Transistores de unión bipolar

Transistores de unión bipolar

1. Estructuras verticales de transistores de potencia

   • Estructura de orientacion vertical de cuatro capas de dopaje alternante de tipo p y tipo n

2. Característica I-V

   • La región de arrastre determina la especificacion de la tension de bloqueo del BJT y tambien causa la zona llamada cuasisaturacion de la caracteristica I-V

3. Física de operación Bjt

   • mecanismos de ganancia Basica Y beta

4. bJT es un dispositivo que por lo general esta apagado y se enciende mediante la aplicacion de una corriente de base lo bastante grande para causar la inyeccion de grandes cantidades de portadores minoritarios en la base desde la zona del emisor

5. Tienen una baja ganancia de corriente, en especial con especificaciones de tensiones de ruptura grande.

   • se desarrollo el transistor darlington, los cuales tienen mayores ganacia de corriente.

6. El flujo lateral de la corriente en la base es el factor limitante basico en el desempeño del BJT.

7. La modulacion pesada de conductividad de la region de arrastre a finde reducir perdidas en estado activo requiere largos tiempos de vida de los portadores.

   • genera largos tiempos de apagado

8. El apagado de algunos tipos de BJT se debe realizarpor medio de un indice controlado de cambio de la base negativa a fin de evitar el aislamiento de carga excesiva almacenada en el BJT.

9. Los SOA del BJT estan limitadospor la segunda ruptura

   • RBSOA suele ser el factor limitante

10. Los BJT con soa limitados pueden requerir una trayectoria de commutacion controlada por circuitos de amoriguadores tanto durante el encendido como en el apagado

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