Quiz
ELECTRÓNICA 1
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Questions in this quiz (100)
1EL COBRE ES UN BUEN CONDUCTOR Y LA CANTIDAD DE PROTONES QUE CONTIENE EN SU NÚCLEO ES:
- A29
- B25
- C27
- A29
2ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE SE DISPONEN ALREDEDOR DEL NÚCLEO DEL COBRE:
- A29
- B25
- C27
3ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE DEBE DE TENER EN SU PRIMERA CAPA U ORBITAL EL ÁTOMO DE COBRE:
- A2
- B18
- C8
4ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE TIENE EN SU ORBITAL EXTERIOR EL ÁTOMO DE COBRE:
- A1
- B8
- C18
5ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE TIENE EN SU TERCER ORBITAL EL ÁTOMO DE COBRE:
- A18
- B1
- C2
6ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE TIENE EN SU SEGUNDO ORBITAL EL ÁTOMO DE COBRE:
- A8
- B2
- C1
7ES EL OTRO NOMBRE CON QUE SE LE CONOCE AL ORBITAL EXTERIOR DE UN ÁTOMO:
- AORBITAL DE VALENCIA
- BÚLTIMO ORBITAL
- CORBITAL DEL NÚCLEO
8ES OTRO NOMBRE CON QUE SE LE CONOCE AL ELECTRÓN DE VALENCIA:
- AELECTRÓN LIBRE
- BELECTRÓN SATURADO
- CELECTRÓN INTERNO
9LOS MEJORES CONDUCTORES, SON:
- ALA PLATA, EL COBRE Y EL ORO
- BPLATA, COBRE Y SILICIO
- CCOBRE, ORO Y GERMANIO
10ES UN ELEMENTO CON PROPIEDADES ELÉCTRICAS ENTRE LAS DE UN CONDUCTOR Y LAS DE UN AISLANTE, HABLAMOS DE UN:
- ASEMICONDUCTOR
- BINDUCTOR
- CCOBRE
11ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES DE VALENCIA QUE TIENEN LOS MEJORES SEMICONDUCTORES:
- A4
- B1
- C2
12ES UN MATERIAL SEMICONDUCTOR CUYO INCONVENIENTE ES SU EXCESIVA CORRIENTE INVERSA:
- AGERMANIO
- BORO
- CPLATA
13DESPUÉS DEL OXÍGENO, ES EL ELEMENTO MÁS ABUNDANTE DE LA TIERRA:
- ASILICIO
- BFOSFORO
- CPOTASIO
14EN UN ÁTOMO DE SILICIO AISLADO, ES LA CANTIDAD DE PROTONES Y ELECTRONES QUE CONTIENE:
- A14 PROTONES Y 14 ELECTRONES
- B10 PROTONES Y 5 ELECTRONES
- C14 PROTONES Y 8 ELECTRONES
15EN UN ÁTOMO DE SILICIO, ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES QUE CONTIENE EN SU ÓRBITA DE VALENCIA:
- A4
- B8
- C5
16CUÁNDO LOS ÁTOMOS DE SILICIO SE COMBINAN PARA FORMAR UN SÓLIDO, LO HACEN EN UNA ESTRUCTURA ORDENADA LLAMADA:
- ACRISTAL
- BENLACE COVALENTE NO POLAR
- CENLACE COVALENTE POLAR
