. A0.7 V
    2. B0.4 V
    3. C0.5 V
45. 45UNA FUENTE DE CORRIENTE CONTINUA CONECTADA A UN DIODO, EL TERMINAL NEGATIVO DE LA FUENTE ESTÁ CONECTADA AL MATERIAL TIPO N, Y EL TERMINAL POSITIVO AL MATERIAL TIPO P, ESTA CONEXIÓN SE LLAMA:

    1. APOLARIZACIÓN DIRECTA
    2. BPOLARIZACIÓN INVERSA
    3. CPOLARIZACIÓN NEGATIVA
46. 46SI SE INVIERTE LA POLARIDAD DE LA FUENTE DE CORRIENTE CONTINUA, EN ESTE CASO EL TERMINAL NEGATIVO SE ENCUENTRA CONECTADO AL LADO P Y EL TERMINAL POSITIVO AL LADO N, A ESTA CONEXIÓN, SE LE DENOMINA:

    1. APOLARIZACIÓN INVERSA
    2. BPOLARIZACIÓN DIRECTA
    3. CPOLARIZACIÓN POSITIVA
47. 47LA CORRIENTE INVERSA ORIGINADA POR LOS PORTADORES MINORITARIOS PRODUCIDOS TÉRMICAMENTE:

    1. ACORRIENTE INVERSA DE SATURACIÓN
    2. BCORRIENTE DE PORTADORES MINORITARIOS
    3. CPOLARIZACIÓN DIRECTA
48. 48ES UNA PEQUEÑA CORRIENTE QUE CIRCULA SOBRE LA SUPERFICIE DEL CRISTAL, LA CUAL ES CAUSADA POR IMPUREZAS E IMPERFECCIONES EN SU ESTRUCTURA INTERNA:

    1. ACORRIENTE SUPERFICIAL DE FUGA
    2. BCORRIENTE DE PORTADORES MINORITARIOS
    3. CPOLARIZACIÓN DIRECTA
49. 49ES NORMALMENTE LA TENSIÓN DE RUPTURA DE UN DIODO:

    1. AMAYOR DE 50V
    2. B0.7 V
    3. C30 V
50. 50TIPO DE POLARIZACIÓN QUE PROPORCIONA MÁS ENERGÍA A LOS ELECTRONES LIBRES, EQUIVALENTE A UN NIVEL DE ENERGÍA MAYOR:

    1. APOLARIZACIÓN DIRECTA
    2. BPOLARIZACIÓN INVERSA
    3. CPOLARIZACIÓN POSITIVA
51. 51ES LA TEMPERATURA DENTRO DEL DIODO, EXACTAMENTE EN LA UNIÓN PN:

    1. ATEMPERATURA DE LA UNIÓN
    2. BTEMPERATURA ALTA
    3. CTEMPERATURA AMBIENTE
52. 52LA BARRERA DE POTENCIAL DE UN DIODO DE SILICIO DECRECE ___________ POR CADA INCREMENTO DE UN GRADO CELSIUS.

    1. A2 mV
    2. B5 mV
    3. C4 mV
53. 53EN UN ÁTOMO DE SILICIO, ES LA DISTANCIA ENTRE LA BANDA DE VALENCIA Y LA BANDA DE CONDUCCIÓN:

    1. AGAP DE ENERGÍA
    2. BPERIODO DE ENERGÍA
    3. CBANDA DE SEPARACIÓN
54. 54UNA RESISTENCIA ORDINARIA ES UN DISPOSITIVO _________________ POR QUE LA GRÁFICA DE SU CORRIENTE EN FUNCIÓN DE SU TENSIÓN ES UNA LÍNEA RECTA.

    1. ALINEAL
    2. BNO LINEAL
    3. CPASIVO
55. 55UN DIODO, ES UN DISPOSITIVO:

    1. ANO LINEAL
    2. BUNILATERAL
    3. CLINEAL
56. 56EN EL SÍMBOLO ELÉCTRICO DE UN DIODO, ES COMO SE LE LLAMA AL LADO "P":

    1. AÁNODO
    2. BCOMPUERTA
    3. CCOLECTOR
57. 57EN EL SÍMBOLO ELÉCTRICO DE UN DIODO, ES COMO SE LE LLAMA AL LADO "N":

    1. ACÁTODO
    2. BCOLECTOR
    3. CCOMPUERTA
58. 58EN LA ZONA DIRECTA, ES LA TENSIÓN A PARTIR DE LA CUAL LA CORRIENTE EMPIEZA A INCREMENTARSE RÁPIDAMENTE:

