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capitulo 1: diodos semiconductores

noel cabrales Spanish

capitulo 1: diodos semiconductores

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capitulo 1: diodos semiconductores

  1. 1.2 materiales semiconductores: Ge, Si, GaAs

    • circuito integrado
      • se inicia con un material semiconductor de la mas alta calidad
      • dispositivo electronico discreto
      • estado solido
    • semiconductores
      • conductividad
        • se encuentra en la de un buen conductor y un aislante
      • un solo cristal
        • estructura cristalina repetitiva
          • germanio (Ge)
          • silicio (Si)
      • compuesto
        • diferentes estructuras atomicas
          • arseniuro de galio (GaAs)
          • sulfuro de cadmio (Cds)
          • nitruro de galio (GaN)
          • fosfuro de galio y arsenico (GaAsP)
      • los 3 mas usados son Ge, Si, GaAs
    • diodo(1939) y transistor(1949)
      • germanio
        • disponible en grandes cantidades
        • facil de encontrar
        • facil de refinar
          • obtener niveles altos de pureza
        • eran poco confiables
          • sensibilidad a los cambios de temperatura
      • silicio
        • mejor sensibilidad a la temperatura
        • el proceso de refinacion se encontraba en desarrollo
        • (1954) se presenta el primer transistor
        • se convierte en el materiela favorito
        • muy abundante en la tierra
      • (1970) GaAs transistor
        • operaba a 5 veces la velocidad del Si
        • se utiliza para circuitos integrados
          • a gran escala
          • estado solido
  2. 1.3 enlace covalente y materiales intrinsecos

    • estructura atomica
      • entre lazados los atomos
        • para formar una estructura cristalina
      • se compone
        • electron
          • aparecen en orbitas
        • proton
          • forman el nucleo
        • neutron
          • forman el nucle
      • silicio
        • 14 electrones en orbita
        • 4 en la capa externa
          • electrones de valencia
            • tetravalente
      • germanio
        • 32 electrones en orbita
        • 4 en la capa externa
          • electrones de valencia
            • tetravalente
      • galio
        • 31 electrones en orbita
        • 3 electrones de valencia
          • trivalente
      • arsenico
        • 33 electrones en orbita
        • 5 electrones de valencia
          • pentavalente
      • valencia
        • potencial de ionizacion
    • intrinseco
      • lo mas puro que se pueda fabricar
        • cualquier material semiconductor
      • portadores intrinsecos
        • electrones libres en un material
          • es la movilidad relativa
  3. 1.4 niveles de energia

    • electron
      • cuanto mas alejado del nucleo, mayor es su estado de energia
      • cualquiera que haya abandonado a su atomo padre tiene un estado de energia mayor que cualquiera que pertenezca a la estructura atomica
      • permanecen en la estructura atomica
        • niveles de energia especificos
      • pueden tener diferentes niveles de energia
      • un electron en la banda de valencia absorbe diferentes niveles de energia dependiendo del material
        • esta diferencia revela la sensibilidad de cada tipo de semiconductor a la temperatura
    • atomos
      • se acercan entre si
        • forman una estructura entrelazada cristalina
    • Ge
      • al elevarse la temperatura
        • incrementa con rapidez el numero de electrones que pueden absorber energia termica
          • puede tener efectos positivos y negativos
      • area de aplicacion de dispositivios
        • fotodetectores sensibles a la luz
        • sistemas de seguridad sensibles al calor
    • Si
      • al elevarse la temperatura
        • incrementa con rapidez el numero de electrones que pueden absorber energia termica y es menor que el Ge
          • puede tener efectos positivos y negativos
    • GaAs
      • al elevarse la temperatura
        • incrementa con rapidez el numero de electrones que pueden absorber energia termica y es menor que el Ge
          • puede tener efectos positivos y negativos

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