17CADA UNO DE LOS ELECTRONES DE SILICIO COMPARTIDOS ESTÁ SIENDO ATRAÍDO EN DIRECCIONES OPUESTAS, EL ELECTRÓN CONSTITUYE UN ENLACE ENTRE LOS NÚCLEOS OPUESTOS, A ESTE TIPO DE ENLACE QUÍMICO SE LE DA EL NOMBRE DE:
- ACOVALENTE
- BPN
- CSEMICONDUCTOR
18ES COMO SE LE DENOMINA AL VACÍO QUE DEJA LA SALIDA DE UN ELECTRÓN EN EL ORBITAL DE VALENCIA Y QUE SE COMPORTA COMO UNA CARGA POSITIVA:
- AHUECO
- BTIEMPO DE VIDA
- CRECOMBINACIÓN
19EN EL ORBITAL DE VALENCIA LA PÉRDIDA DE UN ELECTRÓN PRODUCE:
- AION POSITIVO
- BION NEGATIVO
- CCARGA POSITIVA
20UN ELECTRÓN LIBRE SE APROXIMARÁ A UN HUECO, SERÁ ATRAÍDO Y CAERÁ HACIA ÉL, ESTA UNIÓN DE UN ELECTRÓN LIBRE Y DE UN HUECO SE LLAMA:
- ARECOMBINACIÓN
- BENLACE COVALENTE
- CHUECO
21EL TIEMPO QUE TRANSCURRE ENTRE LA CREACIÓN Y LA DESAPARICIÓN DE UN ELECTRÓN LIBRE, RECIBE EL NOMBRE DE:
- ATIEMPO DE VIDA
- BTIEMPO DE SATURACIÓN
- CTIEMPO DE RECOMBINACIÓN
22ES EL OTRO NOMBRE CON QUE SE LE CONOCE A UN SEMICONDUCTOR PURO:
- ASEMICONDUCTOR INTRÍNSECO
- BSEMICONDUCTOR TIPO P
- CSEMICONDUCTOR TIPO N
23UN CRISTAL DE SILICIO A TEMPERATURA AMBIENTE, SE COMPORTA COMO UN:
- AAISLANTE
- BPORTADOR
- CCONDUCTOR
24NOMBRE QUE RECIBEN LOS ELECTRONES LIBRES Y LOS HUECOS, DEBIDO A QUE TRANSPORTAN LA CARGA ELÉCTRICA DE UN LUGAR A OTRO:
- APORTADORES
- BELECTRONES LIBRES
- CELECTRONES SATURADOS
25CUÁNDO SE AÑADEN ÁTOMOS DE IMPUREZAS A UN CRISTAL INTRÍNSECO PARA MODIFICAR SU CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA, SE LLAMA:
- ADOPAJE
- BRECOMBINACIÓN
- CFLUJO DE HUECOS
26ES COMO SE LE LLAMA A UN SEMICONDUCTOR DOPADO:
- ASEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO
- BSEMICONDUCTOR TIPO P
- CSEMICONDUCTOR TIPO N
27ES LA CANTIDAD DE ELECTRONES EN LA ÓRBITA DE VALENCIA QUE TIENEN LOS ÁTOMOS PENTAVALENTES:
- A5
- B6
- C8
28ES COMO SE LES CONOCE A LOS ÁTOMOS PENTAVALENTES QUE DONARÁN UN ELECTRÓN EXTRA AL CRISTAL DE SILICIO:
- AIMPUREZAS DONADORAS
- BPORTADORES
- CSEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO
29UN SEMICONDUCTOR LIGERAMENTE DOPADO TIENE UNA RESISTENCIA:
- AALTA
- BPEQUEÑA
- CEXTRA-ALTA
30ES UN ELEMENTO PENTAVALENTE, QUE EN SU ÓRBITA DE VALENCIA TIENE CINCO ELECTRONES:
- AFÓSFORO
- BBORO
- CALUMINIO
31UN SEMICONDUCTOR DOPADO FUERTEMENTE, TIENE UNA RESISTENCIA:
- APEQUEÑA
- BMEDIA
- CEXTRA-ALTA