    1. ATENSIÓN UMBRAL
    2. BTENSIÓN DE POLARIZACIÓN
    3. CTENSIÓN DE TRABAJO
59. 59LA TENSIÓN UMBRAL DE UN DIODO ES IGUAL A:

    1. ABARRERA DE POTENCIAL
    2. BTENSIÓN DE RUPTURA
    3. CTENSIÓN APLICADA
60. 60DESPUÉS DE SUPERADA LA BARRERA DE POTENCIAL, LO ÚNICO QUE SE OPONE A LA CORRIENTE, ES LA SUMA DE LAS RESISTENCIAS ÓHMICAS DE LAS ZONAS P Y N, DENOMINADA:

    1. ARESISTENCIA INTERNA
    2. BRESISTENCIA N
    3. CRESISTENCIA P
61. 61NORMALMENTE LA RESISTENCIA INTERNA DE LOS DIODOS, ES:

    1. A< 1 Ω
    2. B1.2 Ω
    3. C2 Ω
62. 62INDICA CUÁNTA POTENCIA PUEDE DISIPAR EL DIODO SIN PELIGRO DE ACORTAR SU VIDA NI DEGRADAR SUS PROPIEDADES:

    1. ALIMITACIÓN DE POTENCIA
    2. BPOTENCIA MÁXIMA
    3. CPOTENCIA MÍNIMA
63. 63ES CÓMO SE COMPORTA UN DIODO CUANDO TIENE POLARIZACIÓN DIRECTA:

    1. ACONDUCTOR PERFECTO
    2. BCOMO UNA RESISTENCIA
    3. CSEMICONDUCTOR
64. 64ES CÓMO SE COMPORTA UN DIODO CUANDO TIENE POLARIZACIÓN INVERSA:

    1. AAISLANTE PERFECTO
    2. BCOMO UNA RESISTENCIA
    3. CCONDUCTOR PERFECTO
65. 65EL DIODO IDEAL, ES GENERALMENTE ADECUADO PARA:

    1. ADETECCIÓN DE AVERÍAS
    2. BHACER CÁLCULOS PRECISOS
    3. CESTABILIZAR LA TENSIÓN DE LA FUENTE
66. 66ES LA APROXIMACIÓN DEL DIODO QUE NECESITAMOS, CUANDO SE REQUIERE UN VALOR MÁS EXACTO PARA LA CORRIENTE Y LA TENSIÓN EN LA CARGA:

    1. ASEGUNDA APROXIMACIÓN
    2. BTERCERA APROXIMACIÓN
    3. CCUARTA APROXIMACIÓN
67. 67ES EL APARATO DE MEDICIÓN QUE SE UTILIZA PARA AVERIGUAR EL ESTADO DE UN DIODO:

    1. AÓHMETRO
    2. BTERRÓMETRO
    3. CAMPERÍMETRO
68. 68ES EL ESTADO DEL DIODO CUANDO SU RESISTENCIA ES EXTREMADAMENTE PEQUEÑA EN AMBAS DIRECCIONES:

    1. ADIODO EN CORTO CIRCUITO
    2. BDIODO CON FUGA
    3. CDIODO SATURADO
69. 69ES EL ESTADO DEL DIODO CUANDO SU RESISTENCIA ES MUY ELEVADA EN AMBAS DIRECCIONES:

    1. ADIODO EN CIRCUITO ABIERTO
    2. BDIODO CON FUGA
    3. CDIODO SATURADO
70. 70ES EL ESTADO DEL DIODO CUANDO SU RESISTENCIA ES ALGO BAJA EN LA DIRECCIÓN INVERSA:

    1. ADIODO CON FUGA
    2. BDIODO EN CORTO CIRCUITO
    3. CDIODO EN CIRCUITO ABIERTO
71. 71ES UNA HERRAMIENTA EMPLEADA PARA HALLAR EL VALOR EXACTO DE LA CORRIENTE Y LA TENSIÓN DEL DIODO:

    1. ARECTA DE CARGA
    2. BRECTA DE CAÍDA DE TENSIÓN
    3. CRECTA DE POLARIZACIÓN DIRECTA
72. 72ES EL PUNTO DE INTERSECCIÓN DE LA RECTA DE CARGA Y LA CURVA DE UN DIODO:

