Especificaciones de diodos.

Especificaciones de diodos.

1. Normalmente, el fabricante proporciona datos sobre dispositivos semiconductores específicos en una de dos formas. Con más frecuencia, dan una descripción muy breve, tal vez limitada a una página. En otras ocasiones proporcionan un examen completo de las características mediante gráficas, material gráfico, tablas, etc. En uno u otro caso, son piezas con datos específicos que se deben incluir para el uso apropiado del dispositivo.

   • Incluyen:
     • 1. El voltaje en directa VF (a una corriente y temperatura especificadas) 2. La corriente máxima en directa IF (a una temperatura especificada) 3. La corriente de saturación en inversa IR (a un voltaje y temperatura especificados) 4. El valor nominal de voltaje inverso [PIV, PRV, o V(BR), donde BR proviene del término “breakdown” (ruptura) (a una temperatura especificada)]

2. Según el tipo de diodo que se esté considerando, es posible que también se den más datos, como intervalo de frecuencia, nivel de ruido, tiempo de conmutación, niveles de resistencia térmica y valores repetitivos pico. Para la aplicación pensada, la importancia de los datos casi siempre es autoaparente. Si también se da el coeficiente de disipación o potencia máxima, se entiende que es igual al siguiente producto:

3. Si aplicamos el modelo simplificado para una aplicación particular (una ocurrencia común), podemos sustituir VD VT 0.7 V para un diodo de silicio en la ecuación (1.8) y determinar la disipación de potencia resultante por comparación contra el coeficiente de potencia máximo. Es decir,

4. En las figuras 1.36 y 1.37 aparecen los datos provistos para un diodo de alto voltaje y fugas escasas. Este ejemplo representaría la lista ampliada de datos y características. El término rectificador se aplica a un diodo cuando se utiliza con frecuencia en un proceso de rectificación

5. NOTACIÓN PARA DIODOS SEMICONDUCTORES

   • La terminología ánodo y cátodo viene de la notación para tubos de vacío. El ánodo se refiere al potencial positivo o más alto, y el cátodo a la terminal negativa o más baja. Esta combinación de niveles de polarización produce una condición de polarización en directa o de “encendido” en el diodo. En la figura 1.39 aparecen varios diodos semiconductores comerciales.

6. PRUEBA DE UN DIODO

   • La condición de un diodo semiconductor se determina rápidamente utilizando 1) un medidor de pantalla digital (DDM, por sus siglas en inglés) con una función de verificación de diodo; 2) la sección óhmetro de un multímetro, o 3) un trazador de curvas.

7. Función de verificación de diodo

   • En la figura 1.40 aparece un medidor de pantalla digital con capacidad para verificar un diodo. Observe el pequeño símbolo de diodo arriba a la derecha de la perilla giratoria. Cuando se pone en esta posición y conecta como se muestra en la figura 1.41a, el diodo deberá estar en el estado “on” (encendido) y la pantalla indica el voltaje de polarización en directa como 0.67 V (para Si).

8. Prueba con un óhmetro

   • En la sección 1.8 vimos que la resistencia de un diodo semiconductor polarizado directamente es bastante baja comparada con el nivel de polarización inversa. Por consiguiente, si medimos la resistencia de un diodo con las conexiones indicadas en la figura 1.42, podemos esperar un nivel relativamente bajo. La lectura del óhmetro será una función de la corriente establecida a través del diodo por la batería interna (a menudo de 1.5 V) del circuito del óhmetro.

9. Trazador de curvas

   • El trazador de curvas de la figura 1.43 puede mostrar en pantalla las características de varios dispositivos, incluido el diodo semiconductor. Conectando apropiadamente el diodo al tablero de prueba en la parte central inferior de la unidad y ajustando los controles, podemos obtener la imagen de la figura 1.44.

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