32TIPO DE IMPUREZAS CON LAS QUE SE DEBE DOPAR UN CRISTAL DE SILICIO PARA OBTENER UN EXCESO DE HUECOS:
- AIMPUREZAS TRIVALENTES
- BIMPUREZAS OCTAVALENTES
- CIMPUREZAS BIVALENTES
33ES UN ELEMENTO TRIVALENTE, QUE EN SU ÓRBITA DE VALENCIA TIENE TRES ELECTRONES:
- ABORO
- BANTIMONIO
- CARSÉNICO
34ES EL MATERIAL SEMICONDUCTOR QUE SE HA ERIGIDO COMO EL MÁS POPULAR Y ÚTIL:
- ASILICIO
- BANTIMONIO
- CFÓSFORO
35AL SILICIO QUE HA SIDO DOPADO CON UNA IMPUREZA PENTAVALENTE SE LLAMA:
- ASEMICONDUCTOR TIPO N
- BSEMICONDUCTOR TIPO PN
- CSEMICONDUCTOR TIPO NP
36AL SILICIO QUE HA SIDO DOPADO CON UNA IMPUREZA TRIVALENTE SE LLAMA:
- ASEMICONDUCTOR TIPO P
- BSEMICONDUCTOR TIPO PN
- CSEMICONDUCTOR TIPO NP
37LA SEPARACIÓN O FRONTERA FÍSICA ENTRE UN SEMICONDUCTOR TIPO N Y UNO TIPO P SE LLAMA:
- AUNIÓN PN
- BUNIÓN PNP
- CUNIÓN P
38ES LA UNIÓN QUE TIENE PROPIEDADES TAN ÚTILES QUE HA PROPICIADO TODA CLASE DE INVENTOS, ENTRE LOS QUE SE ENCUENTRAN LOS DIODOS, LOS TRANSISTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS:
- AUNIÓN PN
- BUNIÓN N
- CUNIÓN P
39LA PALABRA DIODO ES UNA CONTRACCIÓN DE LA EXPRESIÓN QUE SIGNIFICA:
- ADOS ELECTRODOS
- BDOS ELECTROLÍTICOS
- CDOS PENTODOS
40CADA PAREJA DE IONES POSITIVOS Y NEGATIVOS EN LA UNIÓN PN SE LLAMA:
- ADIPOLO
- BZONA DE DEPLEXIÓN
- CUNIÓN
41A MEDIDA QUE AUMENTA EL NÚMERO DE DIPOLOS, LA REGIÓN CERCANA A LA UNIÓN, SE VACÍA DE PORTADORES, A ESTA ZONA SIN PORTADORES SE LE CONOCE COMO:
- AZONA DE DEPLEXIÓN
- BZONA DE POLARIZACIÓN
- CBARRERA DE POTENCIAL
42EL CAMPO ELÉCTRICO ENTRE LOS IONES ES EQUIVALENTE A UNA DIFERENCIA DE POTENCIAL LLAMADA:
- ABARRERA DE POTENCIAL
- BZONA DE DEPLEXIÓN
- CZONA DE CORRIENTE DE FUGA
43A 25°C LA BARRERA DE POTENCIAL DEL GERMANIO ES APROXIMADAMENTE DE:
- A0.3 V
- B0.5 V
- C0.7 V
44A 25°C LA BARRERA DE POTENCIAL DEL SILICIO ES APROXIMADAMENTE DE:
- A0.7 V
- B0.4 V
- C0.5 V
45UNA FUENTE DE CORRIENTE CONTINUA CONECTADA A UN DIODO, EL TERMINAL NEGATIVO DE LA FUENTE ESTÁ CONECTADA AL MATERIAL TIPO N, Y EL TERMINAL POSITIVO AL MATERIAL TIPO P, ESTA CONEXIÓN SE LLAMA:
- APOLARIZACIÓN DIRECTA
- BPOLARIZACIÓN INVERSA
- CPOLARIZACIÓN NEGATIVA
46SI SE INVIERTE LA POLARIDAD DE LA FUENTE DE CORRIENTE CONTINUA, EN ESTE CASO EL TERMINAL NEGATIVO SE ENCUENTRA CONECTADO AL LADO P Y EL TERMINAL POSITIVO AL LADO N, A ESTA CONEXIÓN, SE LE DENOMINA:
