TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO ( JFET Y MOSFET)

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TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO ( JFET Y MOSFET)
1 e durante su funcionamiento la señal de entrada crea un campo eléctrico que controla el paso de la corrienLos transistores de efecto de campo o fet se denominan así porqute a través del dispositivo.
1.1 J FET
1.1.1 El JFET, transistor de efecto de campo o transistor unipolar, fue inventado en 1948, al mismo tiempo que el transistor normal o bipolar, pero no fue posible su implantación hasta 1970 debido a la alta tecnología necesaria para formar sus uniones.
1.1.1.1 Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:
1.1.1.1.1 JFET de canal n
1.1.1.1.1.1 Este componente está formado por una delgada capa de material semiconductor tipo N denominado canal. A los lados de ésta aparecen dos regiones de material semiconductor tipo P. En cada uno de los extremos del canal se sitúa un terminal. Así, tenemos un terminal de fuente o surtidor y otro de sumidero o drenado d. Las dos regiones P se interconectan entre sí, y hacia el exterior, constituyendo el terminal de puerta o graduador.
1.1.1.1.1.1.1 Curvas características de drenador de un JFET
1.1.1.1.1.1.1.1 En las siguientes figuras, se muestra un ejemplo de la familia de curvas características de surtidor común de un transistor JFET de canal N y el circuito correspondiente con el que se han obtenido dichas curvas
1.1.1.1.1.1.1.1.1
1.1.1.1.1.1.2
1.1.1.1.1.2 VGSQ = - VGG VDS = VDD - IDRS ................VGSQ = - IDRS VDS =VDD - ID(RD + RS) ...............VG = R2 VDD/(R1 + R2) ...........VGS = VG - IDRS ...........VDS =VDD - ID(RD + RS)..........VG = R2 VDD/(R1 + R2) ........VGS = VG - IDRS
1.1.1.1.1.2.1 FORMULAS
1.1.1.1.2 JFET de canal p
1.1.1.1.2.1 Este tipo se obtiene a partir de la estructura de la resistencia MOS, añadiendo una conexión metálica al emisor, que la resistencia no necesitaba para a su construcción. Este contacto conductor constituye el terminal de puerta mientras que los otros dos terminales actúan de fuente y drenador
1.1.1.1.2.1.1
1.1.1.1.2.1.2
1.2 MOSFET
1.2.1 Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Field Effect Transistor) son muy parecidos a los JFET. La diferencia entre estos estriba en que, en los MOS, la puerta está aislada del canal, consiguiéndose de esta forma que la corriente de dicho terminal sea muy pequeña, prácticamente despreciable. Debido a este hecho, la resistencia de entrada de este tipo de transistores es elevadísima, del orden de 10.000 MW , lo que les convierte en componentes ideales para amplificar señales muy débiles.
1.2.1.1 Existen dos tipos de MOSFET en función de su estructura interna:
1.2.1.1.1 MOSFET de empobrecimiento
1.2.1.1.1.1 MOSFET de empobrecimiento, también Denominado MOSFET dedeplexión. Se compone de una pieza de material Tipo n con una zona p a la derecha y una puerta aislada a la izquierda. La Zona p se denomina substrato (o cuerpo). Los electrones que circulan desde. La fuente hacia el drenador deben pasar a través del estrecho canal entre la.Puerta y la zona p
1.2.1.1.1.1.1
1.2.1.1.1.1.2 Curvas características
1.2.1.1.1.1.2.1
1.2.1.1.2 MOSFET de enriquecimiento
1.2.1.1.2.1 Este tipo de MOSFET está diseñado de tal manera que sólo adminte la forma de trabajo en modo de enriquecimiento. La aplicación fundamental de este transistor se realiza en circuitos digitales, microprocesadores, etc.
1.2.1.1.2.1.1
1.2.1.1.2.1.2
1.2.2 FORMULAS
1.2.2.1 ID = k(VGS-VT)2 ........ ID = k(VGS-VT)2...... VDS ≥ VGS - VT....... VDS(on) = ID(on) x RDS(on)
2 CARACTERISTICAS TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO ( JFET Y MOSTFET)
2.1 Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ). No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor). Hasta cierto punto es inmune a la radiación. Es menos ruidoso. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
3 SIFERENCIAS DE LOS TRANSISTORES ( JFET Y MOSFET )
3.1 JFET La polarización de un JFET (Junction Field-Effect Transistor) exige que las uniones PN estén inversamente polarizadas, para un JFET de canal N, el voltaje de drenado debe ser mayor que el voltaje de la fuente para que exista un flujo de corriente a través del canal, además el voltaje de compuerta debe ser más negativo que el de la fuente paraqué la unión PN se encuentre polarizada inversamente. Las curvas del JFET SON muy parecidas a las de los transistores bipolares, con la diferencia que los JFET SON controlados por tensión, mientras que los bipolares por corriente. MOSFET Los transistores .......... MOSFET son dispositivos de efecto de campo al igual que los JFET utilizan un campo eléctrico para crear un canal de conducción. Son dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor parte de circuitos integrados digitales se construyen con tecnologías MOS.
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