Transistor de Efecto de Campo (FET)

Transistor de Efecto de Campo (FET)

1. Esta formado por una barra de semiconductor N o P que se llama el canal, tiene un cinturón o estrechamiento del otro tipo de semiconductor.

   • Se clasifica:
     • Transistor de Efecto de Campo, de Unión (JFET)
       • es un circuito que, según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida.
         • Se clasifican:
           • Canal N
           • Canal P
         • Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):
           • ZONA ÓHMICA o LINEAL:
             • En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.
           • ZONA DE SATURACIÓN:
             • En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS
           • ZONA DE CORTE:
             • La intensidad de drenador es nula (ID=0).
     • Transistor de Efecto de Campo, de Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET)
       • cuyo nombre deriva de los tres materiales que aparecen al realizar un corte vertical en su estructura, según puede observarse en la figura.
         • Se clasifica:
           • MOSFET
             • Enriquecimiento de canal N
             • Enriquecimiento de canal P
             • Empobrecimiento de canal N
             • Empobrecimiento de canal P
   • Modelo de transistor FET canal n
   • Modelo de transistor FET canal p
   • Dispositivo Unipolar
   • Controlado por voltaje

2. definición

3. Universidad Tecnica de Cotopaxi

   • Nombre: Edison Tubon
     • Carrera: 3ro Ing. Electrica

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