- APOLARIZACIÓN INVERSA
- BPOLARIZACIÓN DIRECTA
- CPOLARIZACIÓN POSITIVA
47LA CORRIENTE INVERSA ORIGINADA POR LOS PORTADORES MINORITARIOS PRODUCIDOS TÉRMICAMENTE:
- ACORRIENTE INVERSA DE SATURACIÓN
- BCORRIENTE DE PORTADORES MINORITARIOS
- CPOLARIZACIÓN DIRECTA
48ES UNA PEQUEÑA CORRIENTE QUE CIRCULA SOBRE LA SUPERFICIE DEL CRISTAL, LA CUAL ES CAUSADA POR IMPUREZAS E IMPERFECCIONES EN SU ESTRUCTURA INTERNA:
- ACORRIENTE SUPERFICIAL DE FUGA
- BCORRIENTE DE PORTADORES MINORITARIOS
- CPOLARIZACIÓN DIRECTA
49ES NORMALMENTE LA TENSIÓN DE RUPTURA DE UN DIODO:
- AMAYOR DE 50V
- B0.7 V
- C30 V
50TIPO DE POLARIZACIÓN QUE PROPORCIONA MÁS ENERGÍA A LOS ELECTRONES LIBRES, EQUIVALENTE A UN NIVEL DE ENERGÍA MAYOR:
- APOLARIZACIÓN DIRECTA
- BPOLARIZACIÓN INVERSA
- CPOLARIZACIÓN POSITIVA
51ES LA TEMPERATURA DENTRO DEL DIODO, EXACTAMENTE EN LA UNIÓN PN:
- ATEMPERATURA DE LA UNIÓN
- BTEMPERATURA ALTA
- CTEMPERATURA AMBIENTE
52LA BARRERA DE POTENCIAL DE UN DIODO DE SILICIO DECRECE ___________ POR CADA INCREMENTO DE UN GRADO CELSIUS.
- A2 mV
- B5 mV
- C4 mV
53EN UN ÁTOMO DE SILICIO, ES LA DISTANCIA ENTRE LA BANDA DE VALENCIA Y LA BANDA DE CONDUCCIÓN:
- AGAP DE ENERGÍA
- BPERIODO DE ENERGÍA
- CBANDA DE SEPARACIÓN
54UNA RESISTENCIA ORDINARIA ES UN DISPOSITIVO _________________ POR QUE LA GRÁFICA DE SU CORRIENTE EN FUNCIÓN DE SU TENSIÓN ES UNA LÍNEA RECTA.
- ALINEAL
- BNO LINEAL
- CPASIVO
55UN DIODO, ES UN DISPOSITIVO:
- ANO LINEAL
- BUNILATERAL
- CLINEAL
56EN EL SÍMBOLO ELÉCTRICO DE UN DIODO, ES COMO SE LE LLAMA AL LADO "P":
- AÁNODO
- BCOMPUERTA
- CCOLECTOR
57EN EL SÍMBOLO ELÉCTRICO DE UN DIODO, ES COMO SE LE LLAMA AL LADO "N":
- ACÁTODO
- BCOLECTOR
- CCOMPUERTA
58EN LA ZONA DIRECTA, ES LA TENSIÓN A PARTIR DE LA CUAL LA CORRIENTE EMPIEZA A INCREMENTARSE RÁPIDAMENTE:
- ATENSIÓN UMBRAL
- BTENSIÓN DE POLARIZACIÓN
- CTENSIÓN DE TRABAJO
59LA TENSIÓN UMBRAL DE UN DIODO ES IGUAL A:
- ABARRERA DE POTENCIAL
- BTENSIÓN DE RUPTURA
- CTENSIÓN APLICADA
60DESPUÉS DE SUPERADA LA BARRERA DE POTENCIAL, LO ÚNICO QUE SE OPONE A LA CORRIENTE, ES LA SUMA DE LAS RESISTENCIAS ÓHMICAS DE LAS ZONAS P Y N, DENOMINADA:
- ARESISTENCIA INTERNA
- BRESISTENCIA N
- CRESISTENCIA P
61NORMALMENTE LA RESISTENCIA INTERNA DE LOS DIODOS, ES:
