25548206
Description
Mind Map by Gustavo Angel Beristain Vazquez, updated more than 1 year ago
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Created by Gustavo Angel Beristain Vazquez
over 3 years ago
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Propiedades y crecimiento
de cristales semiconductores
- Semiconductor
- Es un elemento que se comporta como un conductor o
como un aislante dependiendo de diversos factores.
- Por ejemplo:
- Silicio (Si)
- Es el segundo
elemento más
abundante en la
corteza terrestre, es
un material básico
para la creación de
obleas o chips.
- Es el segundo
elemento más
abundante en la
corteza terrestre, es
un material básico
para la creación de
obleas o chips.
- Arsenurio de
Galio (GaAs)
- Es un compuesto de galio y
arsénico, y tambien un
importante semiconductor
usado para fabricar dispositivos
como: circuitos integrados.
- Es un compuesto de galio y
arsénico, y tambien un
importante semiconductor
usado para fabricar dispositivos
como: circuitos integrados.
- Silicio (Si)
- Por ejemplo:
- Proceso de crecimiento
de una oblea de
semiconductor.
- Se tiene un:
Material
inicial.
- Se le da un
tratamiento
químico y se
obtiene un:
Semiconductor
policirstalino.
- Se realiza un
crecimiento del
cristal y
tenemos un:
Semiconductor
monocristalino.
- El cual, se
corta, limpia
y pule para
obtener
finalmente:
Una oblea.
- El cual, se
corta, limpia
y pule para
obtener
finalmente:
Una oblea.
- Se realiza un
crecimiento del
cristal y
tenemos un:
Semiconductor
monocristalino.
- Se le da un
tratamiento
químico y se
obtiene un:
Semiconductor
policirstalino.
- Se tiene un:
Material
inicial.
- Es un elemento que se comporta como un conductor o
como un aislante dependiendo de diversos factores.
- Obtención de
Si puro
- Crecimiento de
lingotes de Silicio
- Material inicial:
SiO2, arena
denominada
cuarcita
- Va al horno junto
con hulla, coke,
astillas de madera
- SiC(solido) + SiO2(solido) R Si(solido) + SiO(gas) + CO(gas)
- Produce: Silicio
Metalúrgico (MGS)
con pureza del 98%
- Se purifica pulverizando el Silicio y
tratando con cloruro de hidrógeno
para obtener triclorosilano (SiHCl3)
- SiO2(solido) + 3HCl(gas) ® SiHCl3(gas) + H2(gas)
- Se reduce con silicio
para obtener silicio
electrónico (EGS)
- El EGS es silicio
policrstalino de alta
pureza y es el elemento
de partida para crear
silicio monocristalino.
- El EGS es silicio
policrstalino de alta
pureza y es el elemento
de partida para crear
silicio monocristalino.
- Se reduce con silicio
para obtener silicio
electrónico (EGS)
- SiO2(solido) + 3HCl(gas) ® SiHCl3(gas) + H2(gas)
- Se purifica pulverizando el Silicio y
tratando con cloruro de hidrógeno
para obtener triclorosilano (SiHCl3)
- Produce: Silicio
Metalúrgico (MGS)
con pureza del 98%
- SiC(solido) + SiO2(solido) R Si(solido) + SiO(gas) + CO(gas)
- Va al horno junto
con hulla, coke,
astillas de madera
- Material inicial:
SiO2, arena
denominada
cuarcita
- Crecimiento de
lingotes de Silicio
- Crecimiento en volumen
- Obtenido silicio de alta
pureza o EGS, se crea el
lingote que requiere silicio
con estructura cristalina
- Para obtener
cristal de Si hay
dos tecnicas:
- Metodo de Czochralski
- Para obtener Si
monocristalino a partir
de Si policristalino (EGS)
- Se usa el Puller
- Sus componentes principales son:
- A) Horno
- B) Mecanismo
de crecimiento
de cristal
- C) Mecanismo
del control de
ambiente
- C) Mecanismo
del control de
ambiente
- B) Mecanismo
de crecimiento
de cristal
- A) Horno
- Sus componentes principales son:
- Se usa el Puller
- Para obtener Si
monocristalino a partir
de Si policristalino (EGS)
- Metodo de Czochralski
- Para obtener
cristal de Si hay
dos tecnicas:
- Obtenido silicio de alta
pureza o EGS, se crea el
lingote que requiere silicio
con estructura cristalina
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