Transistores Bipolares de Compuerta Aislada (IGBT)

Transistores Bipolares de Compuerta Aislada (IGBT)

1. El IGBT tiene una AOS rectangular para aplicaciones de modo conmutadp, parecida a la del MOSFET

2. El IGBT esta diseñado paraoperar como MOSFET

   • Con una zona inyectora en su lado de drenaje para proporcionar modulacion por la conductividad de la region de arrastre con el fin de reducir perdidas de linea
     • Las perdidas del IGBT en estado activo son mucho menores que las de un MOSFET y son comparables con las de un BJT
     • Es mas rapido que un BJT comparable pero mas lento que un MOSFET

3. La estructura del IGBT incluye un tiristor parasitico cuyo encendido no se debe permitir, pues la compuerta perderia la capacidad de apagar el dispositivo

4. Estructura

   • Dispositivo de 4 capas pnnp
   • Nivel de dopaje parecido al MOSFET, drenaje poco dopada y compuerta fuente muy interdigitada
   • Posee un tiristor parasito
   • Se cortocircuita Cuerpo-Fuente para que este no se encienda

5. LATCHUP

   • Cuando V es mucho mayor inyecta electrones de fuente hasta la zona del cuerpo
     • El transistor parasito se enciende npn y el pnp
       • Lo que causa el enclavamiento
         • Pierde el control de la corriente de drenaje
   • Si el LATCHUP no se termina rapido el IGNT se destruye por la excesiva disipacion de potencia

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