- A< 1 Ω
- B1.2 Ω
- C2 Ω
62INDICA CUÁNTA POTENCIA PUEDE DISIPAR EL DIODO SIN PELIGRO DE ACORTAR SU VIDA NI DEGRADAR SUS PROPIEDADES:
- ALIMITACIÓN DE POTENCIA
- BPOTENCIA MÁXIMA
- CPOTENCIA MÍNIMA
63ES CÓMO SE COMPORTA UN DIODO CUANDO TIENE POLARIZACIÓN DIRECTA:
- ACONDUCTOR PERFECTO
- BCOMO UNA RESISTENCIA
- CSEMICONDUCTOR
64ES CÓMO SE COMPORTA UN DIODO CUANDO TIENE POLARIZACIÓN INVERSA:
- AAISLANTE PERFECTO
- BCOMO UNA RESISTENCIA
- CCONDUCTOR PERFECTO
65EL DIODO IDEAL, ES GENERALMENTE ADECUADO PARA:
- ADETECCIÓN DE AVERÍAS
- BHACER CÁLCULOS PRECISOS
- CESTABILIZAR LA TENSIÓN DE LA FUENTE
66ES LA APROXIMACIÓN DEL DIODO QUE NECESITAMOS, CUANDO SE REQUIERE UN VALOR MÁS EXACTO PARA LA CORRIENTE Y LA TENSIÓN EN LA CARGA:
- ASEGUNDA APROXIMACIÓN
- BTERCERA APROXIMACIÓN
- CCUARTA APROXIMACIÓN
67ES EL APARATO DE MEDICIÓN QUE SE UTILIZA PARA AVERIGUAR EL ESTADO DE UN DIODO:
- AÓHMETRO
- BTERRÓMETRO
- CAMPERÍMETRO
68ES EL ESTADO DEL DIODO CUANDO SU RESISTENCIA ES EXTREMADAMENTE PEQUEÑA EN AMBAS DIRECCIONES:
- ADIODO EN CORTO CIRCUITO
- BDIODO CON FUGA
- CDIODO SATURADO
69ES EL ESTADO DEL DIODO CUANDO SU RESISTENCIA ES MUY ELEVADA EN AMBAS DIRECCIONES:
- ADIODO EN CIRCUITO ABIERTO
- BDIODO CON FUGA
- CDIODO SATURADO
70ES EL ESTADO DEL DIODO CUANDO SU RESISTENCIA ES ALGO BAJA EN LA DIRECCIÓN INVERSA:
- ADIODO CON FUGA
- BDIODO EN CORTO CIRCUITO
- CDIODO EN CIRCUITO ABIERTO
71ES UNA HERRAMIENTA EMPLEADA PARA HALLAR EL VALOR EXACTO DE LA CORRIENTE Y LA TENSIÓN DEL DIODO:
- ARECTA DE CARGA
- BRECTA DE CAÍDA DE TENSIÓN
- CRECTA DE POLARIZACIÓN DIRECTA
72ES EL PUNTO DE INTERSECCIÓN DE LA RECTA DE CARGA Y LA CURVA DE UN DIODO:
- APUNTO Q
- BPUNTO K
- CPUNTO DE CORTE
73EL PUNTO "Q" , ES UNA ABREVIACIÓN DE QUIESCENT QUE SIGNIFICA:
- AEN REPOSO
- BEN CORTE
- CTRABAJO
74SON LOS DOS ESTILOS BÁSICOS DE MONTAJE DE SUPERFICIE:
- ASM Y SOT
- BSM Y PM
- CSOT Y PN
75TIPO DE ENCAPSULADO QUE TIENE DOS BORNAS DOBLADAS EN "L" Y UNA BANDA COLOREADA EN UN EXTREMO DEL CUERPO PARA INDICAR LA BORNA CORRESPONDIENTE AL CÁTODO:
- ASM
- BTO3
- CSOT-23
76TIPO DE ENCAPSULADO "SM" QUE TIENE DOS BORNAS DOBLADAS EN "L" Y UNA BANDA COLOREADA EN UN EXTREMO DEL CUERPO PARA INDICAR LA BORNA CORRESPONDIENTE AL ____________.