    1. APUNTO Q
    2. BPUNTO K
    3. CPUNTO DE CORTE
73. 73EL PUNTO "Q" , ES UNA ABREVIACIÓN DE QUIESCENT QUE SIGNIFICA:

    1. AEN REPOSO
    2. BEN CORTE
    3. CTRABAJO
74. 74SON LOS DOS ESTILOS BÁSICOS DE MONTAJE DE SUPERFICIE:

    1. ASM Y SOT
    2. BSM Y PM
    3. CSOT Y PN
75. 75TIPO DE ENCAPSULADO QUE TIENE DOS BORNAS DOBLADAS EN "L" Y UNA BANDA COLOREADA EN UN EXTREMO DEL CUERPO PARA INDICAR LA BORNA CORRESPONDIENTE AL CÁTODO:

    1. ASM
    2. BTO3
    3. CSOT-23
76. 76TIPO DE ENCAPSULADO "SM" QUE TIENE DOS BORNAS DOBLADAS EN "L" Y UNA BANDA COLOREADA EN UN EXTREMO DEL CUERPO PARA INDICAR LA BORNA CORRESPONDIENTE AL ____________.

    1. ACÁTODO
    2. BCOLECTOR
    3. CEMISOR
77. 77TIPO DE ENCAPSULADO QUE TIENE TRES TERMINALES EN FORMA DE ALA DE GAVIOTA. SUS TERMINALES SE ENUMERAN EN EL SENTIDO CONTRARIO DE LAS AGUJAS DEL RELOJ DESDE ARRIBA:

    1. ASOT-23
    2. BSM
    3. CTO3
78. 78ES UN ENCAPSULADO DE TRANSISTOR CON TRES TERMINALES USADO HABITUALMENTE PARA DIODOS "SM":

    1. ASOT-23
    2. BSM-14
    3. CTO3
79. 79APROXIMACIÓN DE LOS DIODOS QUE RARA VEZ UTILIZAMOS, POR QUE, NORMALMENTE LA RESISTENCIA INTERNA ES SUFICIENTEMENTE PEQUEÑA Y PUEDE IGNORARSE:

    1. ATERCERA APROXIMACIÓN
    2. BCUARTA APROXIMACIÓN
    3. CPRIMERA APROXIMACIÓN
80. 80SU CIRCUITO EQUIVALENTE, ES UN INTERRUPTOR QUE SE CIERRA CUANDO ESTÁ POLARIZADO EN DIRECTA Y SE ABRE CUANDO ESTÁ EN INVERSA:

    1. APRIMERA APROXIMACIÓN
    2. BCUARTA APROXIMACIÓN
    3. CTERCERA APROXIMACIÓN
81. 81ES UN DIODO DE SILICIO QUE ES DISEÑADO PARA QUE FUNCIONE EN LA ZONA DE RUPTURA:

    1. ADIODO ZENER
    2. BDIODO REGULADOR
    3. CDIODO LED
82. 82ES EL NOMBRE CON QUE TAMBIÉN SE LE CONOCE AL DIODO ZENER:

    1. ADIODO DE AVALANCHA
    2. BDIODO LÁSER
    3. CDIODO LED
83. 83ÉSTE COMPONENTE ELECTRÓNICO, ES LA PARTE ESENCIAL DE LOS REGULADORES DE TENSIÓN:

    1. ADIODO ZENER
    2. BDIODO LÁSER
    3. CDIODO LED
84. 84EN UN DIODO ZENER, ES COMO SE LE CONOCE A LA RESISTENCIA INTERNA DE LA ZONA INVERSA:

    1. ARESISTENCIA ZENER
    2. BREGULADOR ZENER
    3. CCONTROLADOR ZENER
85. 85TIPO DE DIODO, QUE MANTIENE LA TENSIÓN CONSTANTE ENTRE SUS TERMINALES, INCLUSO CUANDO LA CORRIENTE SUFRA CAMBIOS:

    1. ADIODO ZENER
    2. BDIODO LÁSER
    3. CDIODO TÚNEL
86. 86PARA TRABAJAR EN _______________, LA TENSIÓN DE LA FUENTE DEBE SER MAYOR QUE LA TENSIÓN DE RUPTURA, SIEMPRE SE EMPLEA UNA RESISTENCIA EN SERIE PARA LIMITAR LA CORRIENTE A UN VALOR MENOR DE SU LIMITACIÓN MÁXIMA DE CORRIENTE.

