Clase 2.3

Clase 2.3

1. LÍMITES DE OPERACIÓN

   • Para cada transistor hay una región de operación en las características que garantizará que no se excedan las capacidades nominales máximas y que la señal de salida exhiba distorsión mí- nima.
     • Algunos de los límites de operación se explican por sí solos, como la corriente máxima del colector (normalmente aparece en la hoja de especificaciones como corriente continua en el co- lector) y el voltaje máximo del colector al emisor (a menudo abreviado V CEO o V (BR)CEO en la ho- ja de especificaciones).
       • Para el dispositivo de la figura 3.22, la disipación de potencia del colector se especificó co- mo 300 mW.
         • En cualquier punto sobre las características el producto de V CE e I C debe ser igual a 300 mW.
           • Por consiguiente vemos que si I C ? 50 mA, entonces V CE ? 6 V en la curva de disipación de potencia como se indica en la figura 3.22.
             • En general se puede trazar un estimado preliminar de la curva real con los tres puntos antes definidos.
               • La región de corte se define como aquella que está debajo de I C ? I CEO , y la cual también hay que evitar para que la señal de salida tenga una distorsión mínima.

2. HOJAS DE ESPECIFICACIONES DEL TRANSISTOR

   • Como la hoja de especificaciones es el vínculo de comunicación entre el fabricante y el usuario, es de particular importancia que la información provista se reconozca e interprete correctamen- te.
     • Los restantes se introducirán en los capítulos siguientes.
       • La información proporcionada como figura 3.23 se tomó directamente de la publicación Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes preparada por Motorola Inc.
         • Observe que en la lista de valores nominales máximos V con mA.
           • Los límites de operación ya se definieron para el dispositivo y se repiten a continuación en el formato de la ecuación (3.17) con h FE ? 150 (el límite superior) e (50 nA) mA.
             • En las características de señal pequeña el nivel de h fe (b ca ) aparece junto con una gráfica de cómo varía con la corriente del colector en la figura 3.23f.
               • También baja a este nivel si I C se reduce al bajo nivel de 0.15 mA.
                 • Antes de concluir esta descripción de las características, observe que no se dan las caracte- rísticas reales del colector.
                   • Como se señaló en la introducción a está sección, todos los parámetros de la hoja de es- pecificaciones no se definieron en las secciones o capítulos anteriores.

3. PRUEBA DE UN TRANSISTOR

   • Del mismo modo que con los diodos, hay tres rutas que podemos seguir para verificar un tran- sistor: podemos usar un trazador de curvas, un medidor digital, o bien un ohmmetro
   • Trazador de curvas
     • El trazador de curvas de la figura 1.50 despliega la respuesta en la figura 3.24 una vez que se han ajustado correctamente todos los controles.
   • Probadores de transistores
     • En el mercado hay disponibles varios probadores de transistores.
       • También se puede utilizar cualquier medidor con capacidad de verificación de diodos para comprobar el estado de un transistor.
   • Ohmmetro
     • Se puede utilizar un ohmmetro o las escalas de resistencia de un multímetro digital (DMM, por sus siglas en inglés) para verificar el estado de un transistor.
       • Si ambas uniones de un transistor dan las lecturas esperadas, también se puede determinar el tipo de transistor con sólo observar la polaridad de los cables al conectarlos a la unión base a emisor.

4. ENCAPSULADO E IDENTIFICACIÓN DE LAS TERMINALES DE UN TRANSISTOR

   • Una vez que se fabrica el transistor por medio de las técnicas descritas en el apéndice A, los conectores de, por lo general, oro, aluminio o níquel, se conectan y toda la estructura se encap- sula en un contenedor como el de la figura 3.29.
     • Siempre que sea posible, la cápsula del transistor presentará alguna marca para indicar cuá- les conectores están conectados al emisor, colector o base de un transistor.
       • En la figura 3.31 aparece la construcción interna de una cápsula TO-92 de la línea Fairchild.

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