- ACÁTODO
- BCOLECTOR
- CEMISOR
77TIPO DE ENCAPSULADO QUE TIENE TRES TERMINALES EN FORMA DE ALA DE GAVIOTA. SUS TERMINALES SE ENUMERAN EN EL SENTIDO CONTRARIO DE LAS AGUJAS DEL RELOJ DESDE ARRIBA:
- ASOT-23
- BSM
- CTO3
78ES UN ENCAPSULADO DE TRANSISTOR CON TRES TERMINALES USADO HABITUALMENTE PARA DIODOS "SM":
- ASOT-23
- BSM-14
- CTO3
79APROXIMACIÓN DE LOS DIODOS QUE RARA VEZ UTILIZAMOS, POR QUE, NORMALMENTE LA RESISTENCIA INTERNA ES SUFICIENTEMENTE PEQUEÑA Y PUEDE IGNORARSE:
- ATERCERA APROXIMACIÓN
- BCUARTA APROXIMACIÓN
- CPRIMERA APROXIMACIÓN
80SU CIRCUITO EQUIVALENTE, ES UN INTERRUPTOR QUE SE CIERRA CUANDO ESTÁ POLARIZADO EN DIRECTA Y SE ABRE CUANDO ESTÁ EN INVERSA:
- APRIMERA APROXIMACIÓN
- BCUARTA APROXIMACIÓN
- CTERCERA APROXIMACIÓN
81ES UN DIODO DE SILICIO QUE ES DISEÑADO PARA QUE FUNCIONE EN LA ZONA DE RUPTURA:
- ADIODO ZENER
- BDIODO REGULADOR
- CDIODO LED
82ES EL NOMBRE CON QUE TAMBIÉN SE LE CONOCE AL DIODO ZENER:
- ADIODO DE AVALANCHA
- BDIODO LÁSER
- CDIODO LED
83ÉSTE COMPONENTE ELECTRÓNICO, ES LA PARTE ESENCIAL DE LOS REGULADORES DE TENSIÓN:
- ADIODO ZENER
- BDIODO LÁSER
- CDIODO LED
84EN UN DIODO ZENER, ES COMO SE LE CONOCE A LA RESISTENCIA INTERNA DE LA ZONA INVERSA:
- ARESISTENCIA ZENER
- BREGULADOR ZENER
- CCONTROLADOR ZENER
85TIPO DE DIODO, QUE MANTIENE LA TENSIÓN CONSTANTE ENTRE SUS TERMINALES, INCLUSO CUANDO LA CORRIENTE SUFRA CAMBIOS:
- ADIODO ZENER
- BDIODO LÁSER
- CDIODO TÚNEL
86PARA TRABAJAR EN _______________, LA TENSIÓN DE LA FUENTE DEBE SER MAYOR QUE LA TENSIÓN DE RUPTURA, SIEMPRE SE EMPLEA UNA RESISTENCIA EN SERIE PARA LIMITAR LA CORRIENTE A UN VALOR MENOR DE SU LIMITACIÓN MÁXIMA DE CORRIENTE.