    1. AZONA ZENER
    2. BZONA DE CONDUCTIVIDAD
    3. CZONA DE CORTE
87. 87EN LA APROXIMACIÓN IDEAL, TEÓRICAMENTE EL DIODO ZENER AL FUNCIONAR EN LA ZONA DE RUPTURA, SE COMPORTA COMO:

    1. AUNA BATERÍA
    2. BUN REGULADOR
    3. CFUENTE DE ALIMENTACIÓN
88. 88EN UN DIODO ZENER, CUÁNDO LA FUERZA DEL CAMPO ALCANZA APROXIMADAMENTE 300000 V/CM, EL CAMPO ES LO SUFICIENTEMENTE INTENSO PARA EMPUJAR A LOS ELECTRONES FUERA DE SUS ORBITALES DE VALENCIA. LA CREACIÓN DE ELECTRONES LIBRES DE ESTA FORMA SE CONOCE COMO:

    1. AEFECTO ZENER
    2. BCORRIENTE ZENER
    3. CCORRIENTE POR CARGA
89. 89EN UN DIODO ZENER, ES EL CAMBIO EN LA TENSIÓN DE RUPTURA POR CADA GRADO QUE AUMENTA LA TEMPERATURA:

    1. ACOEFICIENTE DE TEMPERATURA
    2. BCORRIENTE POR CARGA
    3. CCORRIENTE ZENER
90. 90EN UN DIODO ZENER, ÉSTA ES IGUAL AL PRODUCTO DE SU TENSIÓN POR SU CORRIENTE:

    1. ADISIPACIÓN DE POTENCIA
    2. BCORRIENTE MÁXIMA
    3. CPOTENCIA ZENER
91. 91ES EL NOMBRE CON QUE TAMBIÉN SE LE CONOCE A LA RESISTENCIA ZENER:

    1. AIMPEDANCIA ZENER
    2. BCORRIENTE MÁXIMA
    3. CTOLERANCIA ZENER
92. 92EN LA HOJA CARACTERÍSTICA DE UN DIODO ZENER, ES EL PARÁMETRO QUE INDICA CUANTO HAY QUE REDUCIR LA LIMITACIÓN DE POTENCIA DE UN DISPOSITIVO:

    1. AFACTOR DE AJUSTE
    2. BIMPEDANCIA ZENER
    3. CTOLERANCIA ZENER
93. 93ES LA TECNOLOGÍA QUE COMBINA LA ÓPTICA CON LA ELECTRÓNICA:

    1. AOPTOELECTRÓNICA
    2. BMECATRÓNICA
    3. CBIOELECTRÓNICA
94. 94SON LOS ELEMENTOS PARA LA FABRICACIÓN DE LOS DIODOS LEDS:

    1. AGALIO Y ARSÉNICO
    2. BHIDRÓGENO Y GALIO
    3. CSILICIO Y CARBONO
95. 95LA LUMINOSIDAD DE UN LED, DEPENDE DE:

    1. ALA CORRIENTE
    2. BSU VOLTAJE
    3. CSU CONSTRUCCIÓN
96. 96ES LA CAÍDA DE TENSIÓN TÍPICA EN LA MAYORÍA DE LOS LEDS DISPONIBLES COMERCIALMENTE, PARA UNA CORRIENTE QUE FLUCTÚA ENTRE 10 Y 50 MA:

    1. A1.5 A 2.5 V
    2. B2 A 4 V
    3. C0.7 A 2.5 V
97. 97ES LA TENSIÓN DE RUPTURA TÍPICA DE UN DIODO LED:

    1. A3 Y 5 V
    2. B6 Y 7 V
    3. C5 Y 7 V
98. 98EN UN INDICADOR DE SIETE SEGMENTOS, ES EL DIGITO QUE SE FORMA AL LLEVAR A MASA LOS SEGMENTOS "A" "B" Y "C":

    1. A7
    2. B1
    3. C3
99. 99DIODO CUYA SENSIBILIDAD A LA LUZ ES MÁXIMA:

    1. AFOTODIODO
    2. BIRED
    3. CZENER
100. 100EN UN FOTODIODO, LA CORRIENTE INVERSA A MEDIDA QUE LA LUZ SE HACE MÁS INTENSA, OCURRE QUE:

     1. AAUMENTA
     2. BDISMINUYE
     3. CSE MANTIENE IGUAL

Descripción

Física Test sobre ELECTRÓNICA 1, creado por adal gardea el 03/03/2017.

Autor

adal gardea

Idioma

Español

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física

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