- AZONA ZENER
- BZONA DE CONDUCTIVIDAD
- CZONA DE CORTE
87EN LA APROXIMACIÓN IDEAL, TEÓRICAMENTE EL DIODO ZENER AL FUNCIONAR EN LA ZONA DE RUPTURA, SE COMPORTA COMO:
- AUNA BATERÍA
- BUN REGULADOR
- CFUENTE DE ALIMENTACIÓN
88EN UN DIODO ZENER, CUÁNDO LA FUERZA DEL CAMPO ALCANZA APROXIMADAMENTE 300000 V/CM, EL CAMPO ES LO SUFICIENTEMENTE INTENSO PARA EMPUJAR A LOS ELECTRONES FUERA DE SUS ORBITALES DE VALENCIA. LA CREACIÓN DE ELECTRONES LIBRES DE ESTA FORMA SE CONOCE COMO:
- AEFECTO ZENER
- BCORRIENTE ZENER
- CCORRIENTE POR CARGA
89EN UN DIODO ZENER, ES EL CAMBIO EN LA TENSIÓN DE RUPTURA POR CADA GRADO QUE AUMENTA LA TEMPERATURA:
- ACOEFICIENTE DE TEMPERATURA
- BCORRIENTE POR CARGA
- CCORRIENTE ZENER
90EN UN DIODO ZENER, ÉSTA ES IGUAL AL PRODUCTO DE SU TENSIÓN POR SU CORRIENTE:
- ADISIPACIÓN DE POTENCIA
- BCORRIENTE MÁXIMA
- CPOTENCIA ZENER
91ES EL NOMBRE CON QUE TAMBIÉN SE LE CONOCE A LA RESISTENCIA ZENER:
- AIMPEDANCIA ZENER
- BCORRIENTE MÁXIMA
- CTOLERANCIA ZENER
92EN LA HOJA CARACTERÍSTICA DE UN DIODO ZENER, ES EL PARÁMETRO QUE INDICA CUANTO HAY QUE REDUCIR LA LIMITACIÓN DE POTENCIA DE UN DISPOSITIVO:
- AFACTOR DE AJUSTE
- BIMPEDANCIA ZENER
- CTOLERANCIA ZENER
93ES LA TECNOLOGÍA QUE COMBINA LA ÓPTICA CON LA ELECTRÓNICA:
- AOPTOELECTRÓNICA
- BMECATRÓNICA
- CBIOELECTRÓNICA
94SON LOS ELEMENTOS PARA LA FABRICACIÓN DE LOS DIODOS LEDS:
- AGALIO Y ARSÉNICO
- BHIDRÓGENO Y GALIO
- CSILICIO Y CARBONO
95LA LUMINOSIDAD DE UN LED, DEPENDE DE:
- ALA CORRIENTE
- BSU VOLTAJE
- CSU CONSTRUCCIÓN
96ES LA CAÍDA DE TENSIÓN TÍPICA EN LA MAYORÍA DE LOS LEDS DISPONIBLES COMERCIALMENTE, PARA UNA CORRIENTE QUE FLUCTÚA ENTRE 10 Y 50 MA:
- A1.5 A 2.5 V
- B2 A 4 V
- C0.7 A 2.5 V
97ES LA TENSIÓN DE RUPTURA TÍPICA DE UN DIODO LED:
- A3 Y 5 V
- B6 Y 7 V
- C5 Y 7 V
98EN UN INDICADOR DE SIETE SEGMENTOS, ES EL DIGITO QUE SE FORMA AL LLEVAR A MASA LOS SEGMENTOS "A" "B" Y "C":
- A7
- B1
- C3
99DIODO CUYA SENSIBILIDAD A LA LUZ ES MÁXIMA:
- AFOTODIODO
- BIRED
- CZENER
100EN UN FOTODIODO, LA CORRIENTE INVERSA A MEDIDA QUE LA LUZ SE HACE MÁS INTENSA, OCURRE QUE:
- AAUMENTA
- BDISMINUYE
- CSE MANTIENE IGUAL
Information
- Description
- Física Quiz on ELECTRÓNICA 1, created by adal gardea on 03/03/2017.
- Author
- adal gardea
- Language
- Español
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